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MEMS惯性测量单元
成果简介： 惯性测量单元（Inertial Measurement Unit，简称IMU）是测量物体三轴姿态角（或角速度）以及加速度的装置。IMU属于捷联式惯导，该系统由两个加速度传感器与三个速度传感器（陀螺）组成，加速度计测量物体在载体坐标系统独立三轴的加速度信号，而陀螺检测载体相对于导航坐标系的角速度信号，测量物体在三维空间中的角速度和加速度，并以此解算出物体的姿态。在导航中有着很重要的应用价值。 技术指标 技术指标 单位 型号 UESTCME-1 UESTCME-2 UESTCME-3 轴数 个 3 3 3 加速度量程 ±10g ±35g ±35g 加速度精度 2.8 5.5 11 加速度灵敏度 mV/g 100±2 20±1 40±1 加速度零点稳定性 mg/hr 15 60 40 加速度温度漂移 % <2% <2% <2% 角速度量程 o/s ±150 ±300 ±300 角度精度 度 0.1 0.2 0.1 角度灵敏度 mV/o/s 6±1 6±1 25±1 角度零点漂移 o/hr 0.3 1.0 0.3 角度温度漂移 % <2% <5% <2%
电子科技大学
2017-10-23
激光跟踪测量系统
成果与项目的背景及主要用途： 激光跟踪测量系统是近些年来迅速发展并得到广泛应用的高精度、便携式三坐标测量机。这种测量系统的主要特点是测量范围大，通常为数十米甚至上百米。在全量程内的测量精度可以保持在微米级。整个系统的典型重量为20kg左右，非常便携。由于可以和多种形式的合作目标（也叫目标镜或目标测头）配合使用，因此不仅能对点、线、面等简单的几何特征进行测量，而且能够对内部特征、隐藏特征或曲面等复杂特征进行快速、高精度的测量。
天津大学
2021-04-14
水貂体重测量设备
水貂体重测量设备包括车架、貂筒、貂筒固定架、貂筒挡板、貂筒挡板控制机构、称重传感器、控制屏和电源，在平台的后端设置有貂筒固定架，在貂筒固定架的底部安装有称重传感器；貂筒挡板控制机构包括驱动元件和联动杆，在平台上设置有缝隙，在缝隙的下方设置貂筒挡板；控制屏包括触摸显示屏、启停按键、貂筒挡板动作按键、当前清零按键和控制器。本实用新型实现了水貂体重的快速精确测量，减小了养殖户的劳动量。
青岛农业大学
2021-04-13
水貂体长测量设
水貂体长测量设备包括车架、貂筒、貂筒固定架、长度测量传感器、控制屏和电源，车架的上表面为平台，在所述平台的后端设置有貂筒固定架，所述貂筒固定在貂筒固定架上；在貂筒的前方设置有立板，所述长度测量传感器固定在立板上，且长度测量传感器对准貂筒的前开口；所述立板与貂筒的前端留有用于放置貂笼的间距；控制屏固定在所述平台上，控制屏包括触摸显示屏、启停按键、当前清零按键和控制器，所述长度测量传感器、显示屏、启停按键和当前清零按键分别与所述控制器连接。本实用新型实现了水貂体长的快速精确测量，减小了养殖户的劳动量。
青岛农业大学
2021-04-13
面积测量器
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
面积测量器
产品详细介绍面积测量器
宁波舜盈机电科技有限公司
2021-08-23
一种观测几何自动调整的水体表观光谱观测装置与方法
本发明公开了一种观测几何自动调整的水体表观光谱观测装置与方法，主要包括中央控制单元、旋 转驱动单元、方位跟踪单元、旋转台和底座；中央控制单元提供与外部通讯的接口，与旋转驱动和方位 跟踪单元电气连接；旋转驱动单元包括电机驱动板、步进电机、蜗轮传动装置；旋转台包括转动盘、支 撑转轴和仪器挂载杆；方位跟踪单元为一姿态传感器；底座具有由顶盖和底座壳体装配构成的中空结构， 中空结构内设有内部安装架，用于安装中央控制单元和旋转驱动单元。本发明的观测几何自动
武汉大学
2021-04-14
一种基于体表反向场的内外伤漏磁检测区分方法与装置
本发明公开了一种基于体表反向场的内外伤漏磁检测区分方法及装置。该方法的特征为：将被检测导磁构件磁化，在上述被磁化导磁构件体表内施加反向磁感应场 B<sub>反</sub>，与体内原有磁感应场B<sub>原</sub>发生矢量叠加抵消，在体表内形成零磁感应区域，使得出现在该体表内区域的缺陷(也即外伤)因无漏磁场产生而无法被探测到；而出现在非体表零磁感应区的缺陷均有漏磁场产生而可以被探测到，包括内、外伤；然后采用磁敏元件分别布置靠近于零磁感应区和非零磁感应
华中科技大学
2021-04-14
可调谐外腔式半导体激光器
西安交通大学
2021-04-10
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11