本发明公开了一种超导电力装置用空心低温杜瓦，包括上、下 层低温杜瓦部件和支撑体；上、下层低温杜瓦部件均为中间带有方形 通孔的空心圆筒结构，上层低温杜瓦部件嵌套在下层低温杜瓦部件内， 上层低温杜瓦部件和下层低温杜瓦部件的上部高度相等且均为敞口， 上、下层低温杜瓦部件之间支撑体连接支撑；上层低温杜瓦部件的空腔用于盛装液氮和提供超导线圈放置的空间；上、下层低温杜瓦部件 之间的空隙内填充有隔热材料。本发明通过对低温杜瓦部件的形状和 结构的巧妙设计使其达到安全、稳定运行的效果。这种杜瓦结构可以 用于超导磁体中

（专利号：ZL 201510560801.8） 简介：本发明公开了一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸锂纳米棒65‑80％、聚丙乙烯10‑15％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、三羟甲基丙烷5‑10％、硅树脂甲基支链硅油4‑10％。本发明提供的复合电子封装材料使用铋酸锂纳米棒作为主要原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

简介：本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65-80%、聚乙二醇10-15%、乙撑双硬脂酰胺0.05-0.5%、三聚丙二醇二缩水甘油醚5-10%、乳化甲基硅油4-10%，锡酸锶纳米棒的直径为80 nm、长度为1-2 μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

本发明属于机械工程密封技术领域，特别适用于对直径大于 800 mm 的密封件的静态真空密封或正压密封。 本发明所要解决的技术问题是，现有超大直径法兰盘真空密封的方法存在着泄漏，使用寿命短等一系列弊病，因此，提供一种橡胶密封和磁性液体密封组合的超大直径法兰盘磁性液体静密封装置。 本发明的技术方案：密封装置由磁性液体密封和橡胶密封两部分组成，内部靠橡胶密封圈达到一定的密封能力，主要靠外部的磁性液体密封达到零泄漏；通过这两重密封就可以达到超大直径静密封的超高真空或正压密封的要求。 超大直径法兰盘磁性液体静密封装置包括：法兰盘、套、橡胶圈、永磁铁、磁性液体、极靴。在法兰盘的第一阶台阶、第二阶台阶上安装一个采用非磁性材料制成的套，紧靠套在橡胶密封台上嵌入橡胶密封圈，安装上套和橡胶密封圈的法兰盘和另一个法兰盘通过螺栓固定在一起后，在极靴处注入磁性液体，最后将多个圆柱形永磁铁嵌入沿两个法兰盘的第四阶台阶的圆周上，磁性液体在磁场的作用下吸附在密封间隙中，形成可靠密封。 本发明的有益效果是，采用磁性液体密封和橡胶密封组合一起的超大直径法兰盘静 密封，其泄漏率低于 10-11pal·m3/s，使用寿命长，而且装配方法简单，同时具有磁性液体密封和橡胶密封的优点，克服了原有密封的弊端，而且不破坏原有的其它结构。

本发明属于机械工程密封技术领域，特别适用于对直径大于800 mm的密封件的静态真空密封或正压密封。 本发明所要解决的技术问题是，现有超大直径法兰盘真空密封的方法存在着泄漏，使用寿命短等一系列弊病，因此，提供一种橡胶密封和磁性液体密封组合的超大直径法兰盘磁性液体静密封装置。 本发明的技术方案：密封装置由磁性液体密封和橡胶密封两部分组成，内部靠橡胶密封圈达到一定的密封能力，主要靠外部的磁性液体密封达到零泄漏；通过这两重密封就可以达到超大直径静密封的超高真空或正压密封的要求。 超大直径法兰盘磁性液体静密封装置包括：法兰盘、套、橡胶圈、永磁铁、磁性液体、极靴。在法兰盘的第一阶台阶、第二阶台阶上安装一个采用非磁性材料制成的套，紧靠套在橡胶密封台上嵌入橡胶密封圈，安装上套和橡胶密封圈的法兰盘和另一个法兰盘通过螺栓固定在一起后，在极靴处注入磁性液体，最后将多个圆柱形永磁铁嵌入沿两个法兰盘的第四阶台阶的圆周上，磁性液体在磁场的作用下吸附在密封间隙中，形成可靠密封。本发明的有益效果是，采用磁性液体密封和橡胶密封组合一起的超大直径法兰盘静密封，其泄漏率低于10-11pal·m3/s，使用寿命长，而且装配方法简单，同时具有磁性液体密封和橡胶密封的优点，克服了原有密封的弊端，而且不破坏原有的其它结构。

研发阶段/n本发明公开了一种各向异性导电胶及封装方法（专利号201510071858.1），所述导电胶含有导电性颗粒和绝缘性粘接树脂，导电性颗粒体积为树脂总体积的3％至10％，导电性颗粒表面修饰有不饱和基团，用于在各向异性导电胶预固化时使得导电性颗粒相互交联成网络结构，所述导电性颗粒上不饱和键基团含量在0.01μmol/m2至500μmol/m2之间。所述封装方法，包括预固化和最终固化。本发明提供的各向异性导电胶在预固化时能使得导电颗粒相互交联成网络结构，减少导电性粒子相对运动，提高各向异性导电胶的

针对汽车电子、5G通讯基站、航空航天及电力电子设备等功率电子元器件难以在高温、大电流/电压、潮湿等恶劣工作环境下服役的难题，并且要求芯片封装互连接头尺寸更小、高温稳定性更好、可靠性更高，本团队首次采用超声辅助纳米烧结的新型互连工艺，利用纳米银包铜颗粒作为焊料，成功获得大功率器件高温高可靠服役要求的互连接头，为高功率芯片贴装高导热界面制造提供了新材料和新工艺。

本发明公开了一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法，该 系统包括基板转移模块、柔性电子制备模块、激光剥离模块以及封装 与装卸模块，基板转移模块用于拾取基板并放置到柔性电子制备模块 上，然后将制备好的柔性电子连同基板一起转移到激光剥离模块，最 后从激光剥离模块上取回被剥离的基板;柔性电子制备模块用于在基 板上完成柔性电子的制备;激光剥离模块用于将制备好的柔性电子与基板分离;封装装卸模块用于将需封装的产品放在封装模块上，并将 从基板上剥离的柔性电子封装在产品上，最后将封装好的产品取下。 所述方法利用所述

北京大学量子材料中心王健研究组与合作者在钛酸锶（SrTiO3）衬底上外延生长的单原胞层厚（0.55 nm）铁硒（FeSe）薄膜中观测到了具有磁激发迹象的玻色模式和强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。两项发现为超导机制备受争议的单原胞层铁硒薄膜提供了异号配对的重要实验证据，表明在该体系中尽管界面电–声耦合被认为可以增强超导特性，自旋涨落对于库珀对的配对有着不可忽略的作用，或对铁基高温超导机理的统一理解提供重要参考。 提升超导转变温度和理解库珀配对机制是超导领域两个最重要的研究方向。在以往的铁基超导研究中，基于电子–空穴费米口袋嵌套的s±波配对被广泛接受。然而对于AxFe2−ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1−xFex)OHFe1−ySe，尤其是单原胞层 FeSe/SrTiO3等一系列重电子掺杂铁硒化合物，重电子掺杂会导致费米能级上移，进而导致布里渊区中心Γ点的空穴费米口袋降至费米能级以下，使得电子–空穴费米口袋嵌套理论失效。因而，铁基超导中的s±配对图像受到严峻挑战。 钛酸锶衬底上外延生长的铁硒薄膜具有铁基超导家族最简单的分子结构和最高的超导转变温度（能隙闭合温度的典型值为65 K），自2012年被清华大学薛其坤团队发现以来在国际凝聚态物理领域掀起了研究热潮。前期，北京大学王健研究组与薛其坤研究组合作采用电输运和抗磁性测量首次报道了单层铁硒中高温超导的直接证据（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，被Science编辑选择文章Science 343, 230 (2014)报道）。然而，其中的超导配对机制，一直存在争议，始终悬而未决。 为了揭示单层铁硒中的超导配对机制，王健研究组开展了一系列系统的实验。实验中的单层铁硒超薄膜采用分子束外延技术生长于钛酸锶衬底。通过原位超高真空（~10−10 mbar）原位扫描隧道谱探测，研究组发现超导能隙外存在由电子–玻色子耦合导致的鼓包（hump）结构。系统的扫描隧道谱实验揭示以该鼓包为特征的玻色模式更接近磁激发信号（图1），极有可能是充当配对媒介、且连接布里渊区近邻角落（M点）电子费米口袋的(π,π)自旋涨落。超导序参量作为复数，其在费米面上的分布存在同相位（保号：sign-preserving）与反相位（异号：sign-reversing）两种情形。杂质散射作为一种相位敏感技术，已广泛应用于以往超导配对研究。其中非磁性杂质尤为特殊，其选择性地局域破坏s±波、d波等异号配对，实验上表现为诱导超导能隙内的束缚态，而对传统保号s波配对无明显效应，因此可用于区分异号和保号配对图像。王健研究组采用沉积于单层铁硒表面的强非磁性杂质铅（Pb）吸附原子作为散射中心，实验中发现相对于正常超导谱形，铅原子在超导带隙边界附近诱导出电子型谱权重增强，同时超导能隙减弱（图2）。该特征是‘隐’束缚态的典型信号。系统的势散射强度调节（图2(d)）等实验也印证了这一观点，有力地说明单层铁硒超导能隙函数存在异号。同时，基于异号配对图像，如扩展s±波（图2(e)），南京大学王强华教授与南京师范大学高绎教授理论上定性复现了非磁性杂质诱导的超导谱形重构。上述的玻色模式与非磁杂质散射两项研究成果一致支持单层铁硒中存在以自旋涨落为媒介的异号配对，为最终澄清单层铁硒的界面高温超导机制奠定了重要基础，同时也预示具有不同费米面构型的铁基高温超导体或存在统一解释。图1. 单原胞层 FeSe中具有磁激发迹象的玻色模式。(a) 单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示超导能隙外由电子–玻色子耦合导致的鼓包结构；(b) Ω/2Δ1与Δ1的统计负关联（Ω：玻色模式能量；Δ1：内超导能隙）。图2. 单原胞层 FeSe中强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。(a) Pb吸附原子的STM形貌图；(b) Pb吸附原子和正常单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示9.5 mV处存在‘隐’束缚态；(c) 跨Pb吸附原子的扫描隧穿线谱；(d) 101组Pb吸附原子扫描隧穿谱（黑实线下方）与无吸附原子时的扫描隧穿谱（黑实线上方）对比；(c) 扩展s±波图像下非磁性杂质的模拟局域态密度谱。 两项工作分别于2019年5月22日和2019年7月15日发表于Nano Letters（Nano Lett. 19, 3464−3472 (2019)）、Physical Review Letters（Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019)）。论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大学博士生刘超飞为第一作者，北京大学王健教授为通讯作者；Physical Review Letters文章，北京大学博士生刘超飞、王子乔和南京师范大学高绎教授为共同第一作者，北京大学王健教授和南京大学王强华教授为共同通讯作者。 以上工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、江苏省自然科学基金等经费的支持。王健特别感谢谢心澄、王垡、徐莉梅、任泽峰以及量子物质科学协同创新中心在北大超高真空分子束外延与低温扫描隧道显微镜实验室搭建过程中给予的支持。