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基于 2.4GHz 无线射频芯片的可恢复低功耗防盗系统
本实用新型在已有射频防盗系统的基础上，提出一种基于 2.4GHz 无线射频芯片的可恢复低功耗防 盗系统，它是基于 2.4GHz 无线收发射频系统而实现的，其核心包括电子标签，监控装置，而唤醒装置、 恢复追踪装置和上位机非必须。通过加入唤醒芯片进一步降低了电子标签的功耗，并且增加唤醒装置， 恢复追踪装置，上位机，并且配有独特的软件设计，实现电子标签在多个工作状态中定时自动转换，以 达到扩展电子标签的实用性和延长使用寿命的目的，摘要附图中给出了该防盗系统的主要构成模块及数 据流。
武汉大学
2021-04-13
一种基于射频识别的人机交互系统及方法
本发明公开了一种基于射频识别的人机交互系统及方法，人机 交互系统包括交互屏、协调器、读写器、卡套以及主机，交互屏由依 次连接的触摸屏、显示屏和射频天线层构成；协调器与天线层连接， 读写器与协调器连接；卡套包括指套以及位于指套中且携带有信息的 卡片，主机与读写器和交互屏连接，用于控制交互屏准确定位触点位 置、控制触点位置附近的天线开启、控制读写器检测卡套中卡片的信 息以及将触点和卡片信息绑定。本发明通过触摸屏感知用户触
华中科技大学
2021-04-14
一种用于射频锁相环的快速自动频率校准电路
本实用新型涉及一种用于射频锁相环的快速自动频率校准电路，能够使采用本电路的射频锁相环在 较低的压控增益条件下覆盖较大的输出带宽，同时具备较快的锁定速度。本电路采用准闭环结构，包括 一个电压比较器、一个脉冲产生器和一个计数器模块，具有结构简单、锁定速度快的特点。计数器模块 使用二分查找法和超前进位加法器进一步缩短了锁相环频率粗调节时间，从而加速锁定过程。
武汉大学
2021-04-14
射频读写设备及应用该设备的车辆识别与辅助测速系统
南京邮电大学
2021-04-14
SMA高真空连接器射频接头特性阻抗50Ω 持久耐用
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北京锦正茂科技有限公司
2022-06-02
TRB三同轴真空接头直通型真空射频连接器
屏蔽连接器是具有防止电磁干扰辐射进入或防止泄漏能力的连接器。 TRB三同轴真空接头直通型真空射频连接器
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TRB-JZM78HS三同轴连接器有3个凸耳，用于机械连接到外部电缆，将主体部分设计为隔板密封必须非常小心。TRB系列的接口具有快速插拔、电气性能稳定的特点，可用于更高屏蔽性能的数据传输场合。 TRB三同轴真空接头直通型真空射频连接器
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锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。
锦正茂始终秉承“诚信、合作、创造、共赢”的经营理念，将现代化管理技术引入到产品生产与管理中，通过新的军民融合平台建设，形成具有一定市场竞争优势的高科技企业；其次，公司逐步形成以现代化高科技产业化带动企业价值增张的商业模式，坚持“与时俱进，科技创新”的思路，彰显业务的核心优势，共创新的战略制高点。
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北京锦正茂科技有限公司
2022-02-19
SMA高真空连接器特性阻抗50Ω射频接头穿墙式
SMA真空系列射频连接器具有体积小、频带宽、机械性能优*、可靠性高等优点，是应用极为广泛的射频同轴连接器之一。锦正茂生产的SMA品种齐全，结构独特，性能优良。
SMA(M)-KYK7 SMA(M)-KYK2真空射频连接器
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主要性能指标：
温度范围：-55～+165°C（PE Cable -40～+85°C）
特性阻抗：50Ω
频率范围：0～18GHz
工作电压：335V(50Ω)r.m.s 在海平面上
耐 压：1000V(50Ω)r.m.s 在海平面上
接触电阻：内导体之间 ≤3mΩ外导体之间：≤2mΩ
绝缘电阻：≥500MΩ
内导体保持力：≥0.28N
插入损耗：0.15dB/6GHz
连接器啮合力：≤20N
连接器拉脱力：≥8N
电压驻波比：直 式 ≤1.10+0.02f ≤1.07+0.018f
弯 式 ≤1.20+0.03f ≤1.17+0.02f
耐用性：≥500次
漏率：<10-12Pa•m3/s
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北京锦正茂科技有限公司
2022-01-22
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
大功率 LED 封装及热管理技术
成果的背景及主要用途： 对于大功率白光 LED(半导体发光二极管），由于其工作电流大和工作电压高， 在其工作过程中会产生很多热量，在现有的封装技术下，不能提供足够的散热能 力来维持极限条件下的可靠运行，大功率 LED 连接成为瓶颈，而解决这一问题 的根本方法在于改善芯片级互连材料的散热能力。 技术原理与工艺流程简介： 采用纳米银焊膏的低温烧结技术，利用其纳米银低熔点的性能，使烧结温度 降低到 280℃，而烧结后银连接具有高熔点（960℃）、高导电和高导热性能，非 常适合高温功率电子器件的长期可靠性运行。 以大功率 1W LED 芯片封装为例，测试表明对于三种热界面材料银浆(silver epoxy)，锡银铜焊膏(solder paste)，和钠米银焊膏（silver paste），由于钠米银焊 膏的高导热性，在大电流下发光效率提高 7~10%，说明散热效率提高，有效地 降低了结温。目前课题组已完成 25W 的 LED 模块封装。 技术水平及专利与获奖情况： 获发明专利“以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率 LED 的方法”，发明专 利 ZL200610014157.5，授权日：2008.11.19。 应用前景分析及效益预测： 此项技术可以用于大功率 LED 芯片的封装，具有广阔的市场前景，进一步 可以推广到大功率半导体激光器的封装中。 应用领域：电子封装 技术转化条件： 本项目组在电子器件的热管理方面也具有丰富的经验，可进行电子封装的热 分析及热管理设计。 合作方式及条件：根据具体情况面议 20 耐高温、耐高湿电子封装材料
天津大学
2021-04-11