（一）项目背景 当前以硅、砷化镓为代表的第一和二代半导体接近其物理极限，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点，也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。氮化镓（GaN）特别适合制作高频、高效、高温、高压的大功率微波器件，是下一代通信、雷达、制导等电子装备向更大功率、更高频率、更小体积和抗恶劣环境（高温抗辐照）方向发展的关键技术。 目前氮化镓基射频器件已接近于商用，需解决从走出实验室到小量中试的最后“1 公里”，重点攻克其在可靠性工艺和量产稳定性的瓶颈。 以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点，也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。 半导体作为信息时代的“粮食”，将成为 5G 基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等“新基建”七大领域发展的支柱性产业。而氮化镓为代表的宽禁带半导体先进电子器件，凭借其高效、高压、高温等优势，将在“新基建”中大放异彩，可以弥补传统半导体器件的技术瓶颈，满足更高性能器件要求。 （二）项目简介 5G 要求更高的数据传输速率，发射机的效率会出现指数级的下降。这种下降可以使用包络跟踪技术来修复，该技术已经在较新的 4G/LTE 基站以及蜂窝电话中采用。基站中的包络跟踪需要高速，高功率和高电压，这些只有使用 GaN 技术才能实现。诸如 GaN 助力运营商和基站 OEM 等实现了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大规模 MIMO 的目标。 GaN 可以说为 5Gsub-6-GHz 大规模 MIMO 基站应用提供了众多优势：1、在 3.5GHz 及以上频率下表现良好，对比其他产品优势明显。2、GaN 的特性能转化为高输出功率，宽带宽和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 输出功率下的平均效率达到 50%至 60%，明显降低了发射功耗。3、在高频和宽带宽下的效率意味着大规模 MIMO 系统可以更紧凑。4、可在较高的工作温度下可靠运行，这意味着它可以使用更小的散热器。 根据 Strategy Analytics 的数据，预计 5G 移动连接将从 2019 年的 500 万增长到 2023 年的近 6 亿。所以需求还将不断上涨。 根据Strategy Analytics的数据，预计5G移动连接将从2019年的500万增长到2023年的近6亿。所以需求还将不断上涨。 Efficient Power Conversion 的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow 讨论5G时也说道：“基站中的包络跟踪需要高速，高功率和高电压，这些只有使用GaN技术才能实现。根据Yole Development公司发布的2018年度报告数据显示，随着全球整体数据流量的激增，我国5G产业将迎来大规模的需求增长。预计到2022年，我国5G基站规模将达到千亿市场，5G基站数量将达百万个。所以未来氮化镓基射频器件是5G通信基站收发端的核心。 氮化镓基射频器件是华为和中兴发展 5G 通信产业的核心器件，西安电子科技大学氮化镓射频器件研究团队自 2016 年起就与华为西安研究所、中兴西安研究所等国内主流5G通信公司协同攻关开展氮化镓基射频器件的研究，目前承担的流片服务项目合计约 500 万元。 2017 年，西安电子科技大学与西安市高新区、西电电气集团等联合成立“陕西半导体先导技术中心”，中心致力于推动陕西第三代半导体产业发展，促进以氮化镓为代表的射频器件、功率器件等加速产业化，2019 年团队向陕西半导体先导技术中心转让专利 35 项，作价 2000 万元，双方正在联合推进搭建第三代半导体中试平台，平台将会立足西安，服务全国，提升氮化镓基射频器件量产工艺可靠性，实现相关技术成果转化。 （三）关键技术 本项目由西安电子科技大学作为技术攻关的主要单位，制定技术路线，保障国家重大科技专项“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移动通信 GaN 芯片可靠性机理研究”研究，与华为和中兴联合开展工程合作项目实施，加快解决器件工艺可靠性工程问题，重点开展氮化镓微波功率与太赫兹器件工程技术研究，突破高性能低缺陷外延材料生长、高效率高可靠氮化镓微波功率器件工艺技术等关键瓶颈问题，协助规模量产高效率 S-Ku 波段典型氮化镓功率器件和模块、5G 基站核心射频模块。

该成果采用具有核-壳结构的丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸丁酯三元共聚物（ASA）与苯乙烯- 丙烯腈无规共聚物（AS树脂）、助剂等共混制得具有特殊复杂结构和性能优良的树脂。和传统的ABS树脂相比，ASA树脂结构中采用主链结构中不含有双键的聚丙烯酸丁酯橡胶替代了ABS树脂中的丁二烯橡胶，使得ASA树脂具有优异的耐候性能、耐低温性能、耐高温性能，良好的加工性能、尺寸稳定性、表面光泽度和耐溶剂性能，一定的强度和刚度。ASA树脂上述独特的性能，使得其在户外长期使用具有明显的优势，尤其是取代ABS树脂在户外使

本发明属于通信抗干扰技术领域，尤其涉及正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing,OFDM)技术、限幅技术(clipping)、部分传输序列技术(Partial Transmit Sequence,PTS)、相移键控(Phase Shifting Keying，PSK)调制技术及其相关的OFDM技术。基于限幅噪声和子载波干扰消除的PTS‑OFDM方法，在有CFO的系统中，将限幅噪声与频率偏移综合考虑，在PTS中找出一个最优相位。本发明通过综合考虑限幅噪声与CFO引进的ICI，从PTS中选择一个最优相位，使系统的BER性能得到显著的提高。

本实用新型公开了一种用于脊柱稳定性研究的坐姿突发加载姿势干扰装置，包括：一底座，用以支撑干扰装置的基体；一套可调整的坐靠抵装置，用于测试者在测试中的正确的坐靠抵姿势的实现；一信号发射装置，用于实现突然加载信号的发送控制；一与信号发射装置信号连接的磁力锁装置，用于实现对测试者进行突然加载；一牵拉装置，用于将测试者与磁力锁装置连接并实现突然加载控制的拉力装置。本实用新型干扰装置结构简单，操作方便，数据准确性高，而利于该装置进行测试的方法，采取半跪位作为起始姿势，以达到限制髋关节和下肢的代偿运动，从而为更好的研究躯干稳定肌在突发性加载下的表面肌电的影响提供准确的数据。

一种用于水下焊缝跟踪的抗干扰激光传感装置，它包括密封盒、摄像 头、滤光片、挡光板、钢化玻璃、激光器、驱浊管，其特征是在密封盒内 连接摄像头、滤光片和激光器，密封盒贴近焊枪的一侧连接挡光板，另侧 连接驱浊管，底下连接钢化玻璃。 本技术的优点： （1）通过可调节的挡光板来减少弧光干扰； （2）通过驱浊管将焊件上的泥沙冲走，使局部保持清水状态，既提 高了激光的透光率，又减少了泥沙对弧光的反射，从而增强了信号，

本发明公开了一种利用三维统计信道信息的异构网络下行干扰协调方法，异构网络中宏蜂窝基站覆盖范围内存在若干低功率无线接入节点共享频谱资源，宏蜂窝基站采用均匀平面天线阵，宏蜂窝基站利用已知的统计信道信息按照先依次对各低功率接入节点进行宏蜂窝干扰协调再依次对各低功率接入节点进行低功率接入节点干扰协调的步骤，或按照先依次对各低功率接入节点进行低功率接入节点干扰协调再依次对各低功率接入节点进行宏蜂窝干扰协调的步骤进行干扰协调；干扰协调完毕后，宏蜂窝基站仅对其服务用户集合中剩余的用户进行服务。本发明具有所需信道信

A.产品简介 MB-2690E变频抗干扰介质损耗测试仪用于现场抗干扰介损测量，或试验室精密介损测量。仪器为一体化结构，内置介损电桥、变频电源、试验变压器和标准电容器等。采用变频抗干扰和傅立叶变换数字滤波技术，全自动智能化测量，强干扰下测量数据非常稳定。测量结果由大屏幕液晶显示，自带微型打印机可打印输出。 B.技术参数 准确度：       Cx  :   ±（读数×1%+1pF） tgδ:   ±（读数×1%+0.00040） 抗干扰指标：变频抗干扰，在200%干扰下仍能达到上述准确度 电容量范围：   内施高压：  3pF～60000pF/10kV   60pF～1μF/0.5kV 外施高压：3pF～1.5μF/10kV        60pF～30μF/0.5kV 分辨率：              最高0.001pF，4位有效数字 tgδ范围：不限，分辨率0.001%，电容、电感、电阻三种试品自动识别。 试验电流范围：10μA～5A 内施高压：设定电压范围：0.5～10kV 最大输出电流：200mA 升降压方式：   连续平滑调节 电压精度：±(1.5%×读数+10V) 电压分辨率：   1V 试验频率：45、50、55单频 频率精度：±0.01Hz 外施高压：正接线时最大试验电流1A，工频或变频40-70Hz 反接线时最大试验电流10kV/1A，工频或变频40-70Hz CVT自激法低压输出：输出电压3～50V，输出电流3～30A 测量时间：约40s，与测量方式有关 输入电源：180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市电或发电机供电 计算机接口：   标准RS232接口 打印机：       炜煌A7热敏微型打印机 环境温度：-10℃～50℃ 相对湿度：  <90%

服务教育行业，紧跟电教发展新潮流 保护教师金嗓子，彻底告别讲课拼嗓门的岁月 解放三尺讲台束缚，倡导移动教学新理念   产品推荐 手持终端集PPT翻页、激光教鞭、无线话筒于一身； 新一代2.4G技术，创新信号处理程序，超强抗WIFI干扰； 绿色安全节能，超低辐射，超低功耗； 智能化设计，即插即用，随开随用； 便携式接收机，针对移动使用设计，特别适合手提电脑连接使用。 出彩教学 多彩选择 技术参数 接收机： 频率范围：2.4~2.483MHz 频率响应：50Hz~12KHz 调制方式：O-QPSK，BT=0.5Gaussian 连接方式：ID对码，自动连接锁定 接收方式：双向2.4G短波跳频 灵敏度：-82dBm(1%BER) 信噪比：≥110dB 谐波失真：≤0.5% 音频输出：平衡输出和不平衡输出 电源：AC 9V 500mA 发射机: 频率范围：2.4~2.483MHz 频率n向应：50Hz~12KHz 调制方式：O-QPSK，BT=0.5Gaussian 发射功率：2.5mW 链接方式：ID对码，自动连接锁定 传输方式：双向2.4G短波跳频 连接时间：20小时 供电方式：3.7V聚合物锂电池 电池容量：1200mAH 电池充电时间：约4小时 工作范围：≥50米 温度范围：-30~50℃ 重量：70g 尺寸：108mmx33mmx2lmm 结构及功能图 接收机 ①音频输出口 ②标准USB接口 ③miniUSB接口    发  射 ①MIC输入接口 ②充电及数据升级接口    ③激光光源孔    ④MIC拾音口    ⑤对频显示，对频时闪亮，对频成功长亮 ⑥电池电量显示    ⑦音量显示 ⑧静音显示 ⑨激光教鞭键 ⑩音量调节键 11 静音键 12 PPT翻页键 13 开关

大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段