一、射频可配置接收机 射频接收机采用零中频/低中频可配置技术，对应于 TD/GSM 通信协 议。单通道满足两种协议所有频段要求。每级增益均可根据协议需要 进行控制;滤波器带宽可根据协议动态配置;具有模拟输出和数字输 出接口，集成高精度 ADC，采样速率为 26MHz。主要性能图 1。二、射频可配置发射机 射频接收机采用零中频技术，包括可配置低通放大器、中频可变增益 放大器、上混频器以及射频可变增益放大器几个主要模块，其中增益 和带宽等性能可以通过&n

光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

本发明公开一种基于中位数准则的主系统收发机间信道增益估计方法，CT能在不存在主系统到自身之间反馈链路的条件下估计出信道增益，本发明的方法主要通过监听多个独立SNR，得到多个独立SNR的中位数，并且利用该中位数与CG之间的数学关系估计CG；本发明的方法具有较低的估计误差，因此与传统的CG估计方法相比，本发明具有更低的复杂度和更好的估计性能。

可以量产/n该项目带宽宽，可以覆盖Ku以下所有频段，并向Ka频段发展；线性度高，模拟通信不失真；动态范围大，激光输出功率高，相对强度噪声低。可靠性高，全金属化耦合焊接，提高了可靠性和寿命。市场预期：该项目产品主要应用领域是通信，目前国内市场需求大于300亿人民币。随着国家宽带战略的实施和物联网的发展，未来5-10年将以大于30%/年的速度递增。到2020年将大于1000亿元人民币。

本发明公开了一种零中频全双工收发机的数字自干扰消除方法，该方法主要应用于数字自干扰消除器内，根据接收端采样后得到的数字信号，以及发射端已知的数字波形，对收发机信号传输链路中的自干扰进行估计。该方法可消除理想元器件下发射机产生的自干扰，由发射链上变频调制器和接收链下变频解调器的IQ不平衡产生的镜像自干扰，由发射链功放失真产生的非线性自干扰，以及IQ不平衡和功放失真联合导致的镜像非线性自干扰。该方法相比较于传统的增广复数LMS算法，可以在发射信号功率较大时仍获得理想的自干扰消除效果和较快的收敛速度，具有很强的实用性。

发明公开一种基于最大似然准则的主系统收发机间信道增益估计方法，主基站与主用户之间采用CLPC，主基站的发射功率包含了主基站与主用户之间信道增益的信息；同时，主基站的发射功率信息包含在认知发射机接收到的信噪比数据中；本发明采用最大似然准则来提取多个独立SNR中关于主基站与主用户之间信道增益信息，并且得到该信道增益的解析式，从而估计出主基站与主用户间的信道增益；

RFID即射频识别，是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象，可快速地进行物品追踪和数据交换。识别工作无须人工干预，可工作于各种环境。RFID技术可同时识别多个对象，操作快捷方便。 本项目以电力井为对象，开发了手持式及桌面型RFID电缆信息化系统。项目开发的手持式RFID电缆信息化系统，由手持式读写器、UHF超高频射频卡及其读写软件组成，适用于电力井现场采集及电缆信息维护；项目开发的桌面型RFID电缆信息化系统，由桌面型读写器、UHF超高频射频卡及其读写软件组成，适用于办公室中对电力井电缆信息化管理工作。系统可处理中英文字符信息，手持式系统通过GPRS技术可实现远程数据维护。

超宽射频介质材料，包括微波陶瓷、玻璃、复合介质材料、微波毫米波复合介质基板、宽频模块集成用LTCC低温共烧封装材料，及其相应的射频器件、组件。

一种射频识别标签，包括封装体和位于封装体内的射频电路，所述封装体内轴向开有至少一个导流孔，导流孔的一端开孔小于另外一端，导流孔远离轴线的侧壁形成导流斜面，这些导流斜面以封装体轴线为中心对称分布。通过控制导流斜面的斜率而控制射频识别标签投掷到油井管道盐水中时的下落速度，且所述射频识别标签在盐水中下落时不易旋转，运动更加平稳。

本项目着重研发一系列不同工作频率与不同储存信息量有机射频识别（ORFID）标签或有机射频卡为主，研究各种有机集成器件，为大面积集成柔性电子产品产业化奠定了有机电子方面的理论基础。本研究采用不同有机导电材料及制作工艺使有机薄膜晶体管（OTFT）集成于塑料基底上，制备出RFID塑料芯片。工作采用一套新的完整的技术方案，包括结合应用需要进行有机RFID标签的结构，电路设计，在柔性衬底上进行芯片集成电路的制作（通过掩模板及光刻工艺制备高性能的低聚合物RFID标签集成电路，喷墨打印方式制备便宜的高分子等有机RFID标签集成塑料芯片两种路线），印刷天线，及选择合适的测试系统进行应验标签和分析标签工作机制等部分。制备出工作频率为125kHz、13.56MHz 及储存信息量为1字节及8字节的有机RFID标签。其中晶体管的性能达到开关比在104以上，迁移率0.4~0.7cm2/Vs，电路工作电压在15V左右。本项目是国内首批研发有机RFID标签的实验室研究工作，从而给国内有机RFID技术的研发工作建立一个良好的平台，弥补国内在有机RFID标签领域的空白。 主要应用范围： 从长远发展看，有机RFID有可能成为将来主导各行业信息处理的关键技术之一。有机RFID标签作为一个低成本的选择，并不会代替常用、标准的无机RFID标签，而是开辟另一个新的市场，到时在RFID市场，有机半导体将与Si片技术相互补。有机RFID技术除了具有半导体RFID技术的优点以外，还具有便宜、厚度可以非常薄等特点，可以制成柔性电子标签，使用时可以随意粘贴，不受软硬度及厚度等限制，将来可以广泛应用于工业自动化、商业自动化、交通运输控制管理、军事物流等众多领域。 有机半导体的生产工艺将彻底改变了以往的Si集成电路生产流程，省去了复杂及昂贵的CMOS工艺过程（扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光等步骤），便宜并且环保。因为有机电子学能够实现大规模应用很关键的一点就是其能通过印刷工艺来实现有机电子器件的低成本。同样有机RFID标签的研究中，各国研究者的目的是想通过有机半导体材料制备有机集成电路，最终可以通过印刷的方式来得到有机RFID标签产品。这意味着有机RFID标签的到来将带动印刷行业领域的进展。采用打印制备RFID标签的工艺将碳基材料的微细颗粒喷射到芯片的基底上，不到几分钟就可以制造出芯片成品，且塑料芯片可以单片制造，其成本甚至不到0.1美分。而目前如果要建造一座生产Si芯片的工厂，其资金可能要高达百亿美金以上，然而同样的资金却可以建造超过100个生产塑料芯片的工厂。不论从前端厂房及材料成本，到后端的应用与生产成本，有机RFID技术的生产都极具优势。 目前世界各国都认为有机RFID市场前景巨大。至于技术的发展，目前全球都还在探索阶段。各国家、地区和机构纷纷加大研发力度，尤其各国已经有专门的公司进行相关项目的投资。比如，美国Organic ID、IBM和德国PolyIC等公司。而中国的大部分企业一直处于观望的状态，虽然目前已经开始尝试无机RFID在一些领域的应用示范，但在技术基础方面远远落后于欧美各国，加之标准待确立和产业基础薄弱，诸多因素制约着RFID技术在中国这个世界最具潜力的消费市场难以大规模运行。如果有机RFID的研究及应用方面迟迟不肯投资，在未来新崛起的有机RFID产业里又必将落后于欧美、日韩和新加坡等国。只有在快要占领市场的有机RFID技术方面尽早投入，将来才可能分得一杯羹。 制备出基本器件后，随着研发不断深入发展，将制备存储量和响应不断提高的器件。