本发明公开了一种基于Z型六角铁氧体的射频识别天线，该天线具有至少一层Z型六角铁氧体基片1，一层空气层2，和一个金属基片3，和一个金属反射腔4，和金属接地面5，和一个变形金属微带线6，及射频识别芯片9。本发明采用各向异性六角铁氧体，在保证增益的前提下，有效地实现天线尺寸的小型化。

（一）项目背景 当前以硅、砷化镓为代表的第一和二代半导体接近其物理极限，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点，也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。氮化镓（GaN）特别适合制作高频、高效、高温、高压的大功率微波器件，是下一代通信、雷达、制导等电子装备向更大功率、更高频率、更小体积和抗恶劣环境（高温抗辐照）方向发展的关键技术。 目前氮化镓基射频器件已接近于商用，需解决从走出实验室到小量中试的最后“1 公里”，重点攻克其在可靠性工艺和量产稳定性的瓶颈。 以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点，也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。 半导体作为信息时代的“粮食”，将成为 5G 基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等“新基建”七大领域发展的支柱性产业。而氮化镓为代表的宽禁带半导体先进电子器件，凭借其高效、高压、高温等优势，将在“新基建”中大放异彩，可以弥补传统半导体器件的技术瓶颈，满足更高性能器件要求。 （二）项目简介 5G 要求更高的数据传输速率，发射机的效率会出现指数级的下降。这种下降可以使用包络跟踪技术来修复，该技术已经在较新的 4G/LTE 基站以及蜂窝电话中采用。基站中的包络跟踪需要高速，高功率和高电压，这些只有使用 GaN 技术才能实现。诸如 GaN 助力运营商和基站 OEM 等实现了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大规模 MIMO 的目标。 GaN 可以说为 5Gsub-6-GHz 大规模 MIMO 基站应用提供了众多优势：1、在 3.5GHz 及以上频率下表现良好，对比其他产品优势明显。2、GaN 的特性能转化为高输出功率，宽带宽和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 输出功率下的平均效率达到 50%至 60%，明显降低了发射功耗。3、在高频和宽带宽下的效率意味着大规模 MIMO 系统可以更紧凑。4、可在较高的工作温度下可靠运行，这意味着它可以使用更小的散热器。 根据 Strategy Analytics 的数据，预计 5G 移动连接将从 2019 年的 500 万增长到 2023 年的近 6 亿。所以需求还将不断上涨。 根据Strategy Analytics的数据，预计5G移动连接将从2019年的500万增长到2023年的近6亿。所以需求还将不断上涨。 Efficient Power Conversion 的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow 讨论5G时也说道：“基站中的包络跟踪需要高速，高功率和高电压，这些只有使用GaN技术才能实现。根据Yole Development公司发布的2018年度报告数据显示，随着全球整体数据流量的激增，我国5G产业将迎来大规模的需求增长。预计到2022年，我国5G基站规模将达到千亿市场，5G基站数量将达百万个。所以未来氮化镓基射频器件是5G通信基站收发端的核心。 氮化镓基射频器件是华为和中兴发展 5G 通信产业的核心器件，西安电子科技大学氮化镓射频器件研究团队自 2016 年起就与华为西安研究所、中兴西安研究所等国内主流5G通信公司协同攻关开展氮化镓基射频器件的研究，目前承担的流片服务项目合计约 500 万元。 2017 年，西安电子科技大学与西安市高新区、西电电气集团等联合成立“陕西半导体先导技术中心”，中心致力于推动陕西第三代半导体产业发展，促进以氮化镓为代表的射频器件、功率器件等加速产业化，2019 年团队向陕西半导体先导技术中心转让专利 35 项，作价 2000 万元，双方正在联合推进搭建第三代半导体中试平台，平台将会立足西安，服务全国，提升氮化镓基射频器件量产工艺可靠性，实现相关技术成果转化。 （三）关键技术 本项目由西安电子科技大学作为技术攻关的主要单位，制定技术路线，保障国家重大科技专项“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移动通信 GaN 芯片可靠性机理研究”研究，与华为和中兴联合开展工程合作项目实施，加快解决器件工艺可靠性工程问题，重点开展氮化镓微波功率与太赫兹器件工程技术研究，突破高性能低缺陷外延材料生长、高效率高可靠氮化镓微波功率器件工艺技术等关键瓶颈问题，协助规模量产高效率 S-Ku 波段典型氮化镓功率器件和模块、5G 基站核心射频模块。

已有样品/n该项目所开发的仪器设备可以实现对FNRBCs 准确、高效、快速、低廉的分离与富集，并进行基因组层面的全面分析，为无创性产前诊断技术的发展及相关科学研究的深入提供有力的推动和支撑平台。项目团队在该研究领域进行了长期的研究工作，积累了大量经验，并取得了一定成绩。该成果，方法独特，效果明显并成功用于三体综合症检测。

射频识别（Radio Frequency Identification-RFID）技术被公认是21世纪最有发展前途的信息技术之一，已广泛应用于生产、零售、物流、交通、医疗、消费、旅游、国防等各个领域。超高频（UHF）RFID技术凭借其无源远距离多标签快速识别的优势，能广泛应用于智能物流、智能交通、 物品质量追溯、公共安全管理、智慧城市等物联网系统，显著提高各行各业的管理效率，降低成本，具有最为广阔的市场规模和发展潜力，已成为RFID及物联网产业下一个爆发式增长点。 本团队在2008年度广东省重大科技专项的支持下，研究突破了低功耗低压射频/模拟/数字电路及SOC架构、高效率整流电路、多标签防碰撞、高稳定时钟电路等共性关键技术，掌握了基于CMOS工艺的高识别灵敏度的超高频RFID标签芯片设计、测试与验证、质量可靠性保障等核心技术，已获得授权发明专利7项、公开的发明专利申请8项，发表论文30多篇。自主设计开发出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的四款超高频RFID标签芯片，通过了赛宝实验室（工信部五所）的测试认证，超高频RFID标签芯片测试性能达到Impinj等国际主流公司同期同类产品技术指标。在此基础上，自主设计开发出具有温度感知功能的超高频RFID标签芯片、具有开关状态数监测的超高频RFID标签芯片、具有多传感器接口的超高频物联网标签芯片等样品。 超高频RFID标签芯片主要技术指标： ？ 技术标准：ISO18000-6B/6C ？ 工作频率：840-960MHz ？ 识别（读取）灵敏度：-15dBm ？ 读写距离：读8 米/写5 米(与天线形式及当地无线电频率规范相关) ？ 识别速率：>100次/秒 ？ 存储容量：256、512、1000bits ？ 前向链路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向链路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作温度：-40 —850C ？ 数据保存时间：10年 ？ 写入次数：100000

传统的体外生理信号监测如心电、脑电等基于湿电极在电极皮肤建立稳定且低阻抗的接触,需要凝胶，不易佩戴且容易滋生细菌感染等。使用干电极是可穿戴和医疗健康芯片的必然趋势。但目前的商业芯片在干电极下无法使用，存在诸多性能上的缺陷，诸如功耗、输入阻抗、共模抑制比等方面均无法满足要求。在对国内外相关技术的研究和综述的基础上，我们提出了提出一种基于干电极的信号采集芯片。经流片验证，可以提供足够的空间分辨率，功耗在μW级别。同时该技术采用了实验室积累多年的低功耗集成电路设计技术。以下是两款超低功耗干电极脑电与心电采集芯片及其应用场景。其中脑电芯片可以在耳道采集脑电信号，方便舒适，易于集成，其产业化已经在逐步推行。

1.本外观设计产品的名称：LED 芯片高速自动分选机。2.本外观设计产品的用途：用于对 LED 芯片执行自动分选的装置。3.本外观设计的设计要点：分选机的整体形状和图案，及其操控键的形状和分布。4.最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。5.该装置的顶面和底面未涉及产品设计要点且不常见，故省略俯视图和仰视图。

自主设计开发出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的四款超高频RFID标签芯片，通过了赛宝实验室（工信部五所）的测试认证，超高频RFID标签芯片测试性能达到Impinj等国际主流公司同期同类产品技术指标。在此基础上，自主设计开发出具有温度感知功能的超高频RFID标签芯片、具有开关状态数监测的超高频RFID标签芯片、具有多传感器接口的超高频物联网标签芯片等样品。

超高速模数转换器是数据采集系统的核心,广泛应用于宽带通信、数据捕获系统、软件无线电、射频消费类电子等领域,是国外长期禁运的核心电子元器件。

在后摩尔时代，发挥多功能、异质集成技术的优势和特点，面向存储系统应用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，构成具有多功能的存储微系统芯片。