首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

光掩膜版(又称光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体，是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右，90%需要进口，高端掩膜版国产化率3%，miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升，掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚，技术滞后，核心技术和装备基本让国外公司垄断，特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态，例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口，严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产，为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下： 1） 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2） 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。 3） 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 （1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上； （2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍； （3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。

瓜形扁圆，皮色黑绿间白斑，种子少，肉厚 3cm 左右，单瓜重达 1.8 千克以上，肉色金黄，淀粉含量高，口感甜面，品质佳，适于加工，早熟，生育期少于 110 天，适于露地栽培，较抗白粉病，亩产量达 2000 公斤以上。

“宇花 2 号”是高产、耐盐大花生品种，以花育 22 号为材料，通过诱变技术和定向筛选获得的高产、耐盐大花生品种，该技术已获授权国家发明专利“一种花生离体诱变定向筛选耐盐体的方法”。 “宇花 2 号”在 2015 年山东省花生区试大花生组荚果和籽仁产量名列第一名，比对照花育 25 号增产 13.2%。近三年在东营盐碱地试验，表现出较强的耐盐性，在含盐量 0.3%左右的盐碱地，亩产荚果超过 850 斤，比花育 25 号增产 25%以

一代杂交种。植株高约 110 厘米左右，株幅 95 厘米左右，门椒着生节位 10～12 节。果实粗羊角形，果长 12～15 厘米，果肩径 2.5～2.8 厘米，果皮光滑、嫩果绿色，干椒紫红，果实内皮红色，干椒色价值 13～17，微辣。 果实自然晾干速度较快，干椒果实外形、红色度和亮度俱佳，色素含量高，抗病性好，适于辣椒色素萃取加工。产量表现：在 2013 年全省干制辣椒品种区域试验中，平均亩产干椒 376.0公斤，比

红翠2号是从重庆地方脐橙优良品种凤园72-1中选出的晚熟芽变，具有果形美观、整齐、颜色深橙、果 皮光滑、果大等优良外观品质，又有肉质细嫩化渣、甜酸适口、风味浓郁、出汁率高、无有枯水等优良食用 品质，其成熟期在3月一5月，丰产稳产,抗逆性强，综合品质优良，是一个极具发展潜力的晚熟脐橙品种。 可以在奉节海拔300-500米处及生态气候相当的地区推广发展。本成果适宜在奉节及三峡库区海拔500米以下区域发展，无严格生产条件，规模化产业化推广应用需要 1000万元左右投入,主要是苗木繁育及果园基础建设。

产品详细介绍 产品介绍   超凡音质，无限自由 · Acoustic Clarity Technology（语音清晰技术）使之真正的体现出流畅交谈且无断句、失真或是其他问题 · 音质卓越 · 安装使用简便，和普通电话一样简单 · 增强的语音加码安全性 · 采用蜂窝移动电话进行拨号> · 与基座之间的漫游距离最远 150 英尺 · 软件可升级 独树一帜 · 通过业界领先的全双工技术，实现面对面一样自然的双向同步通话 · 动态噪声抑制技术（DNR），最大限度提高麦克风灵敏度，同时抑制室内/背景噪声 · 在 360 度麦克风拾音中融合智能混音技术，只有最接近发言者的麦克风处于工作状态 · 经过实践验证的 2.4Ghz 或 1.9Ghz 无线技术 · 可以在任何地点 - 甚至在没有电话线的房间里 - 自由召开会议 · 通话时间最长24 个小时 · 标准手机电缆，蜂窝移动电话瞬间既可连接到会议电话

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可以量产/n成果简介：天油杂2号是由不育系195A和恢复系 7-23选育而成，2004-2005年参加江西省油菜区域试验，亩产135.95公斤，比对照中油杂2号增产10.96％，增产显著，居试验首位；2005-2006年参加江西省油菜区域试验，平均亩产135.80公斤，比对照中油杂2号增产20.09％，达显著水平，居试验首位；两年平均亩产135.88公斤，比对照增产15.34％。两年平均含油量40.18％，硫甙含量为21.85μmol/g，芥酸含量为0。2007年通过江西省和重庆市品种审定，审定名称