将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大大提高ZnO纳米片的光催化性能，结果如下图所示，这主要归因于石墨烯量子点与ZnO纳米片形成p-n结，促进光生载流子的分离效率。 此外，将 N 掺杂石墨烯量子点与 TiO2 纳米片复合，构筑高效可见光催化剂， 可

产品详细介绍 产品名称： 高功率半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 12281271316产品信息： 产品名称： LCM-LL-250型 绿光微功率激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 61910274716产品信息： 产品名称： 375nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118957316产品信息： 产品名称： 蓝光405 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118956016产品信息： 产品名称： 蓝光473 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189545816产品信息： 产品名称： 绿光523 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118954116产品信息： 产品名称： 绿光532 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189525516产品信息： 产品名称： 黄光556nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189511616产品信息： 产品名称： 黄光561nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189501816产品信息： 产品名称： 黄光589nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118949416产品信息： 产品名称： 黄光593nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189474716产品信息： 产品名称： 红光635nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189455616产品信息： 产品名称： 红光639nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189445316产品信息： 产品名称： 红光 671 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189393016产品信息： 产品名称： 690 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189384116产品信息： 产品名称： 457 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118937916产品信息： 产品名称： 445 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189343316产品信息： 产品名称： 375 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189323116产品信息： 产品名称： 拉曼780 nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118929816产品信息： 产品名称： 785 nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118927716产品 产品名称： 808 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189252716产品信息： 产品名称： 830nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189233916产品信息： 信息： 【激光系列产品】 光纤激光器  多模泵浦激光器  激光二极管未封装bar  激光二极管冷却装置  激光器电源  氦氖激光器  CO2激光器  半导体泵浦激光器  氩离子激光器  氦镉激光器  氮分子激光器  皮秒激光器  激光二极管电源  激光光谱测量  激光能量计/功率计  激光雕刻、打标、切割机  激光二极管模块  深紫外、紫外固体激光器  超快飞秒激光器  热电制冷产品  激光光束定位系统  激光光束分析仪  视频显微镜测量系统  激光准直器  多通道激光功率计  半导体激光器  激光测距仪  红外激光显示卡  调Q激光器  激光护目镜  光学平台  光学调整架  光学微调架  可调嵌入式光学调整架  倾斜位移台  通用调整台  光学延迟线  手动位移台  XY位移台  光学旋转台  角位移调整台  激光器附件  可变光阑  扩束镜  拉曼激光器  大功率光纤耦合激光器  单模垂直腔面发射激光器  紧凑型氩离子激光器  新型氩离子激光器 

本发明涉及用于同时检测Cu2+,Pb2+,Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器.它对溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本发明可在江河湖泊,生物医学领域(如血液,体液),工业废水,中药,蔬菜,水果,茶叶等领域中对Cu2+,Pb2+,Cd2+同时进行定性和定量检测.

研发阶段/n天油杂2号是由不育系195A和恢复系7-23选育而成，2004-2005年参加江西省油菜区域试验，亩产135.95公斤，比对照中油杂2号增产10.96%，增产显著，居试验首位；2005-2006年参加江西省油菜区域试验，平均亩产135.80公斤，比对照中油杂2号增产20.09%，达显著水平，居试验首位；两年平均亩产135.88公斤，比对照增产15.34%。两年平均含油量40.18%，硫甙含量为21.85?mol/g，芥酸含量为0。2007年通过江西省和重庆市品种审定，审定名称分别为天油杂

本发明属于锂离子电池领域，更具体地，涉及一种碳包覆正交 晶系纳米棒状 Nb2O5 材料及其制备方法，该方法包括如下步骤：将油 酸和三辛胺按照比例混合均匀制得混合物 A；然后将一定量的铌酸铵 草酸盐加入到混合物 A 中搅拌得到溶液 B；将溶液 B 进行微波水热反 应；将步骤 3 中反应后得到的产物进行离心分离，得到固液混合物 C； 最后将固液混合物 C 放入管式炉中进行煅烧处理。将上述制备方法制 得的 Nb2O5 材料

本发明公开了一种源于东洋参的新化合物(2S,3S,4R,9E)  2 [(2′R) 2′ 羟基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其结构式为该化合物对胆固醇酰基转移酶具有选择性抑制的作用，能够有效用于预防和治疗血脂、动脉粥样硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究开发和应用前景；该化合物的制备方法步骤少及操作简便，得到的化合物天然无毒性。

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。

深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业，致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷，工程生产团队来自台湾，市场运营团队来自美国及中国，在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！

该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”，项目将LED照明与光通信技术等结合起来，形成新的技术模式，开发了集照明与光通信为一体的LED系统，设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元，LED室内调光调色照明控制器，基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等，实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品，具有很高的技术含量和高附加值，具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点，在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出，获得显著的社会效益，对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术，在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作，并取得突出的成绩，申请了相关的国家级自然科学基金项目，并已获批。