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可任意寻址操纵的超导量子计算机芯片设计及可行性论证
本项目提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。
一、项目分类
重大科学前沿创新
二、成果简介
提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。技术上已经实现了全国产设备工艺线上，芯片电路单元核心器件-约瑟夫森结和共面波导超导谐振器的自行设计制造，在极低温环境下完成了单元器件性能的标定和检验。
西南交通大学
2022-09-13
一种三相交流电机定子变极绕组的设计方法
本发明公开了一种三相交流电机定子变极绕组的设计方法，要 给定变前极极对数 p1 和变后极极对数 p2，选择槽数系数 k，由此确定 定子槽数 Z 后作两种极数槽号相位图，将 p1 槽号相位图按列等分为 120°相带，每相再去掉位于相带边沿的槽号，使得剩下的槽号为 5 的 倍数，然后按每相 3 条支路比率 1:2:2 分配这些槽号，对 p1 相位而言，比率 1 槽号位置在 120°相带中间，比率 2 槽号分为两组位于比率 1 槽号左右两侧，分别调整比率 2 两组槽号各自所代表线圈的匝数比， 使 3 条支
华中科技大学
2021-04-14
一种具备零直流电压故障穿越能力的 MMC 及其设计方法
本发明公开了一种具备零直流电压故障穿越能力的 MMC 及其 设计方法。综合半桥子模块成本低、运行效率高及全桥子模块可输出 负电平的优势，采用本发明所提出的零直流电压故障穿越方案，根据 半桥子模块与全桥子模块额定电压，并结合 MMC 直流侧额定电压及 交流侧相电压峰值，计算出半桥和全桥子模块配置个数；得到的 MMC 可在保证其能实现零直流电压故障穿越的前提下，有效降低变换器成 本及提高变换器的运行效率。本发明提出的技术方案并不局限于半桥子模块和全桥子模块的组合，还可以是半桥子模块和其它能在非闭锁 状态
华中科技大学
2021-04-14
一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法
本发明公开了一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法，包括如下步骤:(1)确 定温控防裂目标;(2)计算允许最高温度;(3)拟定温控方案，计算混凝土内部最高温度，在计算最高 温度≤允许最高温度的前提下，设计温控防裂方案。本发明方法的计算公式简单，能合理反映围岩性能、 衬砌结构尺寸、混凝土强度、洞内空气温度、通水冷却及其水温、浇筑温度等的影响，可以迅速计算出 门洞形断面结构衬砌混凝土施工
武汉大学
2021-04-14
城市轨道交通运营组织计算机辅助设计系统UMTOCADS
本系统已在中铁二院、中铁四院工程集团有限责任公司交通规划研究院投入运用。城市轨道交通运营组织计算机辅助设计系统是集数据维护、客流分析、车辆选型和列车编组方案比选、交路设计、行车计划编制、车站配线设计、能力计算等多功能于一体的城市轨道交通规划和运营组织管理工作辅助软件。可用于城市轨道交通规划和运营管理工作，适用于城市轨道交通运营管理和设计单位。
西南交通大学
2016-06-27
中科微知参与投资成立北京电子城集成电路设计服务公司
电子城IC设计服务公司成立后主要是负责集成电路设计产业园燕东园区的运营，包括引导企业入驻、提供科技服务等；将从技术、产业、资本等方面提供科技服务，加速核心技术转化成成熟产品从而满足市场需求的全链条加速孵化。
北京中科微知识产权服务有限公司
2021-02-23
预告 | 第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式
由中国高等教育学会、中华中山文化交流协会、北京歌华文化发展集团共同主办的第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式将于4月2日上午9:00-11:00以线上线下相结合的方式举办，在北京和昆山设主会场，江苏省以及大陆分赛区和台湾分赛区设分会场。
中国高等教育学会
2022-03-31
预告 | 第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式
由中国高等教育学会、中华中山文化交流协会、北京歌华文化发展集团共同主办的第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式将于4月2日上午9:00-11:00以线上线下相结合的方式举办，在北京和昆山设主会场，江苏省以及大陆分赛区和台湾分赛区设分会场。
中国高等教育学会
2022-03-31
关于第十届全国大学生光电设计竞赛有关事项的通知
第十届全国大学生光电设计竞赛
第十届竞赛组委会
2022-03-24
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10