本发明公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（1

本实用新型公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（10），实现

本发明涉及适用于致密油储层的压裂排驱液及其制备方法，该体系的动力学过程与压裂、排驱过程具有高度协同性，可为致密油储层大幅度提高采收率提供技术支持，属于油气田开发工程. 背景技术：我国致密油资源丰富，预计可采资源量约14～20亿吨，开采潜力巨大，鄂尔多斯长7和准噶尔吉木萨尔两大致密油区成功开发，预示着致密油将会成为我国原油供应的新生力量。但由于我国致密油孔隙度一般小于10％、渗透率一般小于0.1×10-3μm2，具有低孔低渗的典型特征。储集层喉道具有突出的微-纳米级孔喉系统特征，以鄂尔多斯盆地长7段致密油为例，储集层喉道半径主要分布于0.10～0.75μm。因此采用人工压裂措施，利用压裂液携砂在储层中形成人工缝网系统进行衰竭开采，由于基质致密难以将其中的原油驱至缝网，另外储层压力的降低，将导致缝网的闭合，阻塞油流。这是致密油衰竭开采产量递减快、采收率低、后续补充能量困难的主要原因，通常致密油的年产量递减>40％，甚至达到90％；致密油平均一次采收率仅为5％～10％。为了进一步提高致密油采收率，通过注入驱替流体，注气、注水等增产措施补充地层能量。注水可提高采收率，但注不进去，致密油储层岩石表面极性易形成水化膜，地层粘土矿物遇水膨胀，孔隙趋于闭合，导致注水压力迅速上升，注入量大幅度减小，地层能量未有效补充。注气的气源问题限制了其规模化应用。针对以上致密油开发手段遇到的难题，本发明创新地提出一种用于致密油储层兼具压裂和排驱双重作用的压驱体系及其使用方法，将压裂和增产两次措施缩减为一次措施即可大幅度提高致密油采收率。

与其它页岩气开发的压裂技术相比，本技术方案主要具备以下技术优势及创新性:(1) CO2 干法压裂技术开发陆相页岩气实现了低水耗。据美国国家环境保护局(EPA)统计，2010 年单口页岩气井平均用水量在 0.76×104~2.39×104t(取 决于井深、水平段长度、压裂规模)，采用 CO2 干法压裂技术开发国内陆相页岩 气可有效减少对于水的用量，不浪费水资源，不污染地下水。(2) CO2 干法压裂技术开发陆相页岩气对储层伤害小。陆相页岩气储层粘土 矿物含量高，水敏性较强，滑溜水压裂液对储层渗透率伤害严重，CO2 具有良好 的储层保护性能，无残渣，对裂缝壁面和导流床无固相伤害，无水相，消除了水 锁及水敏伤害。(3) CO2 干法压裂技术开发陆相页岩气实现了快返排，国内陆相页岩气储层 压力一般较低，压后返排困难，返排时间长，大量压裂液滞留于井下，CO2 干法 压裂技术压后 CO2 迅速气化，快速排出，返排时间短，返排效率高。(4) 采用 CO2 干法压裂技术开发陆相页岩气藏具有提高页岩气采收率和减 排的双重意义。页岩气藏中吸附气含量范围较宽，CO2 进入页岩储层中时，可有 效置换 CH4 分子，极大的提高页岩气藏的采收率;同时，CO2 可在页岩储层中永 久性封存，对于减少温室气体排放有着积极的意义。(5) 适用于陆相页岩气储层的 CO2 干法压裂液配方的筛选及优化。采用溶解 性及增粘实验筛选 CO2 增粘剂，并对不同工况下的改良的 CO2 干法压裂液的流变 摩阻、滤失特性进行研究，结合储层特征优化干法压裂液配方，最终形成适用于 国内典型陆相页岩气储层的 CO2 干法压裂液配方。(6) 陆相页岩气 CO2 干法压裂工艺设计。在不加砂、加砂两种状况下，针对 国内典型陆相页岩气储层，分析施工过程中裂缝延伸及支撑机理，对 CO2 压裂工 艺的管柱选择、施工排量、砂比等压裂施工参数进行优化，最终形成适用于国内 典型陆相页岩气藏的干法压裂技术工艺。(4)合作条件(1) 有独立承担民事责任能力的企业法人，具有良好的信誉基础和积极向上 的事业激情。(2) 有相应的投资能力，并且具备一定的市场开拓能力。(3) 有一定的启动资金和市场经验，具备较强的品牌经营意识。

本发明公开了一种基于神经网络模型 BP 算法的嵌入式矿压检测方法法，首先根据根据待检测区域的地域情况，采用多个振弦式压力传感器进行测量；然后 ARM7 处理器根据系统任务个数建立相应的进程；最后在建立的任务中打开定时器，输出一个固定在某一频率范围内的脉冲，经过驱动激振电路，产生一个能对振弦式压力传感器内部振弦起振的信号，同时使用 ARM7处理器对振弦式压力传感器返回的脉冲信号进行频率测量，计算得到压力值，最后，利用温度传感器采集振弦周围区域的温度，采用 BP 算法建立神经网络模型，利用神经网络模型对得到的各组压力数据及采集的温度数据进行学习，并根据神经网络模型找出压力随温度的变化规律，对振弦式传感器进行温度补偿。

轧机是生产成品金属材料的关键设备之一，轧机用交直交中压变频驱动系统是涉及到冶金企业核心制造能力的关键装备，在对功率半导体器件、大功率变流、高性能传动控制、轧机主传动系统集成等关键技术研究基础上，实现国产化的大功率交直交中压变频轧机驱动装备（5~40MVA，3300V）的工程化与产业化技术研究，主要关键核心技术包括：(1)系统集成技术与工程应用推广；(2)大功率变流装置研制；(3)高性能传动控制；(4)驱动系统与工艺控制功能融合等。系统电网侧功率因数保持为 1.0；静态调速误差≤0.01%，动态速降 0.25%s（100%转矩阶跃）。

本发明公开了一种压入硬度预测材料单轴本构关系的方法，在具有压头加载单元、变形检出单元和数据处理单元构成的压入硬度检测系统中，压头加载单元采用不同外形压头压入被测材料，变形检出单元检测出被测材料相应的变形并输入到数据处理单元以获得预测材料的本构参数E、σy、n，通过简单的压入硬度预测材料单轴本构关系，以实现材料和在役结构件的单轴本构关系的便携测量。

本发明公开了一种高压直流 MMC 在基频调制下的均压方法； 包括步骤 S1 在第 i 个基波周期的起始时刻，采集 N 个子模块的电容电 压；并在 N 个子模块中选出 x 个电容电压较大的第一子模块以及 y 个 电容电压较小的第二子模块，剩余的子模块为第三子模块；步骤 S2 通过第一驱动信号控制第一子模块在当前基波周期的终止时刻的电容电 压小于起始时刻的电容电压；通过第二驱动信号控制第二子模块在当 前基波周期的终止时刻的电容电压大于起始时刻的电容电压；通过第 三驱动信号控制第三子模块在当前基波周期的终

本发明提供一种电容分压器的误差校验方法，通过测量其比差 和角差实现对该电容分压器的误差校验，其特征在于，该方法具体步 骤为：将被测高电压由标准电压互感器变为适于数据采集的第一低电 压（U1）；将被测的电容分压器（4）所分出的电压转换为适合于数据 采集的第二低电压（U2）；将所述第一低电压（U1）和第二低电压（U2） 同时送入信号处理电路进行模拟和数字信号处理，获得比差和角差， 即可完成误差校验。本发明还公开一种误差校验系统以及其在电子式 互感器中的应用。本发明的方法和系统可以对电容分压器的比差和角

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。