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基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是:以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜,热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列;在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO,引出电极,在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极,将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低,工艺、设备简单;制得物适用光谱范围大,适合做光谱分析;还可以做光敏开关等光电器件,具有广阔的应用前景。
西南交通大学 2016-10-20
北京维意真空技术应用有限责任公司
北京维意真空技术应用有限责任公司,原名北京科立方真空技术应用有限公司,创立于2013年6月,主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分,是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的性的公司,公司拥有一支、产品技术工程师和维修技术工程师,具有丰富的行业经验。        公司于2016年初至2017年末,陆续投入大量研发资金,针对等离子增强化学气象沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备,以及附属配件进行了系统、深入的研发、改进工作。竭尽所能满足高校、研究所的教学、科研使用,同时减少相关进口设备的市场占有率,并力争创造外汇,打出中国创造的名牌!        我们的客户遍布国内各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域的实验室,期待您就是我们的下一位客户、朋友!        您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标!        维意真空,为您服务,唯你成就是我们的宣传口号!        技术创新、服务诚信是我们一直遵循的经营理念!        我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备供应商。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
北京知禾新创生物技术有限公司
知禾新创是安睿特旗下的子公司,知禾泰克是知禾新创旗下蛋白试剂品牌。 通化安睿特授予知禾新创代理资质,代理重组人白蛋白、重组人转铁蛋白等细胞培养基蛋白产品的市场推广和销售。 知禾泰克销售自产以及通化安睿特的产品。    
北京知禾新创生物技术有限公司 2024-07-31
中医药国际标准化研究中心项目-地下金属管线探测服务比选公告
中医药国际标准化研究中心项目-地下金属管线探测服务比选
上海中医药大学 2020-09-14
江苏省产业技术研究院发展促进条例
为了促进和保障江苏省产业技术研究院发展,推动科技创新与产业创新深度融合,培育发展新质生产力,助力江苏打造具有全球影响力的产业科技创新中心。
江苏人大 2024-12-12
北京华视恒通信息技术有限公司
北京华视恒通信息技术有限公司是智慧媒体数字信息化领域产品开发与系统解决方案品牌供应商,专注于为教育、广播电视、事业单位、企业提供智慧教育、智慧媒体、虚拟现实等领域系统集成、产品开发以及技术服务。 公司自主研发产品通过了国家权威机构严格的测试认证,通过ISO9001国际质量管理体系认证。公司拥有高新技术企业和软件企业认证。 公司提供完全自主知识产权的高科技产品,以科技创造财富,以实力创造品牌,已经成为教育信息系统的专业品牌设备提供商,专业解决方案提供商和服务商,为客户提供专业的解决方案和运维服务。 公司产品主要包括:虚拟数字人系统、3D快速建模系统、裸眼3D全息系统、XR虚拟演播室系统、互动教学系统、微课系统、优课系统、智慧教室、实训示教、分组教学、互动直播、智课平台、巡课系统等产品设备。 公司产品和服务被广泛应用于教育信息、广播电视、政府机构、企业、医疗等多种行业和机构,并与国内外多家企业建立了战略合作伙伴关系。公司凝聚了一大批具有使命感的高素质人才,积累了丰富的研发、生产和工程实践经验。
北京华视恒通信息技术有限公司 2024-06-20
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列;采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极,构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法,控制溅射时间,在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜,制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应,在360nm紫外光照射下,电压为5V时,明暗电流比为5.5×103,提高了一个数量级,同时具有更快速的响应和恢复时间,分别是0.883和0.956s。
东南大学 2021-04-11
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