产品详细介绍

产品详细介绍用途 　　DQM系列变频行星式球磨机是混合、细磨、小样制备、纳米材料分散、新产品研制和小批量生产高新技术材料的必备装置。该产品体积小、功能全、效率高、噪声低，是科研单位、高等院校、企业实验室获取微颗粒研究试样（每次实验可同时获得四个样品）的理想设备，配用真空球磨罐，可在真空状态下磨制试样。广泛应用于地质、矿产、冶金、电子、建材、陶瓷、化工、轻工、医药、美容、环保等部门。 工作原理    DQM系列变频行星式球磨机是在同一转盘上装有四个球磨罐，当转盘转动时，球磨罐在绕转盘轴公转的同时又围绕自身轴心自转，作行星式运动。罐中磨球在高速运动中相互碰撞，研磨和混合样品。该产品能用干、湿两种方法研磨和混合粒度不同、材料各异的产品，研磨产品最小粒度可至0.1微米（即1.0×10mm-4）。 技术参数 传 动 方 式：链条传动 控 制 方 式：变频控制 工 作 方 式：两个或四个球磨罐同时工作  最大装样量：球磨罐容积的三分之二 进 料 拉 度：土壤料≤10mm 其它料≤3mm 出 料 粒 度：最小可达0.1um(即1.0×10mm-4) 转速：公 转：    50-400转/分钟 　　　自 转：   100-800转/分钟 定 时 时 间:   1-999分钟 交替运行定时时间：1-99分钟 电 机 功 率：0.4L、2L、4L、0.75kw、220V、50HZ、16L、20L、5.5kw、380V、50HZ 特点： 链条传动克服了原皮带传动易打滑转速不稳定的缺点 *链条传动，即保持了链轮传动的稳定性，又克服了原皮带传动易打滑，转速不稳定的缺点。 *球磨罐采用单行星式运动，球磨效率高、粒度细。 *变频控制，可根据试验结果选定理想转速。 *整体一体具有定时关机、自动定时正、反转功能，能按需要自由选择单向、交替、连续、定时与不定时运行方式，提高研磨效率。 *一次实验可同时获得四种大小不同，材料各异的样品。 *重心低、性能稳定、结构紧凑、操作方便、安全可靠、噪声低、无污染、损耗小。 型号 规格 球磨罐 备　　注 规格（ml） 配备相应数量罐 数量（只） DQM-0.4L 0.4L 50～100 4 可配50ml真空球磨罐 DQM-2L 2L 50～500 4 可配50～250ml真空球磨罐 DQM-4L 4L 50～1000 4 可配50～500ml真空球磨罐 DQM-16L 16L 50～4000 4 可配50～3500ml真空球磨罐 DQM-20L 20L 5000 4 可配4000ml真空球磨罐 注：球磨罐材质 不锈钢、不锈钢真空、玛瑙、陶瓷、氧化锆、聚四氟乙烯、尼龙、聚胺脂、硬质合金等。每四只球磨罐为一套，每套球磨罐配备相应的球与垫片。

本发明公开了一种新型聚磁式盘式电机，包括定子和转子；定子包括定子铁芯和电枢绕组；转子包括三层结构，外层包括多块交替设置的外层永磁体和外层转子铁芯，中间层中对应外层转子铁芯的位置设有中间层永磁体，内层包括内层转子铁芯，外层永磁体为切向充磁，中间层永磁体为径向充磁，相邻外层永磁体充磁方向相反，相邻中间层永磁体充磁方向也相反，外层转子铁芯相邻的两块外层永磁体以及中间层永磁体的充磁方向均相对于外层转子铁芯向外或者向内，外层永磁体所占外层周长的比例为0.1～0.55。本发明有效提高了电机的空间利用率和功率密度。

复合功能脑深部刺激器及 MEMS 脑电极：本课题组针对 MEMS 脑电极及其配套脑起搏器极端制造技术中的诸多关键难题，开展了如下研究：环形脑电极的键合、封装等工艺，制造了环形脑电极样品；MEMS 硅基脑电极的结构设计及制造工艺、键合方法和封装工艺，制造了硅基脑电极样品；螺旋微导线和转接线的制造工艺，制造了样品；植入式颅内压传感器的制造和封装工艺，制造出颅内压微传感器样品；经皮无线能量传输供电的关键技术和方法，制造出稳定地无线供电装置；植入装置与体外控制装置之间的无线通讯方法研究及其实用装置；脑深部神经核团信号采集方法研究及其实用装置；植入式脑起搏器的封装工艺和方法。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

高速永磁电机由于电感非常小，在受限的逆变器开关频率下，电机电流纹波（主要为开关频率附近的谐波）较大，导致电机铁耗急剧上升，发热严重，缩短电机使用寿命。 本课题组针对高速永磁电机驱动中电流纹波大和共模电压的问题，对带LCL输出滤波器的高速永磁电机驱动进行了深入的研究，包括带有源阻尼的电流控制器设计、电容电压和转子位置观测。实验结果证明采用带LCL输出滤波器的高速永磁电机驱动，电机电流正弦度高，有效地降低铁耗，消除轴承漏电流。

本实用新型公开了一种带自动定位装置的扫描电镜样品台包括：样品仓，设有样品工作位；扫描单元，安装在所述样品仓内位于样品安装位的正上方，通过马达系统在X，Y方向上移动；交换仓，设有样品安装位，与所述样品仓连通，还设有样品进出口和交换仓门；移动导轨，在所述样品仓和交换仓之间传输样品；样品安装座，安装在所述移动导轨上，在所述样品安装位和样品工作位之间移动；交换杆，一端连接所述样品安装座，一端伸出交换仓；摄像头，安装在交换仓内位于所述样品安装位的正上方；控制器，设有导航模块，所述导航模块根据在样品安装座的图像上指定位置以控制扫描单元平移到对应的观察位置上。