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关于第64届高等教育博览会招商招展的通知
为贯彻落实《教育强国建设规划纲要（2024—2035年）》要求，展示高等教育改革发展成果，推进高等教育装备现代化，推动科技创新和产业创新融合，服务教育科技人才一体发展，中国高等教育学会决定在江西省南昌市举办第64届高等教育博览会.
中国高等教育学会
2025-09-04
制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置
本发明公开了应用混合型喷嘴喷印制造有机场效应晶体管的方 法，包括以下步骤：1)喷印 Gate 极；2)喷印介电层；3)成形导电单元： 混合型喷嘴喷出的液体在接收基板上沉积形成导电单元及覆在导电单 元上的油层；4)转印；5)制造连接电极层；6)组合封装。本发明工艺简 单，在混合型喷嘴制备完成的情况下，静电纺丝工艺实现简单，对环 境要求也较低；成本低，设备成本低，同时制造过程中均只需要一定 浓度的溶液，损耗少；精度、分辨率高，不需重复定位，而且静电纺 丝所得纤维器件均在微纳尺度，集成度完全满足电路要求；
华中科技大学
2021-04-14
一种内置钢管高强混凝土芯柱的FRP管混凝土异形柱的制作方法
（专利号：ZL 201310543403.6） 简介：本发明提供一种内置钢管高强混凝土芯柱的FRP管混凝土异形柱，属于土木工程技术领域。本发明制作方法为：（1）在钢管内部焊接加劲肋，然后在钢管内部浇筑高强混凝土，形成钢管高强混凝土芯柱；（2）在钢管高强混凝土芯柱外绑扎纵筋和箍筋；（3）在异形FRP管内截面拐角处，设置横向和斜向的FRP连接件；（4）在钢管高强混凝土芯柱和异形FRP管内浇筑混凝土，制成内置钢管高强混凝土芯柱的FRP管混凝土异
安徽工业大学
2021-01-12
基于光学超颖表面的多维信息复用防伪标识与加密技术
本成果将全息技术与位置复用、偏振复用、共形超颖表面、非对称传输、结构色、相变材料、轨道角动量调控等超颖表面相关特性相结合，设计出了多种基于光学超颖表面的多维信息复用防伪标识，为提升光存储技术的存储密度和防伪加密性能提供了新的解决方案，具有极大的设计优势和应用前景。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、技术分析
近年来，超颖表面作为一个新兴的研究领域发展迅速，其强大的波前调控能力和与生俱来的超薄、紧凑的性质非常适合应用于光学加密、防伪领域。为了推进超颖表面的实用化发展，增加其信息容量，项目组在超颖表面的多维信息复用领域做出许多努力。将全息技术与位置复用、偏振复用、共形超颖表面、非对称传输、结构色、相变材料、轨道角动量调控等超颖表面相关特性相结合，设计出了多种基于光学超颖表面的多维信息复用防伪标识，为提升光存储技术的存储密度和防伪加密性能提供了新的解决方案，具有极大的设计优势和应用前景。
基于光学超颖表面的多维信息复用防伪标识与加密技术信息容量大，能提供多层次的防伪特征；必须采用电子束刻蚀系统进行加工，设计制造难度高，极难仿制和伪造；面积小，外表精致，不影响产品或证件的外观；具有极高的唯一性，由于全息算法的特性，即使对应的全息再现像完全相同，也可以通过对比SEM图来从根源上避免伪造。该技术代表着未来光学加密、防伪技术的发展方向，可作为数据存储、模式识别、信息处理和光学加密的平台，有望在增强现实、智能手机等人机交互领域及防伪、信息加密等信息安全领域发挥关键作用。
北京理工大学
2022-08-17
一种动平台对地固定目标异构并行自动目标识别器
本发明公开了一种动平台对地固定目标异构并行自动目标识别器，所述目标识别器包括：交换式网络与至少一个处理部件，所述处理部件与所述交换式网络之间通过输入 FIFO 接口、同步存储器输出接口以及控制线连接，所述交换式网络用于动态链接不同的所述输入FIFO 接口和所述同步存储器输出接口，所述处理部件用于完成自动目标识别过程中所需的各种算法功能，所述输入 FIFO 用于缓存输入的待处理图像数据，所述同步存储器输出接口用于缓存待
华中科技大学
2021-04-14
XM-617C-1带数字标识脑干及下丘脑核团模型
XM-617C-1脑干及下丘脑核团模型（带数字标识）
XM-617C-1带数字标识脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件，显示脑干的形状结构和间脑神经核团，脑干部除可观察延髓、脑桥，菱形窝和中脑的形态外，还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位，间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑，在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：放大，14×11×22cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
喜迎二十大 | 管培俊：高质量的高等教育是亿万人民的期待
我们热切地期望二十大之后，我国高等教育的发展实现新的历史性跨越。
人民政协报
2022-10-12
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
一种基于分形维数的碳纳米管分散状态的数值化表征方法
本发明属于纳米复合材料制备及应用领域，具体公开了一种基 于分形维数的碳纳米管分散状态的数值化表征方法。该方法首先通过 获取分散体系中碳纳米管分散状态的扫描电镜图片，然后采用图像处 理软件(ImageJ)将所得扫描电镜图片进行二值化处理，再提取出图片中 单根碳纳米管或者碳纳米管团聚体的边界轮廓，最后利用盒子算法计 算处理后图片的分形维数，所得的分形维数值即是对碳纳米管分散状 态中丰富信息的定量化描述，从而实现分散体系中
华中科技大学
2021-04-14
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11