主要技术内容： （1）提出了基于神经网络的多电平 SVPWM 控制技术，研发了基于 FPGA 技术 的多电平 SVPWM 控制器，实现了塑料片材挤出装备驱动电源的高效性。采用神经 网络技术，实现参考电压矢量所在区域判断及矢量作用时间计算，降低了计算量； 将多电平 SVPWM 控制器集成到一片 FPGA 芯片上，为挤出装备用交流电机驱动控 制提供高性能的专用 SVPWM 控制器，可以直接与通用变频器对接。 （2）提出了分离型螺杆结合 CRD 分散混合器的高速螺杆技术，提升了挤出 效率及效果；研发了塑料片材挤出螺杆高频电磁感应加热装置，有效降低了挤出 机运行能耗。将常规三段式螺杆设计成五段式，改变了传统螺杆直径对挤出产量 的限制。在螺杆机筒外壁上缠绕电流线圈，线圈外再包覆隔热层，线圈两端连接 控制线圈电流的高频电源模块；在常规加热瓦加热的基础上，通过电磁感应原理 使螺杆产生热量，使得螺杆及螺杆机筒同时加热，缩短了机筒内聚合物塑化时间、 降低了能耗。（3）提出了面向塑料片材挤出成套装备运行过程的全息生产车间制造物联 感知技术，开发了成套装备运行的全息感知系统。构建了 RFID-WSN 数据采集集 成网络，提出了 LZM - WKPSO 优化算法，在保证覆盖率的前提下使干扰最小；借 鉴昆虫协作机理，提出了基于昆虫协作机理的源节点选择概率算法，最大化降低 了网络能量消耗。（4）提出了塑料片材挤出成套装备多目标柔性资源优化调度模 型，研发了塑料片材挤出装备精益管控软件平台，实现了成套装备的高效能运行。 建立了多目标柔性资源优化调度模型，采用重力粒子群混合优化算法进行求解。 按照 SOA 思想，设计了集成平台；开发了塑料挤出成套装备运行功能模块，并与 底层全息车间无缝集成，形成塑料挤出成套装备精益管控平台。 行业意义： 本项目针对高效能塑料片材挤出装备的关键技术取得了创新性成果，解决了 我国塑料片材挤出装备业目前普遍存在的高能耗、高污染、低附加值、低劳动效 率等问题，提升了塑料片材挤出装备的自动化与信息化水平，促进了塑料片材挤 出装备的自动化、信息化深度融合；完成了塑料挤出装备产业技术上的跨越式发 展，极大地推动了塑料挤出装备产业结构的优化升级，实现了产业结构由高消耗 向高效率的转变。 获奖情况：2015 年获中国商联联合会科学技术进步奖特等奖。 成果的技术指标、创新性与先进性: 目前市场上还没有完全一样的同类产品出现，国外主要有德马克、克虏伯、 巴顿菲尔,日本的住友重工等公司在致力于开发塑胶挤出装备产品，但是他们开 发的还是将单一系统的简单组合，无法从单机与成套装备精益化管控两方面集合 提高系统的能效。由于本项目是从单机关键设备能效优化设计和成套装备精益化 管控能效优化设计两个方面入手，开发料挤出成套装备，产品具有能耗低、效率 高等特点。综上所述，本项目产品目前拥有先入的一定优势，竞争对手在技术方 面无法与本项目产品直接竞争。 本项目产品具有如下技术和性能优势： （1）螺杆的速度从同行的 100 转/分钟提高到 200 转/分钟，挤出量从类技 术的 200kg/h 提升 400kg/h；挤出效率的提升导致能耗降低 10%左右；同类技术 目前直径 105mm 的螺杆需要配置 115KW 左右的电机，而本项目技术只需要配置 90KW 左右的电机，降低了能耗。 （2）螺杆高频感应加热装置使得加热系统能耗降低 15%左右；（4）克服了同类技术在高速混合挤出时混合效果差导致温度不均衡、色差 大等问题，提高了制品的品质； （5）生产工艺数据自动数采率 95%以上； （6）生产效率提高 30%左右；优等品率提高 20%；产能提高 1.5 倍； （7）填补国内针对塑料挤出装备生产过程的精益化生产软件的空白； （8）本项目实现生产流程的闭环优化，现有的 ERP、MES 系统则为开环控制； （9）本项目的软件平台有效提升了塑料挤出成套装备的附加值。 技术的成熟度: 相关技术已经形成产品，在广东达诚机械有限公司及其下游企业进行了产业 化。 项目成果转化造价：130 万元； 投资预算：硬件成本（不包含塑料片材挤出机本体部分）85 万元；软件开发 45 万元。 成果应用范围：塑料包装行业、包装机械行业。 应用案例及单位：成果在广东达诚机械有限公司等行业龙头企业进行了产业 化，并在广东、江浙等地区的 10 多家塑料企业进行了推广应用。 经济和社会效益： 项目成果能够有效降低能耗 25%，提高生产效率 30%左右，使得企业投资效 益大幅度提升。近 3 年来，据不完全统计，累计新增产值约 67206 万元，新增利 润 5040 万元，新增税收 2872 万元。项目成果解决了我国塑料片材挤出装备业目 前普遍存在的高能耗、高污染、低附加值、低劳动效率等问题，提升了塑料片材 挤出装备的自动化与信息化水平，促进了塑料片材挤出装备的自动化、信息化深 度融合；完成了塑料挤出装备产业技术上的跨越式发展，极大地推动了塑料挤出 装备产业结构的优化升级，实现了产业结构由高消耗向高效率的转变。 

本发明公开一种超大长径比深孔类零件的金属增材制造方法， 首先通过金属增材制造沉积一层金属，然后铣削成平面，最后钻孔加 工孔径，形成“沉积金属，铣削平面，钻孔成形”的工艺过程。其特 点是在增材制造每层金属的过程中进行深孔的加工，变深孔加工为厚 度约 1～3mm 的浅孔加工，因而可以有效地解决直径小到 1mm 的超大 长径比深孔无法加工的问题，避免了传统深孔加工中切削散热难、刀 具易走偏等技术难题，制造成本较低，零件成形

本发明公开了一种适用于复杂零件的固熔复合增材成形方法， 该方法包括以下步骤：建立金属零件 CAD 几何模型，然后提取 STL 模型，利用分层切片软件以分层厚度为单位对 STL 模型进行合理分层 并提取各层的轮廓信息，由计算机根据这些轮廓信息生成控制指令； 通过切割装置用该层对应的数控指令沿该层的轮廓轨迹切割该层板 料；按照各层的排列次序通过焊料依次将各层板料进行粘合，以此完 成整个零件的粘合处理；粘合处理后的整个零件进行加热，以实现固 熔复合熔接成形，以此方式，完成复杂零件的增材成形。本发明与现 有

成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时 会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度 系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻 靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后 ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议 2 半导体微环激光器 3 基光电集成电路 4 无线网络与应用：协作无线网络 5 移动通信—LTE 技术

一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/：发明授权 简介：本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法，其将纯度为 99.99％以上的金属镓原料溶解于酸中，配制澄清 的镓盐溶液，加入沉淀剂产生沉淀物，将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体；用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料，经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯，将生坯放在 高温炉

本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构，使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域，以大幅度减少金属粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸，该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板，实现了针对不同金属构件

本发明公开了一种梯度温度场主动调控系统及其控制方法，系 统由温度场监控系统、加热系统和控制系统；温度场监控系统用于测 量成形区域 XOY 平面及四周的温度场信息，将获得的温度场信息进行 量化处理后反馈给控制系统，加热系统根据控制系统指令对成型缸的 底部和四周进行温度场的分区独立实时调节，以实现在加工过程中整 个加工区域的温度场恒定，保证已加工区域与未加工区域处于合理的 温度梯度，避免热应力导致构件翘曲、变形、开裂。本

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

一种底板带压浆装置的吸力式沉箱基础，包括负压筒和压浆装置，负压筒的下端开口，负压筒的上端设有封盖，封盖上设有导缆孔、排水阀与引线孔，排水阀、引线孔与负压筒的内腔连通；负压筒内设置有若干层十字钢板，十字钢板处设有交叉式压浆管道；交叉式压浆管与竖向压浆管连接，竖向压浆管上部穿过引线孔与压浆装置相连，底层竖向压浆管道沿负压筒外壁对称布置，其他各层竖向压浆管道沿负压筒内壁对称布置，且内外竖向压浆管道设有保护性钢管；竖向压浆管道不开设注浆孔洞，交叉式压浆管道开设多个压浆孔洞。本发明可以通过筒内筒底的注浆加固作用，使浆液与十字板固结成整体，增加负压筒内土体的重量及端阻力，从而提高了吸力式沉箱基础的承载力。