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一种用于无源超高频 RFID 标签芯片的解调电路
本发明公开了一种用于无源超高频 RFID 标签芯片解调电路， 包括整流电路、取包络电路、低通滤波电路、均值产生电路、比较器、 整形电路、使能控制电路、偏置电路。整流电路由主级和辅助级构成， 采用阈值补偿实现，取包络电路在使能控制电路控制下提取包络，低 通滤波电路直接采用 RC 结构，均值产生电路由运算放大器、二极管 和电容构成，利用峰值检测的原理实现，比较器采用开环的运算放大 器实现，整形电路由两个级联的反相器构成，
华中科技大学
2021-04-14
一种地源热地埋管的防护固定装置
本实用新型提供了一种地源热地埋管的防护固定装置，属于地源热地埋管领域，包括U形弯管和推杆；所述U形弯管下侧横管中间位置套有套管，套管对U形弯管起到防护作用；所述套管上侧壁左右两侧竖直固接有伸缩棒；所述左侧伸缩棒上端固接有套环，左右穿透；所述左侧套环横穿有Y形固定锥杆且Y形固定锥杆的开口向左，正对着U形弯管的竖直管；本实用新型的套管对U形弯管起到防护作用；伸缩棒根据U形弯管所在深井的深度上下收缩调节长度；当左侧的Y形固定锥杆滑至最左端时，下滑螺纹长杆，转入连接块上的螺纹孔内，固定住伸缩棒的长度，从而通
安徽建筑大学
2021-01-12
技术需求；基于物联网、大数据、云平台的社区风险源的评估
基于物联网、大数据、云平台的社区风险源的评估，日常监控和处置，采用物联网+运行服务的商业模式。需要相关大数据计算和云平台技术研究及支撑。
青岛科恩锐通信息技术股份有限公司
2021-06-15
强化冬季削减农田面源污染的保温型生态浅沟构建方法
本发明公开了一种强化冬季削减农田面源污染的保温型生态浅沟的构建方法，该浅沟能够在冬季增强生态浅沟在冬季对农田面源污染的治理能力。其构建方法包括以下步骤:步骤1：用板材模拟建造生态浅沟，纵向从上至下分为三层，上层土壤层，为植物种植区；中层填料层，为火山石填充区；下层垫层，为砾石填充区，每层之间用土工布分隔，将生态浅沟沿长度方向用隔板均分为3个隔间；步骤2：对生态浅沟进行保温处置：用厚泡沫保温材料粘贴于浅沟四周及底部外表面；在浅沟四周罩上加厚白色透明农膜,顶部农膜高出浅沟表面1.2m-1.8m，农膜与地面接触处的缝隙用木板压实；每日中午温度较高时揭开农膜对浅沟换气，下午3点后重新覆盖，如此循环。
南京工业大学
2021-01-12
一种用于产生多源声发射模拟信号的断铅装置
本实用新型公开一种用于产生多源声发射模拟信号的断铅装置，尤其涉及声发射无损检测实验中，用于产生多个声发射模拟信号的一种铅笔芯折断装置。本实用新型中夹紧装置、推力螺栓安装在基座上，支撑架安装在支撑底板上，推力螺栓头伸入支撑底板的孔中；使用时夹紧装置将铅笔夹紧固定，调整支撑架的位置使其与夹紧装置对正，此时将推力螺栓旋入基座螺纹孔中直至从另一侧露出，将支撑底板安装于推力螺栓上，继续转动推力螺栓使支撑底板上升，铅笔被同时折断，得到多源声发射模拟信号。本实用新型能够模拟声发射无损检测实验中的多源信号，克服了
长沙理工大学
2021-01-12
一种单喷头多料源生物3D打印装置及其方法
本发明公开了一种单喷头多料源生物3D打印装置及其方法，属于组织工程和生物3D打印领域。包括电机固定座，电机，主动齿轮，固定转轴，转盘合件、喷头体、单向连接阀，弹簧片和进料管连接头等结构，固定转轴安装固定，电机通过齿轮传动带动转盘旋转，转盘上单向连接阀通过2个弹簧片夹持压住，且单向连接阀与喷头体有一高度差△h，当单向连接阀转到喷头体处时，喷头体将单向连接阀顶起，并顶起钢球将喷头体与单向连接阀连通，弹簧片弹起将单向连接阀压住，同时生物材料通过进料管连接头进入，实现打印过程。通过转盘旋转可切换打印材料，实现单喷头多种生物材料的打印。其优点是：结构简单巧妙，降低成本，易于实现灵活控制，大大提高打印效率。
浙江大学
2021-04-13
一种自适应增量式的深层网络数据源发现方法
本发明公开了一种自适应增量式的深网数据源发现方法，将深 层网络数据源发现过程分为站点定位和站内搜索两个阶段，在站点定 位阶段引进站点发现机制可以高效扩充站点数据以提高爬行效率；在 站点和站内链接选取采用自适应的排序机制，能够更快的发现深层网 络站点和可查询表单。本方法实现了增量自动高效采集深网数据源， 可用于深层网络数据集成和暗网爬虫，同时也适用于构建在线数据库 目录站点。
华中科技大学
2021-04-14
“思政引领·科技策源·突破圈层” 的创新创业教育改革升级
华东理工大学自上世纪80年代即鼓励研究生、大四学生参与校办企业运行，2006年起开设《创业规划》课程、成立“勤工助学集团”、建设校企联合基地。
华东理工大学
2022-08-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10