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高等教育领域数字化综合服务平台
表面磁光克尔效应综合实验仪 COC-SMOKE
简介
在外加磁场的作用下，物质的光学性质会发生改变，这就是磁光效应。磁光效应主要包含磁光克尔效应、法拉第磁致旋光效应、科顿 -
穆顿磁致双折射效应。本实验系统利用一套可以进行自由组合的实验装置，通过搭建不同的测量光路来实现对这三种完全不同的磁光效应
的测量。具体实验内容为：测量镍薄膜的磁光克尔旋转角、测量蒸馏水的法拉第旋光系数、测量磁流体的磁致双折射（科顿 - 穆顿效应）
的 o 光与 e 光的折射率差，其中前两部分作为基础性实验内容开展面上实验，第三部分作为研究性实验内容可供在现有实验基础上开展研
究性实验。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
分布式小型光伏电站系统设计仿真实训
本仿真实训要求学员根据常见60KW以下小型分布式光伏电站项目需求书要求，到现场进行测量、采集项目所需数据，然后回到办公室使用设计软件进行项目设计，并且做出系统分析结果、施工图以及施工材料清单。
1.1. 场景设计
虚拟场景包括办公设计场景，楼顶建筑场景；
场景模型主要包括：办公室建筑模型、办公家具、办公设备、长度测量工具、方向测量工具、楼顶建筑模型等
设计软件模拟包括：阴影阵列分析软件、CAD制图软件、倾角分析软件、系统分析模拟软件
1.2. 互动设计
在办公室里使用电脑了解项目需求书，根据提供的信息收集项目所在位置的地理与环境信息
到现场使用长度与方向测量工具测量设计所需数据
回办公室使用各种专业设计软件对该项目进行系统设计。
广东顺德宙思信息科技有限公司
2025-06-02
关于举办建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“高校实验室建设与发展”的通知
高等教育强国建设是实现国家长远发展、提升国家综合实力、构建和谐社会的重要基石，是实现高水平科技自立自强的重要支撑，高校实验室管理工作是高等教育强国建设中的重要环节，其管理水平直接影响到高等教育的质量、科研创新能力以及人才培养的效果。
中国高等教育学会
2025-04-28
关于举办建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“现代职业教育体系建设”的通知
经教育部批准，中国高等教育学会决定在吉林省长春市举办“建设教育强国·高等教育改革发展论坛”（以下简称“论坛”）。论坛由1个主论坛和14个平行论坛组成，“现代职业教育体系建设”是平行论坛之一。
中国高等教育学会
2025-04-28
关于举办建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“就业育人新范式与新生态”的通知
经教育部批准，中国高等教育学会将在吉林省长春市举办“建设教育强国·高等教育改革发展论坛”（以下简称“论坛”）。论坛由1个主论坛和14个平行论坛组成，“就业育人新范式与新生态”是平行论坛之一，由教育部高校学生司（高校毕业生就业服务司）指导。
中国高等教育学会
2025-04-30
关于举办建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“城市与高校融合发展论坛”的通知
经教育部批准，中国高等教育学会决定在吉林省长春市举办“建设教育强国·高等教育改革发展论坛”。论坛由1个主论坛和14个平行论坛组成，“城市与高校融合发展论坛”是平行论坛之一，旨在深入学习贯彻党的二十届三中全会精神，落实教育、科技、人才三位一体战略部署，积极探索城市与高校协同创新、协同联动、融合发展的新思路、新理念和新机制，在推动东北全面振兴中实现创新驱动发展的同频共振、价值共创，积极构建新时代城校共同体。
中国高等教育学会
2025-05-06
欢迎报名 | 平行论坛“‘四新’2.0建设与创新人才培养”新农科2.0建设与创新人才培养论坛
平行论坛“‘四新’2.0建设与创新人才培养”新农科2.0建设与创新人才培养论坛报名
中国高等教育学会
2025-05-19
欢迎报名 | 平行论坛“‘四新’2.0建设与创新人才培养”新工科2.0建设与创新人才培养论坛
平行论坛“‘四新’2.0建设与创新人才培养”新工科2.0建设与创新人才培养论坛报名
中国高等教育学会
2025-05-19
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10