|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种高功率光纤激光器包层光滤除装置
本发明公开了一种高功率光纤激光器包层光滤除装置，该装置 包括一段或多段双包层光纤，其中此双包层光纤沿激光输出方向按剥 除面积由小到大而间隔地对保护层和外包层进行部分剥除，使内包层 裸露出来，将滤光材料涂在裸露内包层上，并且将上述滤光装置固定 在散热金属材料及水冷板上。本发明对光纤结构破坏较小，滤光均匀， 避免了非均匀滤除时，某些滤除点温度过高的现象，提高了系统的稳 定性。
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测收光测试方法
本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测的收光方法，该收光 测试方法包括如下步骤：待测试芯片被移动至积分球收光口的上方； 设置于积分球下方的积分球升降装置向上运动，使所积分球的收光口 对准所述待测试的倒装 LED 芯片的发光侧，并且使设置于积分球收光 口处的板片贴紧装载待测试倒装 LED 芯片的盘片。按照本发明设计的 收光测试组件，能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的 问题，具有高的收光精度，尤其与倒装 LED 芯片在线检测装置配合使 用，能够显著提高性能，实现倒装 LED 芯片的
华中科技大学
2021-04-14
一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法
本发明涉及一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法。所述的钙钛矿薄膜光伏电池是由导电透明衬底、 钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成的。本发明的优点是：该钙钛矿薄膜光伏电池器件结构极其 简单，省去了传统的需要高温烧结的电子传输层，也不需要多孔层，钙钛矿材料本身既做吸光层也起电 子传输作用，所以不需要电子传输层。这里的钙钛矿材料对光具有非常强的吸收，整个电池也是低温制 备，不需要高温烧结等复杂过程，这有效地降低了电池的制作成本。对电池的柔性化和大面积
武汉大学
2021-04-14
一种简易式光伏-光热-热电综合利用系统
（专利号：ZL 201510161810.X） 简介：本发明公开了一种简易式光伏-光热-热电综合利用系统，属于太阳能利用领域。本发明包括支撑架、聚光装置、集热发电组件和热水收集装置，所述的聚光装置和集热发电组件安装在支撑架上，聚光装置中装有平面反光镜，所汇聚光线照射在集热发电组件外表面，集热发电组件中设有集热水箱，该集热水箱通过输水管与热水收集装置连通，在水箱两侧分别设置有发电用光伏组件和热电组件。本发明简化了集热发电组件的内部构造和系统
安徽工业大学
2021-01-12
茶园的基于光伏板发电的大面积遮光装置
本实用新型公开了一种茶园的基于光伏板发电的大面积遮光装置，包括多个竖直支架，在各竖直支架的顶端均设有太阳能光伏板，各太阳能光伏板的下端均设有集水槽，驱动钢索环绕于两边侧的换向轮上，竖直支架上设有驱动轴，驱动轴上设卷线套筒，相邻的竖直支架之间均设有遮阳网，遮阳网右端固定连接在相应的竖直支架上部，左端连接在滑动杆件上，各滑动杆件通过各自的拉杆夹固定于钢索上，在遮阳网的下面设有托幕线，在遮阳网的上面设压幕线，定位导向夹中部的夹子夹设于滑动杆件上、上部的孔穿设所述压幕线、下部的孔穿设所述托幕线。本实用新型适合大面积使用，收放灵活、快捷，且能够有效利用阳光进行发电，收集雨水用于茶园灌溉。
浙江大学
2021-04-13
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;
华中科技大学
2021-04-14
XM-512消化管道构造模型(胃肠光镜模型)
XM-512消化管道构造模型（胃肠光镜模型）
XM-512消化管道构造模型(胃肠光镜模型)由胃底部结构模型、小肠（十二指肠、空肠和回肠）结构模型、消化管结构模型3部件组成，示胃与小肠的粘膜、粘膜下层、肌层、外膜四层结构以及消化管的血管、淋巴管、神经和消化管肠绒毛的光镜结构及肠绒毛组织特征。
尺寸：放大
材质：玻璃钢材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
NK3000 Mini-PRO OTDR 迷你PRO光时域反射仪
青岛诺克通信技术有限公司
2021-09-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10