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单面弧型绿板
产品详细介绍
天津市教学办公用品厂
2021-08-23
均质刨花板
1、原生料制作，环保等级高，E1级、E0级产品配套，
2、内部为均质结构，各部方向的性能相同，承重力好；
3、刨花板表面平整，经过10道砂光工序，可直接贴饰面材料。
4、均质板材，容重均匀，便于加工制作，板材稳定性好。
5、全自动化生产设备，加工精度高，厚度误差小，
6、芯材全部施蜡，防水性能高。
7、高质原材料，多层筛选，刨花形态好，板材质量均匀。
8、有良好的吸音和隔音、隔热性能；
山东欧泰装饰材料有限公司
2021-09-01
均质刨花板
山东欧泰装饰材料有限公司
2021-09-01
微光量子教学板
产品规格：高度≥1.2m，宽度可根据需要任意选择（1.2m~4m），整板无拼接。
产品优点：
1.拥有独家开模大尺寸，可直接替代投影幕布（独家无边投影板是投影机最佳拍档）。投影成像色彩柔和，无光斑，一体化设计，可在投影区域直接手写或笔写。
2. 保护学生视力，缓解视觉疲劳，环保书写最佳方案。采用特殊米黄板面材料，色谱波长在500~700纳米之间，科学证明该波段为人眼视网膜最能接受色谱段。
3. 无粉尘性，环保教学，实现100%无尘教学。从而彻底杜绝电子设备因粉尘而导致的使用故障，延长配套电子设备使用寿命。
4. 更适于水墨书写湿擦教学。板面经过5层静电喷涂而成，解决了普通黑板亲水性，吸附性，摩擦力等问题。
5.板面书写流畅，耐磨，不打滑。
产品特性： 高质量版面材质，硬度≥9H，光泽度≤16GH，背板采用厚度为0.4mm镀锌钢板。
西安东康实业有限公司
2022-09-15
数模混合集成电路设计产品
模数转换器（ADC）芯片，是绝大多数电子系统中必不可少接口部件，进行了高速ADC结构、高性能运算放大器、高速采样保持、高精度基准电压源等方面的研究与设计，已经完成了10位40MSPS的高速高精度ADC芯片的色伙计与流片。
东南大学
2021-04-10
高频高功率密度GaN栅驱动电路
作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。
电子科技大学
2021-04-10
一种双钳位取电电路
本实用新型涉及一种双钳位取电电路，由二极管D1、共模电感L1、稳压二极管Z、电阻R、三极管Q及电容C构成，其二极管D1依次与共模电感L1、第三三极管Q3串联，第三三极管Q3的输出端连接第一电容C1、第二电容C2，其第一电容C1与第二电容C2之间为并联，其二极管D1与共模电感L1之间连接一保险丝F1，本实用新型的有益效果为：通过该取电电路，使得输出电压范围在18～36V之间，为后续的DC-DC芯片提供稳定范围的电压，减少因电源的波动造成系统的不稳定以及系统芯片的烧毁。
安徽建筑大学
2021-01-12
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13
抗总剂量效应存储单元电路
本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由 PMOS管构成，包括：第一、第二 PMOS 管，第三、第四 PMOS 管和第五、第六 PMOS 管；第一、第二 PMOS 管为上拉管，第三、第四 PMOS管为读出访问管，第五、第六 PMOS 管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
华中科技大学
2021-04-14
一种无线充电电路及其控制方法
本发明公开了一种无线充电电路及其控制方法；电路采用磁耦 合式无线输电技术，主要包括直流电源、原边高频逆变单元、原边串 联补偿单元、功率发射线圈、功率接收线圈、副边串联补偿单元，不 控整流单元、负载和功率控制器单元。该发明以原边电流为反馈量， 采用基于变步长扰动观察法的最大功率跟踪控制方法，自动调节电路 工作频率，使得电路实时工作在电路频率分裂点上，从而实现传输功 率的稳定输出。当功率收发线圈的偏移距离在一定传输范围内，此发 明保证在原副边不通信的情况下，无线输电电路负载端能够获取稳定 的最大功率，不
华中科技大学
2021-04-14