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空间光波束智能开关
该项目以大规模集成电路液晶硅处理器作为核心器件以及基于其空间光波束智能开关功能设计建造了两个准样机实验系统，其一是针对高性能计算机应用的高速集成光互连组件，其二是光通信网络中使用的节点开关 ROADM（可重构光上下路复用器）。互连损耗~6dB、 串扰≤-36dB、 传输数据率 10Gbps、 高稳定性、 高性价比。
扬州大学
2021-04-14
一种真空触发开关
本发明公开了一种真空触发开关，包括密闭壳体；密闭壳体的 两端分别设有阴极和阳极，阴极包括阴极导杆、阴极触头和阴极触头 片，阳极包括阳极导杆、阳极触头和阳极触头片；阴极导杆和阳极导 杆均为中空的圆筒形，其上有螺旋状开槽；阴极触头和阳极触头均为 杯状结构，杯壁为圆筒形，杯底中心开有圆孔，杯壁上有螺旋状开槽； 阴极导杆和阳极导杆分别与阴极触头和阳极触头的杯底同轴紧密连 接，阴极触头和阳极触头的杯口分别与阴极触头片和阳极触头片紧密 连接。该开关避免了由于电弧集聚所带来的电极烧蚀问题，能有效阻止电弧中的金属等
华中科技大学
2021-04-14
超快激光全光开关
哈尔滨工业大学
2021-04-14
大功率开关电源
本成果为大功率高性能智能化的直流电源，可广泛用于工业生产各个领域，主要用作通信、电站的直流充电电源，也可用于电解、化成、电镀、焊接、电加热、电火花加工电源。采用高频开关技术，具有体积小，重量轻的优点；采用电流模型PWM控制，精度高、动态性能好；采用单片机为核心的智能控制电路，操作简单方便；具有通信接口，可以遥控遥测。最大功率10KW，输出电压系列40～32
西安交通大学
2021-01-12
Dwyer A3000差压开关
产品详细介绍使用固态技术3000MR 3000MRS Photohelic® 开关/表，把高精度、高重复性差压开关功能与大口径表盘便于读数的模拟压力表功能结合在一起,它们仍采用久经考验的Magnehelic®设计原理.通过仪表面板的旋钮可以设置不同压力范围.压力读数不受开关操作影响, 即使在电流突然中断的情况下，也能准确读数。固态设计大大减小了体积和重量.仪表可埋头安装于4-13/16″(122mm)孔内或通过附件进行表面安装.3000MRS采用银制镀金触点电子机械继电器,适用于于干燥电路,当需要高频动作时, 请选择具有SPST(N.O.)固态继电器3000MRS型. 所有型号都提供高、低限控制和同时附带18英寸（45cm）的电缆线。
这种表的精度当满量程时是±2%， 开关重复性是±1%. 开关死区是一个指针宽度--少于满量程的1%. 可以用于空气和其他非燃、无腐蚀性气体， 它们也可以用于压力高达25psig(1.725bar)的系统中。中压型35 psig(2.42bar)或高压型80 psig (5.51bar)亦可提供选择。
携带附件
安装环，卡环
2个3/16"管到1/8"NPT转接头
2个1/8"NPT堵头
4个6-32 x 1-1/4" RH 螺丝(面板安装)
3个6-32 x 5/16" RH 螺丝(表面安装)
上海进申工贸有限公司
2021-08-23
FS5系列流量开关
产品详细介绍产品名称: FS5系列流量开关产品型号: FS5一般应用,性能可靠输出:SPDT,7.4A@120VAC,3.7A@240VAC流体温度范围:0-107°C最大压力：10.5Kg/cm2最大流速:3m/s适合管径：1",3/4"连接：1",3/4"NPT/BSPT其它型号:FS5-3/4,FS5-D-3/4,FS5-J-3/4,FS5-1,FS5-D-1,FS5-J-1,FS5-S-1,FS5-DS-1
深圳市德威达科技有限公司
2021-08-23
新型含碲光电功能晶体及器件
"以α-BaTeMo2O9为代表的含碲的化合物是一类新型光电功能晶体，在偏光、声光、拉曼等光学领域内具有重要的应用价值。此类化合物具有透光宽，双折射大，易生长，物理化学稳定等优点，是偏光和声光器件的优选材料。 山东大学在该系列晶体生长和器件的研究方面具有独立的知识产权，可以生长出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高质量（光学均匀性≤10-5）的单晶；并在器件的制作中突破了国际上单轴晶体的限制，偏振棱镜消光比>30000:1，达到高质量冰洲石器件水平；声光调Q器件衍射效率>84%，高于同等条件下的TeO2器件。晶体生长处于世界领先水平，器件设计具有国际、国内专利，总体水平处于国际领先。该成果获得教育部自然科学二等奖，主要用于先进光学及其电学领域，如医疗、军事、激光加工、激光雷达、激光探测等。据统计，目前国内声光调制器件和偏光器件总产值约为2亿元。而现有的材料已经不能满足相应研究和产业的需求。作为新型光电功能晶体及其器件，在满足现有要求的基础上，填补了此类材料和器件在中红外波段内的国际空白。此外，独立的知识产权有利于产品推广，具有重要的社会和经济效益。 "
山东大学
2021-04-10
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14
氯化铯晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23