高低压开关综合测试台主要用来检测不同电压等级的馈电开关的各种性能参数，其中包括馈电开关的过流保护、过压保护、漏电保护、欠压保护以及绝缘电阻检测等，并且能够对不同电压等级的馈电开关进行故障检测，除此之外还对外提供了 AC36V、AC0-100V 与 DC0-100V 控制电压和 DC5V、DC12V 开关电压、还可以输出 0 到 99.9KΩ的可调电阻。

小试阶段/n短路电流过大已经成为制约现代电力系统发展的技术瓶颈之一。有效限制短路电流不仅可解决电力系统短路容量超标问题，而且还可能大大降低电网中各种电气设备如变压器、断路器等的设计容量标准。本成果基于超导线圈失超与电感解耦，可有效限制故障短路电流，采用超导材料提高线圈耦合度、降低稳态阻抗，且利于设备小型化。该成果适用于交直流电力系统，限流率可达到50%，响应时间在毫秒级，能灵活配合系统的重合闸，具有自稳定与自保护能力

产品详细介绍产品名称:  Dwyer空调压差开关(ADPS系列) 产品型号:  ADPS       应用 监测空气、非腐蚀性气体介质的压力和压差，可以应用在如下领域： •净化空调和洁净室 •智能建筑风机空调过滤网 •环境保护 •风扇和吹风控制 •过滤器和吹风控制 •流体和液位控制 •气体流量控制   型号 使用一个带量程刻度的旋钮，调整压差传感器的压差设定值:   型号 压力可调整的上限从到 ADPS-01-2-N 20 ~200Pa ADPS-04-2-N 30~400Pa ADPS-03-2-N 50 ~500Pa ADPS-05-2-N 200 ~1000Pa ADPS-06-2-N 0.5  ~2.5KPa ADPS-07-2-N 1K ~4KPa       压差开关应用于垂直安装，我们推荐应用接口朝下的管连接，如果开关是带AMP接头的水平安装，压差值可能比实际值高出20Pa。   最大工作压力  所有范围都是10KPa   介质  空气、非燃烧和非腐蚀性气体   温度范围 介质和环境温度从-20~85℃ 存储温度-40~85℃   隔膜材料 硅树脂，温度为200℃   压力连接 2个塑料管连接片P1和P2，外径6mm， P1连接高压，记号为+ P2连接低压，记号为—   外壳材料 本体为PA6.6 外壳为PS   重量 带外壳：150g 不带外壳：110g   机械工作寿命 超过100万次开关   电气额定参数 标准型号：max.1.0A(0.4A)/250VAC 低压型号：max.1.0A/24VDC   电气连接 AMP浮子插入6.3mm×0.8mm，DIN标准：46244，或者按键式螺纹端子。 电缆PG-11或者M20×1.5      防护等级   IP54，带外壳   认证 CE认证的低压电气设备的73 / 23 /EEC

山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授团队通过自主设计的“微爆炸法”获得了无氧化MXene-Ti3C2Tx量子点，首次提出可将此类二维结构钛基晶体材料用于肿瘤治疗，并与刘宏教授团队合作发现其具有较强的类芬顿反应特性，在抗肿瘤实验中效果显著，从而实现了更高效、更安全的纳米催化治疗方式。相关结果以“Nonoxidized MXene Quantum Dots Prepared by Microexplosion Method for Cancer Catalytic Therapy”为题，发表在材料类权威期刊Advanced Functional Materials（IF=15.621）上，陶绪堂教授和刘宏教授为通讯作者，晶体所博士研究生李雪松和刘锋为共同第一作者，山东大学为独立完成单位。 对于肿瘤治疗，传统的化学、物理疗法都存在严重的副作用，限制了其在实际临床治疗中的应用。最近，基于特殊的肿瘤微环境，利用肿瘤内部催化反应的纳米催化治疗成为前沿且备受关注。其中，研究最为广泛的铁基纳米催化剂可特异性响应肿瘤的弱酸性细胞微环境，释放Fe2+并引发芬顿反应，产生•OH自由基以触发细胞凋亡，从而抑制肿瘤。然而，在弱酸性肿瘤环境中，Fe2+催化的芬顿反应速率较低，导致•OH自由基形成缓慢。此外，众多抗肿瘤复合纳米制剂的潜在毒性值得关注。因此，寻找更高催化活性和更安全的纳米制剂是人们一直追求的目标。晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授团队与刘宏教授团队合作发现所制备的钛基无氧化MXene-Ti3C2Tx量子点具有较强的类芬顿反应特性，其对正常细胞和组织器官均表现良好的生物相容性，并对宫颈癌和乳腺癌均有强烈的杀伤能力，体现出优异的抗肿瘤效果。这种以钛基类芬顿反应为基础的肿瘤治疗方式潜力巨大，为实现肿瘤的高效、精准治疗提供了一条新的探索途径。

通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。

成果简介： 本发明涉及一种制备海藻糖晶体的方法。将海藻糖水溶液真空蒸发浓缩，加入海藻糖晶种并控制温度，同时流加溶析剂，使溶液的过饱和度维持在较低水平，逐渐降温结晶。本发明是通过溶析-冷却耦合结晶的方法生产海藻糖晶体，提高海藻糖的结晶收率。这种新的结晶方法在功能糖结晶生产领域具有广阔的应用潜力。

薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。