本发明的硅基已知频率缝隙耦合式间接式毫米波相位检测器是由共面波导、缝隙耦合结构、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共设置有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个间接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波导、非对称共面带线和一个电阻组成；间接式热电式功率传感器主要由共面波导、两个电阻以及

本发明的硅基未知频率缝隙耦合式间接式毫米波相位检测器是由共面波导、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共设置有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波导、非对称共面带线和电阻组成；间接式热电式功率传感器主要由共面波导、两个电阻以及热电

本发明的硅基已知频率缝隙耦合式直接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共设置有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个直接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波导传输线、非对称共面带线和一个隔离电阻组成；直接式热电式功率传感器主要由共面波

Ø  成果简介：能按照国家有关技术标准（JB/T9752.2—1999（NJ408—86）涡轮增压器试验方法）要求，进行增压器的冷吹、热吹、自循环出厂试验、增压器总效率试验，压气机特性试验、增压器超速超温试验、增压器可靠性试验等。试验台采用最新研制的高性能电子测控系统，各测量参数由传感器进行采集，电子计算机控制记录、分析、处理数据，数字式仪表显示。增压器的装夹采用快速气动安装装置，大大节约了装卸增压器的时间。试验台为全封闭式结构、操作简便、使用安全，外形美观。 此项技术的相关成果

能按照国家有关技术标准（JB/T9752.2—1999（NJ408—86）涡轮增压器试验方法）要求，进行增压器的冷吹、热吹、自循环出厂试验、增压器总效率试验，压气机特性试验、增压器超速超温试验、增压器可靠性试验等。 试验台采用最新研制的高性能电子测控系统，各测量参数由传感器进行采集，电子计算机控制记录、分析、处理数据，数字式仪表显示。增压器的装夹采用快速气动安装装置，大大节约了装卸增压器的时间。 试验台为全封闭式结构、操作简便、使用安全，外形美观。 此项技术的相关成果有:涡轮增压器性能实验台，可移动式涡轮增压器自循环试验台。

本发明公开了一种电容式电压互感器的试验方法。运用 CVT 的 结构及波传递特点，通过 CVT 电容单元与电磁单元连接的中间节点进 行加压测试，记录中间节点电压、CVT 输出电压及注入节点电流，计 算获取 CVT 的接近实际工况的传递特性；有效解决了传统试验方法中 特殊情况下因所需电压等级较高或电源容量较大等原因造成的无法试 验的问题，在不影响其传递特性并精确模拟 CVT 电磁单元额定工况的 情况下，准确获取 CVT 的整体传递特性，显著降低了在对 CVT 进行 高压测试时的电压等级及电源容量要求。

本发明公开了一种嵌入式处理器的未知恶意代码检测方法，包 括创建嵌入式系统自体集、生成检测器集、检测未知恶意代码的步骤； 在处理器指令级对系统内正常程序的指令序列信息进行采集编码生成 二进制串集合作为自体集，随机生成二进制串作为候选检测器，并将 其与自体集中的元素进行否定选择生成检测器集；利用检测器集里的 二进制串与从指令级收集到的待检测代码的行为信息二进制串进行匹 配；采用双阈值的海民规则进行自体集的二进制串、检测器

本发明公开了一种基于微流体技术的非侵入式眼压检测传感器， 包括角膜接触镜、螺旋电感、边缘电容和内圈电容，其中，角膜接触 镜内部设置有腔体和微流体通道;腔体与微流体通道相连通，用于存放流体，并向该微流体通道内输送流体;该微流体通道内输送的流体 的量受眼压影响，内圈电容的电容值随该微流体通道内输送的流体的 量的变化而变化;通过边缘电容、螺旋电感和内圈电容构成的 CLC 回 路，实现对眼压的检测。本发明中的眼压检测传感器能够有效解决眼 压传感器不便于夜间监测的问题，实现高精度的、24&

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)