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以二氧化碳超临界流体为介质的制革方法
成果描述：本成果提供了一种以二氧化碳超临界流体为介质的制革方法。该方法包括采用二氧化碳超临界流体为介质进行制革脱脂、酶脱毛、软化、鞣制、染色和加脂等工序的操作，在上述操作时基本不使用夹带剂，并且在二氧化碳超临界流体处理过程中使温度降低到33℃，压力降低到9.0MPa以下，处理时间缩短到60分钟，几乎不使用水，使皮革加工过程能耗更为降低，具有巨大的经济、环境和社会效益。市场前景分析：二氧化碳超临界流体制革是解决传统制革水用量大，污水不易治理的重要方法，从制革源头上避免使用大量的水。随着国家对环保问题的重视，各大制革企业对该项技术均有需求。与同类成果相比的优势分析：二氧化碳超临界流体压力：7.4-10MPa； 制革温度：33-45℃； 成革收缩温度：大于95℃； 成革物性达到所制革的行业标准； 耗水量：1吨水/吨皮。 国际先进。
四川大学
2021-04-11
基于流体管道压力脉动的机—电转换孵化能器的设计研发
北京工业大学
2021-04-14
一种压电与光电复合的流体流速流向测量装置及其方法
本发明公开了一种压电与光电复合的液体流速流向测量装置及 其方法，装置包括圆柱体，压电纤维束，激光发射准直模块，弹性阻 尼体，底座，二维 PSD 位移传感器，PSD 承载及信号放大电路板，以 及测量数据处理模块;本发明利用弹性圆柱体以及安装在圆柱体内部 中心轴线区域的压电纤维束，将流体的流动转换为浸入流体中的圆柱 体的偏转运动，以及压电纤维束随圆柱体偏转产生压差，利用圆柱体 的偏转与流体流向的关系，以及压电纤维束压差与流体流速的关系， 实现流体的流速和流向的测量。本发明结
华中科技大学
2021-04-14
一种压电与光电复合的流体流速流向测量装置及其方法
本发明公开了一种压电与光电复合的液体流速流向测量装置及 其方法，装置包括圆柱体，压电纤维束，激光发射准直模块，弹性阻 尼体，底座，二维 PSD 位移传感器，PSD 承载及信号放大电路板，以 及测量数据处理模块；本发明利用弹性圆柱体以及安装在圆柱体内部 中心轴线区域的压电纤维束，将流体的流动转换为浸入流体中的圆柱 体的偏转运动，以及压电纤维束随圆柱体偏转产生压差，利用圆柱体 的偏转与流体流向的关系，以及压电纤维束压差与流体流速的关系， 实现流体的流速和流向的测量。本发明结构简单，体型小巧，可以减 少对
华中科技大学
2021-04-14
喷嘴喷射独立可控的阵列化电流体喷印头及其实现方法
本发明公开了一种喷嘴喷射独立可控的阵列化电流体喷印头， 包括设置在阵列化喷嘴与接收板之间的导引电极层，该导引电极层上 设有与喷嘴数目对应的多个圆孔，各圆孔的中心与喷嘴的中心共线， 在导引电极层上的各圆孔外周均同轴环绕有一圈导电环，且各导电环 均与一个电压源连接，阵列化喷嘴与喷射电压源相连，通过调整各个 电压源处合适电压值使得需要喷印的喷嘴与对应的导电环形成的电压 差大于其他喷嘴电压差，进而使待喷射喷嘴处的场强大于喷射启动所 需场强，其他不喷射的喷嘴处场强小于喷射启动所需场强，即可实现 各喷嘴的独立控制。本发明还公开了其实现方法。本发明可以解决目 前存在的对喷印头独立喷射控制存在的结构复杂、无法大规模集成使 用的问题。
华中科技大学
2021-04-11
一种基于格子‑玻尔兹曼模型的油层流体模拟方法
本发明公开了一种基于格子‑玻尔兹曼模型的流体模拟方法。所述模拟方法包括，将多孔介质的图像网格化，用 fi(x,y,t)表示网格点 I(x,y)处，运动速度为 ci 的粒子所对应的粒子分布；判断粒子运动方向 ci 是否朝向固壁边界，是则令粒子分布fi(x,y,t)执行反向函数，否则对fi(x,y,t)执行格子‑玻尔兹曼模型的碰撞函数，然后根据演化后的粒子分布fi(x,y,t)获得流体密度ρ’(x,y)和流体速度 u’(x,y)；直至满足演化结束条件。
华中科技大学
2021-04-14
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件，该器件包括入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、贴附于矩形波导（５）的上表面或下表面；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学
2021-04-11
高温压电振动能量回收器件和高温驱动器
传统PZT压电陶瓷应用广泛，但在居里温度较低，环境温度较高时，PZT陶瓷样品极易退极化。随着压电材料的应用范围的进一步拓展，一些极端条件对压电陶瓷的应用提出了新的挑战。北京大学工学院实验室利用高居里点的钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷制备了基于d31模式和d33模式的应用于高温环境中的压电振动能量回收器，器件可以稳定地工作在150℃以上的高温环境中。高温下由于电畴被活化，器件的压电系数和相应的输出功率比室温时提高一倍以上。 与压电能量回收器不同的是，压电驱动器是一种利用压电效应，将电能转化为机械能实现纳米级驱动的器件，压电驱动器利用压电材料的准静态逆压电效应实现10微米至100微米的微小位移；同时，还可以利用压电陶瓷的高温谐振动效应制备高温压电马达。
北京大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10