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一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片
本发明公开了一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片,包括双模一体化红外面阵电控液晶微透镜和驱控信号输入端口,双模一体化红外面阵电控液晶微透镜为 m×n 元,其中,m、n 均为大于 1的整数,双模一体化红外面阵电控液晶微透镜采用液晶夹层结构,且上下层之间顺次设置有第一基片、第一平板电极层、第一电隔离层、图案化电极层、第二电隔离层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、第三电隔离层、第二平板电极层、第二基片,第一平板
华中科技大学 2021-04-14
一种基于微流控芯片粒子捕获式的单粒子散射测量装置
本发明公开了一种基于微流控芯片粒子捕获式单粒子散射测量 装置,包括光源、分光光路、测量对准组件、探测组件和微流控芯片。 结合 Mie 散射理论计算的理论散射曲线参照,完成单粒子圆周范围内 大角度范围散射场的测量;同时由于结合了微流控芯片技术,解决了 单粒子的捕获和单粒子环境的构建问题。 
华中科技大学 2021-04-14
一种微流控芯片及其在单分散纳米颗粒制备中的应用
本发明公开了一种微流控芯片及其在单分散纳米颗粒制备中的 应用。所述芯片包括内管、外管和外管进样头;所述内管与外管共中 心轴套接;所述内管一端为尖端出样口,深入外管内部,内管另一端 为进样口,伸出外管外部;所述外管进样头嵌合在外管管壁上。本发 明提供的微流控芯片结构简单,使用寿命较长,具备各向均一性,制 备的纳米颗粒单分散性好,粒径一致。 
华中科技大学 2021-04-14
复合阻流体无阀压电泵
异形复合阻流体无阀压电泵,泵腔端面上安装有压电振子;泵座上设置有阻流体,泵侧壁上设置有连接泵腔与外界的第一、第二流体进出管,第一、第二流体进出管对称设置在泵侧壁上,阻流体包括前导体和主阻流体,前导体和主阻流体均为对称型结构,对称轴重合,对称轴的两端分别朝向第一、第二流体进出管;前导体具有引流面和阻流面,引流面朝向第一流体进出管,流体进出泵腔时,起分流引导作用;阻流面朝向主阻流体,流体进出泵腔时,起阻流引导作用;主阻流体包括引流面和阻流面,引流面朝向前导体的阻流面,阻流面朝向第二流体进出管。异形复合阻流体无阀压电泵较采用形状规则的阻流体的无阀压电泵可实现更好的泵送效果。
青岛农业大学 2021-04-13
人才需求:流体分析人员
1、流体分析人员; 2、机械振动、抗震计算分析人员; 3、电力系统专业人员; 4、材料研究性人员; 5、计算机专业人员。
山东泰开变压器有限公司 2021-08-26
智慧微格教学平台
北京大智汇领教育科技有限公司 2025-01-09
光收发芯片
光收发芯片是光收发模块中的集成电路,并不包括激光芯片,是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片,包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端,来实现高速传输信号的光电、电光转换,这些功能被集成在光纤收发模块中。
东南大学 2021-04-11
芯片研发技术
围绕自主通用处理器,研发操作系统及其之上的核心 API 软件,支撑国家信息化建设,并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。
中国科学技术大学 2021-04-14
SFP+芯片
产品详细介绍   概述:   1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110)   EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112)   EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116)   EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能,解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。   特点:   3.3供电时,功耗仅为500mW   工作速率高达10.32Gbps   10.32Gbps下,具有5mVp-p接收灵敏度   Rx和Tx极性选择   可调节触发LOS报警电平   LOS极性选择   能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流   偏置电流高达19mA   Rx输出可选择去加重   支持SPI EEPROM和IIC EEPROM   可调节调制输出的眼图交叉点   工作温度: -40度 到 90度
武汉芯光云信息技术有限责任公司 2021-08-23
高性能非制冷红外探测器芯片
        技术成熟度:技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线,在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差(NETD)大、集成兼容性差的难题,提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路,获得超薄宽带高吸收率材料;提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路,获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器,NETD降低3倍,研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
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