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一种基于金属微纳结构天线阵列的反射式离轴透镜
本发明提供一种基于金属微纳结构天线阵列的反射式离轴透镜，包括衬底层、反射层、光学薄膜匹 配层和金属微纳结构天线层。每一个金属微纳结构天线的朝向均不同，通过特定排布，可实现将平行入 射的激光反射汇聚在与入射光束同侧的任意方向上，可应用于激光离轴光学系统中。由金属微纳结构天 线阵列构造的反射式离轴透镜，不仅可连续调制入射光的位相，且仅需简单的一次光刻工艺步骤即可制 造完成，因此具有设计灵活、加工简单、结构紧凑等突出优点。
武汉大学
2021-04-13
一种基于金属平面微纳线尖电极的电调透光率薄膜
本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖
华中科技大学
2021-04-14
原位合成AlN/Al电子封装材料技术
西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究，目前已经开发出AlN/Al、SiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术，目前此项技术已获批国家发明专利1项。
西安科技大学
2021-04-11
钼酸铜纳米棒复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65‑80％、聚丙乙烯5‑7％、聚苯乙烯5‑7％、烷基聚氧乙烯醚0.05‑0.5％、乙酰丙酮钛3‑8％、聚乙烯蜡3‑7％、水3‑6％，钼酸铜纳米棒的直径为25‑100nm、长度为0.5‑3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
铝酸铈纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种铝酸铈纳米棒电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明铝酸铈纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铝酸铈纳米棒65‑80％、聚乙二醇3‑6％、聚丙乙烯3‑6％、木质素磺酸钠0.05‑0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3‑8％、乙烯‑四氟乙烯共聚物10‑15％，铝酸铈纳米棒的直径为30‑100nm、长度为1‑2μm。本发明提供的铝酸铈纳米棒电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
电子封装用铝基复合材料
电子封装用铝基复合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等复合材料。它们采用专利挤压铸造方法制备，该工艺生产成本低、设备投资少、制成的材料致密度高，且对增强体和基体合金几乎没有选择，便于进行材料设计。“金属基复合材料工程技术研究所”在这一工艺上拥有多项发明专利，技术成熟，并具有独立开发新型材料的能力。 本电子封装材料具有低膨胀、高导热、机械强度高等优点，可以与Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持热匹配。与目前常用的W/Cu、Mo/Cu复合材料相比，导热性、热膨胀性能相
哈尔滨工业大学
2021-04-14
高活性纳豆胶囊
纳豆是由黄豆通过纳豆菌（枯草杆菌）发酵制成，高活性纳豆是通过筛选菌株，得到一株高效的纳豆芽孢杆菌，利用生物发酵和真空干燥等技术研发出的具有高活性的纳豆胶囊，对三高具有良好的治疗效果，现已取得生产资质，也是师鼎堂品牌系列中的重要产品。
江苏师范大学
2021-04-11
麦克纳姆轮项目
基于麦克纳姆轮的智能搬运车AGV能够实现平面内任意方向的移动，减小物流存储空间，广泛应用于加工制造业、军事工业、医疗康复、娱乐与服务等领域。
东南大学
2021-04-11
新东方多纳
新东方多纳是新东方在线旗下专为2-8岁儿童打造的在线英语启蒙产品。融合强大师资、科学体系，为孩子打造沉浸式英语启蒙课堂，让孩子感兴趣、开口说、主动学。依托于新东方集团强大的师资力量与教学资源，新东方多纳的教研团队来自清北、中科院、牛津等国内外知名大学，具有丰富的一线教学经验。懂孩子，更懂英语教育，致力于成就孩子更优秀的未来。
北京新东方迅程网络科技股份有限公司
2021-02-01
锡酸锑纳米线复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65‑80％、聚乙烯醇3‑5％、聚苯乙烯3‑5％、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5％、异丙醇铝3‑6％、聚偏氟乙烯7‑14％、水3‑5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13