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关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学
2021-04-11
一种基于校验 RAID 加入镜像结构的阵列构建方法及读写系统
本发明公开了一种基于校验 RAID 加入镜像结构的阵列构建方 法及读写系统；所述阵列构建方法包括地址布局、数据布局、数据存 取和数据重构四个步骤；所述读写系统包括 I/O 模块、镜像管理模块、 地址变换模块和基于校验 RAID 模块；本发明在基于校验 RAID 的基 础上加入镜像结构，提高了阵列的 I/O 性能；利用镜像数据重构缩短 重构时间；新颖的地址布局方式将原始数据与镜像数据尽可能的放在 邻近的位置，缩短了磁头
华中科技大学
2021-04-14
一种阵列式原子干涉重力梯度张量全分量的测量系统
本发明公开了一种阵列式原子干涉重力梯度张量全分量的测量系统，包括：n 个阵列式排布的冷原子干涉单元，冷原子干涉单元包括：真空腔体；真空腔体包括上干涉区，下干涉区，探测区和原子团制备结构，上干涉区为一根细长型管道，且顶端安装有玻璃窗口；下干涉区为多窗口的腔体，且侧面安装有玻璃窗口。三束竖直激光操纵四 团 原 子 同 时 干 涉 ， 实 现 重 力 梯 度 张 量 中 的 <imgfile=""DDA0001192057860000011.GIF"" wi=""424"" he=""70""/&g
华中科技大学
2021-04-14
三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法
本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法，其方法包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，配制成过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在300～450℃热处理1～3h，得到三氧化钨纳米线阵列；将苯胺与稀硫酸混合，形成用于制备聚苯胺的电解液，电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便，制造成本较低，易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。
浙江大学
2021-04-13
喷嘴喷射独立可控的阵列化电流体喷印头及其实现方法
本发明公开了一种喷嘴喷射独立可控的阵列化电流体喷印头， 包括设置在阵列化喷嘴与接收板之间的导引电极层，该导引电极层上 设有与喷嘴数目对应的多个圆孔，各圆孔的中心与喷嘴的中心共线， 在导引电极层上的各圆孔外周均同轴环绕有一圈导电环，且各导电环 均与一个电压源连接，阵列化喷嘴与喷射电压源相连，通过调整各个 电压源处合适电压值使得需要喷印的喷嘴与对应的导电环形成的电压 差大于其他喷嘴电压差，进而使待喷射喷嘴处的场强大于喷射启动所 需场强，其他不喷射的喷嘴处场强小于喷射启动所需场强，即可实现 各喷嘴的独立控制。本发明还公开了其实现方法。本发明可以解决目 前存在的对喷印头独立喷射控制存在的结构复杂、无法大规模集成使 用的问题。
华中科技大学
2021-04-11
8×4〞波束可调两分频有源同轴环屏阵列音箱-FCL804A
FCL804A是一款有源环屏阵列音箱，主要用于LED环屏影院。箱体采用桦木夹板制作，轻巧而坚固，有源环屏音箱提供65Hz-20KHz的频率范围，具备平滑的频率和相位响应。24个1寸的钕磁球顶高音扬声器和8个4寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合，高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方，声像定位更准，提高线阵列音箱的远场近声场均匀度和清晰度。音箱内装独立的16通道大功率功放及DSP，音箱可单独调节，连接数量根据实际场合大小进行配置，使得现场扩声极其灵活、便捷。功放部分使用高效率开关电源，内置DSP模块，具有处理分频、EQ、压限、延时、音量等功能，音箱采用DANTE数字网络传输, 每通道可独立控制，延时，幅度可调。
音王电声股份有限公司
2022-07-02
8×6.5〞波束可调两分频有源同轴环屏阵列音箱-FCL806A
FCL806A是一款有源环屏阵列音箱，主要用于LED环屏影院。箱体采用桦木夹板制作，轻巧而坚固，有源环屏音箱提供55Hz-20KHz的频率范围，具备平滑的频率和相位响应。32个1寸的钕磁球顶高音扬声器和8个4寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合，高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方，声像定位更准，提高线阵列音箱的远场近声场均匀度和清晰度。音箱内装独立的16通道大功率功放及DSP，音箱可单独调节，连接数量根据实际场合大小进行配置，使得现场扩声极其灵活、便捷。功放部分使用高效率开关电源，内置DSP模块，具有处理分频、EQ、压限、延时、音量等功能，音箱采用DANTE数字网络传输, 每通道可独立控制，延时，幅度可调。
音王电声股份有限公司
2022-07-02
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学
2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学
2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11