|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种带材收卷跑偏的补救纠偏系统及其控制方法
本发明公开了一种带材收卷跑偏的补救纠偏系统及其控制方法， 所述系统包括收卷装置、监测装置、纠偏装置、预收卷装置和控制模 块，所述监测装置的图像采集器实时采集收卷辊两侧边缘刚刚收卷区 域的图像并将其传输给控制模块，控制模块根据接收到的图像判断收 卷带材是否跑偏，若跑偏，则控制模块控制收卷电动机停转，同时控 制预收卷装置和纠偏装置运作完成纠偏过程，最后由控制模块控制预 收卷装置和纠偏装置回到正常收卷时的位置。本发明能够对
华中科技大学
2021-04-14
基于快速成形制造技术的碳纤维传感元嵌入装置及方法
本发明公开了一种基于快速成形制造技术的碳纤维传感元嵌入装置，包括：工作台；升降和平移模块，安装在工作台上；水平移动台，用于安装和移动快速成形制造结构的任一叠加层；储丝模块；铺丝模块，安装在升降和平移模块的动力输出端，用于在快速成形制造的任一叠加层内牵引和嵌入来自储丝模块的纤维丝；断丝模块，用于切断嵌入快速成形结构中的纤维丝的尾部；纤维丝固定模块，用于在嵌入的起始位置固定纤维丝；本发明还公开了一种基于快速成形制造技术的碳纤维传感元嵌入方法；本发明通过设置铺丝模块和水平移动台，可以快速有效地将纤维丝自动化嵌入实体结构中，实现自监测智能结构的自动化制造。
浙江大学
2021-04-13
一种测氢用固体电解质管的制备与成形方法
本发明公开了一种测氢用固体电解质管的制备与成形方法。该 方法采用 CaCO3、ZrO2、In2O3 原料，按照摩尔比：CaCO3：ZrO2： In2O3＝1：0.8～0.95：0.025～0.1 称取出原材料，进行湿磨混料，混 合粉料压制成直径 20～30mm，厚度为2～5mm的圆片在1000～1400℃ 下煅烧得到 CaZr1-xInxO3-α(0.05≤x≤0.2，原子比)，再将圆片压碎成 粉末，加入到熔融的石蜡、油酸和蜂蜡混合物中，用电磁搅拌器进行 搅拌，通过热压注方法成形为管状，再在高温下进行排蜡，之后在 1450～1550℃下进行最终的烧结，获得 CaZr1-xInxO3-α(0.05≤x≤0.2) 电解质管。本电解质管表面光滑、结构致密，具有较好的化学稳定性 和抗热冲击性能，能够应用于变温环境下的铝、镁合金熔体氢含量的 连续、准确测定。
华中科技大学
2021-04-13
一种快速成形自动铺粉机构及自动铺粉烧结方法
本发明公开了一种快速成形自动铺粉机构，包括成形腔体，所 述成形腔体内设置有成形工作台及安装在成形工作台上的动力装置， 动力装置上连接有由其驱动移动的刮刀，所述动力装置上连接有管道， 所述管道穿过成形腔体后连接有动力泵，所述动力装置为气缸或液压 缸。本发明受温度、粉尘影响较小，采用流体作为动力传输介质，而 且本铺粉机构工作时只有动力装置处于环境较差的成形腔体内，所以 成形腔体内的高温环境和粉末的挥发与飞溅对铺粉机构的影响较小； 本发明可靠性高：因为采用流体传动后，铺粉机构的结构简单，而且 还具有了耐高温、防粉尘和过载保护的能力，所以铺粉机构的可靠性 得到了很大的提高。
华中科技大学
2021-04-13
一种用于制造片材与柔性薄膜复合叠层的热压设备
本发明公开了一种用于制造片材与柔性薄膜复合叠层的热压设备，该设备包括：由上下两个热压头共同组成的热压装置,位于热压装置的外侧用于将片材提供给真空拾放装置的上料装置，用于从上料装置的片材料盒中取料并将片材输送至下热压头上的相应叠合位置的真空拾放装置，位于柔性薄膜的输送路径上用于将输送中的柔性薄膜撑起一定高度的撑膜装置，以及分别用于对柔性薄膜的输送位置和片材上料位置等信息进行检测和反馈的薄膜检测装置和上料检测装置。通过本发明，能够同时实现热压、上料、拾取和转移等多种功能，结构紧凑，便于控制和操作，并利用视觉定位技术和独立的热压装置支撑框架来进一步保证薄膜叠层的精度。
华中科技大学
2021-04-11
一种用于内燃发电增程式电动车的整车能量管理控制器
本发明公开了一种用于内燃发电增程式电动车的整车能量管理控制器。本发明中的微控制器MCU利用自身功能端口，通过ICE负荷调整电路检测和控制内燃机ICE，通过ISG整流与逆变电路检测和控制起动发电一体机ISG工作；通过蓄电池SOC、驱动需求功率检测电路读取当前蓄电池充放电状态、驱动电机及其控制器放电状态；通过双向DC/DC电路调整增程器和蓄电池两端电压比，优化增程器内燃机运行工况；控制器电源调整电路为控制器中各模块提供所需工作电源。本发明可根据当前蓄电池的剩余电量水平和整车驱动需求功率起停增程器、调整增程器输出功率和运行工况、协调蓄电池充放电管理，在整车能量管理上实施最优控制。
浙江大学
2021-04-11
一种高强度抗静电增塑聚氯乙烯透明薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高强度抗静电增塑聚氯乙烯透明薄膜及其制备方法，该透明薄膜综合性能优异，具有高力学强度、高弹性、高可见光透过率、低雾度、耐寒性好、耐水抽出、抗静电效果长期稳定等综合性能优异等特点，由于配方不使用PNBR等高成本的原料，配方相对简单、制备工艺简化，有效降低了该功能薄膜的制造成本。本发明的高强度抗静电增塑聚氯乙烯透明薄膜，其由以下质量配比的原料制成：聚氯乙烯树脂100份、抗静电剂增塑剂30～45份、非抗静非耐寒型增塑剂10～25份、耐寒增塑剂10～15份、离子液体聚合物2.0～3.5份、液体复合热稳定剂1.0～1.5份、加工助剂0.5～1.5份、润滑剂0.3～0.5份。
南京工业大学
2021-01-12
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡（indium-tin-oxide）简称ITO，ITO靶材是一种功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好，粒径10nm—80nm之间可控，BET比表面积30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线，采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源，生产设备都是定型通用设备，年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学
2021-02-01
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
单畴超导块材Gd-Ba-Cu-O 的制备与其超导性能的研究
直径为25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)单畴超导块材在温度为77K时，捕捉磁场高达4 T；而在29 K时，捕捉磁场甚至达17 T，优越的性能促进了该类超导材料在电机、发电机、工业污水处理、医学核磁共振等方面的应用研究。
本课题以通过熔融织构方法生长高性能的单畴超导块材作为研究对象，选择合适的单相氧化物作为第二相生长GdBa2Cu3O7-δ超导块材。在制备的高质量系列样品的基础上，通过低温磁性测量分析临界电流密度随温度及掺杂量的变化曲线；分析微观结构，揭示第二相、缺陷等对超导性能影响的原因。以期找出提高超导块材性能的合理生长方法，对其微观机制给出尽量圆满的解释。这也为澄清与当前超导材料前沿课题紧密相关的一些基本问题的理解提供基础研究资料。
该项目已获国家自然基金项目立项支持。
上海电力大学
2021-04-29