2016江苏省科学技术奖一等奖，“卫星通信具有覆盖广和不受地域限制的优势，但是受到遮挡以后，信号就会不好，而且通信的成本太高，2M带宽每小时就要花费几千元。而随着3G、4G的普及，地面无线通信已经发展得相当完善，但是在地面基站未覆盖区域，或基站一旦受到洪水、台风、地震等自然灾害破坏时，就无法通信了。正是基于这两个通信系统的特点，我们‘取长补短’，巧妙地将两种通信系统融合起来，研制完成的系统可以根据不同策略自适应地选择地面通信链路或卫星链路”。

光网络融合终端系列是海信针对日益流行的FTTH场景推出的融合智能网络机顶盒终端。 这一系列兼具家庭网关（HGU）和智能机顶盒（IPTV）能力的产品将成为智能家居的核心终端设备。 采用创新设计和PON接入功能； 采用模块化、通用化的设计理念，实现不同技术方案的组合。 可以整合丰富的定制化业务。 功能特点 支持GPON/EPON光接入 GE/FE自适应局域网速度 H.265解码，节省网络带宽 AVS2解码，让视频编码更智能 3840*2160超高清4K分辨率输出 支持外接蓝牙设备，无线享受 HDMI输出，畅享高清视觉盛宴 无线热点功能，移动设备将轻松上网

融合智能服务大脑以物联网技术为基础，人工智能、大数据、云服务为支撑，智能服务为主体，提供八大能力助力企事业单位数字化改革。平台实现设备、数据互联，业务、应用协同，管理、服务闭环；实现决策科学化、管理精准化、服务个性化，治理水平全面提升，支撑构建高质量服务体系。 1.物联互通：通过统一的标准应用协议并建立标准化的终端设备接入规范，提供园区内各种终端广泛感知和泛在接入能力，达到物物相连的目标； 2.能力复用：将园区内身份识别、金融支付、各类缴费、节能管控、安防控制等以API、微服务等方式进行统一汇聚发布，提供智能服务复用能力，实现信息化快速迭代； 3.数据分析：集合数据标准、元数据、数据质量、数据资产、数据安全等模块，为客户提供数据汇聚、共享及分析能力，为领导提供更加精准的决策依据； 4.业务协同：提供图形化配置及跨应用协同能力，实现校务应用之间功能、数据及权限的协同关联，消除身份孤岛、数据孤岛和服务孤岛； 5.能力开放：集合各类系统接口用于师生创新应用开发的技术平台，对外提供能力开放，对内完成服务集成，助力智慧校园建设过程中的创新应用拓展； 6.统一认证：提供统一身份库、身份介质管理、身份认证、身份识别及核验、统一授权、单点登录能功能，突出卡码脸一体的识别与核验能力，实现园区用户的一致管理； 7.数字孪生：基于数字孪生等技术建立镜像化、数字化、智能化的虚拟园区融合各种资源和服务，突破时空、资源、身份的限制为信息化带来全面变革； 8.服务闭环：对园区内的公寓、餐厅、教室、图书馆、场馆、停车、安防等场景化应用实现服务闭环能力，提升服务质量和管理效能。

内容介绍： 防锈油可用浸、喷、刷涂方法涂覆于金属件的表面，油膜厚度在油膜 干后约为8-10um即可满足使用要求，在室内的防锈期为三年。油膜具有 良好的抗酸、碱能力并对水分、汗有一定的置换能力，对金属、油漆涂 料有较好的附着力，在某些场合可代替防锈底漆使用。由于具有薄层、 高效的特点，故比使用防锈底漆经济得多。同时，油膜具有较好的机械 强度，耐压、耐磨，所

华协油82系由母本Hu15A与Bing4配制的甘蓝型隐性核不育两系杂交油菜新品种。2013-2015年度参加河南省油菜新品种区域试验，2015——2016年度参加河南省油菜新品种生产试验。区试中，华协油82平均亩产199.72kg，比对照杂98009平均增产10.87％，达极显著水平；生产试验中平均亩产量218.36kg，比对照杂98009增产7.33％，达极显著水平。生育期228.13天，株高160.65cm，分枝部位58.21cm，有效分枝7.84个，单株有效角果数280.83个，每角粒数19.46粒，千粒重3.82g；菌核病田间菌核病发病率12.87％，病情指数9.54，表现为对菌核病抗（耐）性类型；病毒病发病率0.0，病情指数0，表现为对病毒病抗病类型；未见有霜霉病和白锈病发生；抗寒性强，抗倒性强。华油协82芥酸含量0％，硫甙含量22.41μmol/g（饼），含油量42.14％。 华协油82适宜在河南省及湖北省北部地区冬油菜地区种植。预期应用华油协82每亩可增产油菜籽20斤，新增经济效益30元。 转化条件：转化所需配套条件（资金、场地、设备等） 成果完成时间：2017年

产品详细介绍油研Yuken 是世界著名的叶片泵生产厂，本型泵专为低噪音工作而开发的高压高性能泵，规格齐全。最大的特点是低噪音。并以质量可靠、故障率低而享有极高的声誉.电话:(0755)89820325 传真(0755)33252205E-mail:yjpytruv@136.com联系人:刘生  13670076552 深圳弘发液压设备有限公司主要经营以下产品:日本YUKEN油研。油泵柱塞泵。变量泵及配件销售。日本YUKEN、PV2R1、日本YUKEN、PV2R2、日本YUKEN、PV2R3、日本YUKEN、PV2R4 日本YUKEN、双联泵PV2R12。PV2R13。PV2R14。PV2R23。PV2R24。PV2R34。等油泵及配件PV2R1-6-F-RAA-4222 PV2R1-10-F-RAA-4222 PV2R1-12-F-RAA-41  PV2R1-14-F-RAA-41 PV2R1-17-F-RAA-41  PV2R1-19-F-RAA-41PV2R1-23-F-RAA-41    PV2R1-25-F-RAA-41PV2R1-28-F-RAA-41    PV2R1-31-F-RAA-41 PV2R2-26-F-RAA-41    PV2R2-33-F-RAA-41  PV2R2-41-F-RAA-41    PV2R2-47-F-RAA-41PV2R2-53-F-RAA-41    PV2R2-59-F-RAA-41PV2R2-65-F-RAA-41    PV2R3-52-F-RAA-31PV2R3-60-F-RAA-31    PV2R3-66-F-RAA-31PV2R3-76-F-RAA-31    PV2R3-94-F-RAA-31PV2R3-116-F-RAA-31   PV2R4-136-F-RAA-30PV2R4-153-F-RAA-30   PV2R4-184-F-RAA-30PV2R4-200-F-RAA-30   PV2R4-237-F-RAA-30  等双联泵：PV2R12。PV2R13。PV2R14。PV2R23。PV2R24。PV2R34。等油泵及配件。主要经营以下产品:日本YUKEN油研、油泵。柱塞泵 变量泵。YUKEN：AR变量柱塞：AR16、AR22；YUKEN：AR变量柱塞：AR16-FR01C-20YUKEN：AR变量柱塞：AR22-FR01C-20YUKEN：AR变量柱塞：AR16-FR01B-20YUKEN：AR变量柱塞：AR22-FR01B-20YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10、A16、A22、A37、A56、A70、A90、A145YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10-F-R-01-C-K-10YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10-F-R-01-B-K-10YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10-F-R-01-H-K-10YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10-L-R-01-C-K-10YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10-L-R-01-B-K-10YUKEN：A系列 变量柱塞泵A10-L-R-01-H-K-10YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-F-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-F-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-F-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-L-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-L-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-L-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-F-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-F-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-F-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-L-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-L-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A16-L-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-F-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-F-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-F-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-L-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-L-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-F-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-F-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-L-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A22-L-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-04-H-K-A-32366YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-F-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A37-L-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-F-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-F-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-F-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-L-R-01-C-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-L-R-01-B-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-L-R-01-H-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-F-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-F-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-F-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-L-R-01-C-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-L-R-01-B-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A56-L-R-01-H-S-K-32YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-F-R-01-C-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-F-R-01-B-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-F-R-01-H-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-L-R-01-K-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-L-R-01-C-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-L-R-01-B-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-L-R-01-H-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A70-L-R-01-K-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-F-R-01-C-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-F-R-01-B-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-F-R-01-H-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-L-R-01-K-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-L-R-01-C-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-L-R-01-B-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-L-R-01-H-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A90-L-R-01-K-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-F-R-01-C-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-F-R-01-B-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-F-R-01-H-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-L-R-01-K-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-L-R-01-C-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-L-R-01-B-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-L-R-01-H-S-60YUKEN：A系列 变量柱塞泵A145-L-R-01-K-S-60

一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。