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高清晰度红色纳米荧光粉的合成
研究内容 ：目前国内普通红色荧光粉的生产大都采用固相反映，二次 煅烧球磨过滤分级工艺。非球磨荧光粉研究多采用尿素沉淀等工艺，而采 用草酸沉淀制备小于 1μm的非球磨纳米晶红色荧光粉的工艺研究， 尚未见 报道。 本课题采用草酸作为沉淀剂，并添加少量表面活性剂，通过对草酸沉 淀过程条件的控制获得了一次粒径 15—20nm、团聚尺寸小于 1μm，C1 的 含量小于 50ppm 的非
南昌大学
2021-04-14
基于 LCA 的钢铁企业环境管理与决策平台开发
成果简介本项目以钢铁联合企业为研究对象， 研究了钢铁产品生命周期评价（LCA）方法， 建立了钢铁产品生命周期评价模型， 开发了钢铁联合企业生命周期评价数据库软件， 为钢铁企业建立了基于 LCA 的环境管理平台。 提出了基于 LCA 的钢铁企业节能减排的方向和途径分析方法， 利用灰色局势决策法和组合赋权的密切值法进行了对方案优选的决策分析和比较， 建立了以环境影响为目标的生产调度规划方法， 初步建立了钢铁企业基于 LCA 的环境决策方法。项目的创新点有：（1） 提出了钢铁企
安徽工业大学
2021-04-14
一种基于局部哈希特征的视频目标实时跟踪方法
本发明公开了一种基于感知哈希特征的视频目标跟踪方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)读取待跟踪视频序列的第一帧；(2)在图像中画一恰好将目标包围的矩形框，作为目标框；(3)对视频帧图像进行灰度化处理；(4)提取目标框的局部哈希特征，并对特征进行为运算化处理；(5)读取视频下一帧，并采用同步骤(3)同样的方式对图像进行灰度化处理；(6)在当前帧中，采用倒金字塔候选框搜索方法在上一帧目标相同位置附近获取候选框；(7)采用
华中科技大学
2021-04-14
一种拉曼基底的制备方法及其产品与应用
本发明公开了一种拉曼基底的制备方法及其产品与应用，首先 利用阳极氧化法在钛片表面生成氧化钛纳米管，然后用导电胶带将氧 化钛纳米管从钛片上取下，使之显露背面凸起的阻挡层，成为氧化钛 纳米柱，从表面上看即为有序的氧化钛凸起序列，最后将碳导电胶带 固定于载体上，在氧化钛纳米柱表面溅射纳米银，形成有序的纳米银 凸起序列，即制备获得所述的表面增强拉曼基底。通过本发明，利用 简单的方法将空心的氧化钛纳米管转化为封闭的纳米管，简化
华中科技大学
2021-04-14
一种基于分流增塑的热等静压成形方法
本发明公开了一种基于分流增塑的热等静压成形方法，其包括 如下步骤：根据待热等静压成形零件的形状和尺寸，设计并加工出热 等静压成形模具，在成形模具局部粉末难流动部位增设分流增塑件； 采用 CAE 模拟软件模拟热等静压成形过程，根据 CAE 模拟结果调整 分流增塑件的尺寸和位置；装配热等静压成形模具和分流增塑件，在 热等静压成形模具中装入粉末后震实，对热等静压成形模具抽真空并 封焊；对热等静压成形模具进行热等静压成形处理
华中科技大学
2021-04-14
一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片
本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度
华中科技大学
2021-04-14
一种用于大试样测试的热重反应器
一种用于大试样测试的热重反应器，本发明属于对试样进行热重分析的测试设备，目的在于克服现有热重分析仪要求试样质量及体积小、样品器皿不利于气固反应的问题。本发明的高温反应器使反应气体预热充分，避免了因反应气氛温度变化造成的质量测量误差；两·687·种吊篮分别针对不同的试样，有效地减小了大试样反应时的扩散阻力，保证了反应的充分进行与测量的精确性；通过液压升降平台调节电加热炉的高度，可以实现样品在高精度条件下的
华中科技大学
2021-04-14
一种可快速拆装的压力管件试压装置
本发明公开了一种可快速拆装的压力管件试压装置，包括支撑座，支撑座内设置有内腔，支撑座上安装有夹具，支撑座的相对的两侧壁上分别螺纹连接有第一螺杆和第二螺杆，第一螺杆上螺纹连接有第三螺杆，第一螺杆和第三螺杆伸入支撑座内腔的一端分别连接有用于伸入被测管件内的轴套和密封圆盘，轴套与密封圆盘之间设置有第一密封圈，第三螺杆伸入支撑座内腔的一端连接有定位筒，定位筒上设置注液口、排气孔以及第二密封圈，注液口和排气孔处分别安装有
华中科技大学
2021-04-14
锗硅纳米低维结构的可控制备方法及产品
本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品，该 方法具体为：(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外 延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝 光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结 构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f) 高温环境下进行氧化和退火，使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗 被析出；(g)在氮氢混合气氛下
华中科技大学
2021-04-14
一种 LLC 谐振变换器的限流方法及电路
本发明公开了一种 LLC 谐振变换器的限流方法及电路；该限流 方法通过检测 PI 调节环节输出的开关频率控制量，以判断是否加入调 频环节进行限流运行。所提出的限流电路包括比较触发电路和电流注 入电路。该限流电路，可以在突加阻容性负载的工况下，对应地调整 LLC 谐振变换器的开关频率，从而限制谐振回路的电流冲击，保护谐 振回路的功率元件，同时消除过流保护误触发问题。该调频限流方法 及电路结构简单，成本低，在突加阻容性负载的情况，调频响应速度快，能将谐振回路电流限制在期望的电流设定值内。
华中科技大学
2021-04-14