本发明提出一种接触式机械振动条件下增材制造方法，通过在电弧送丝增材制造或者激光送粉熔化增材制造的过程中，同步引入一定频率的机械振动，使零件处于一种微振动状态，通过机械振动作用于增材制造过程中形成的微小液态熔池，起到细化晶粒，使组织变得更加均匀和减少甚至消除气孔、夹杂及未熔合现象。同时振动作用于刚凝固的金属，使振动产生的应力和增材制造过程中产生的残余应力叠加产生局部塑形变形，达到减小增材制造零件的残余应力和变形的

本发明公开了一种复杂曲面零件非接触式三维匹配检测优化方 法，包括：对待检测的复杂曲面零件 CAD 模型与扫描模型执行采样； 将复杂曲面零件 CAD 模型与扫描模型执行重心对齐；计算复杂曲面 CAD模型与扫描模型之间的对应点对；基于布谷鸟算法得到转换矩阵； 根据转换矩阵更新复杂曲面零件的扫描模型；复杂曲面零件扫描模型 与 CAD 模型之间执行匹配误差计算，并执行迭代更新。通过本发明， 能够有效解决现有技术中计算收敛速度慢、且易陷入局部最优的问题， 并尤其适用于大型复杂曲面零件如航空发动机叶片的高精度质

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

合作的企业类型等。简介请图文并茂，字数1000字以内。） 无接触供电系统通过电磁耦合技术实现了静止或移动用电设备和供电装置的无接触连接。突破传统变压器原副边不可分离的限制，实现移动用电设备和供电装置的无接触感应式供电，是对传统供电方式的重大变革。无接触供电系统可广泛应用于物流自动化、交通运输、工程机械等领域。技术指标n 原边输入电压：AC380， AC220n 原边最大输出功率：10KWn 单个副边最

本成果来自有重大应用前景的横向项目，现已结题，知识产权归属西南交通大学。成果的创新性和先进性：针对目前接触网几何参数检测中存在的问题与不足，提出了利用动车组作为检测载体，基于二维激光雷达技术，对视距内障碍物所产生的轮廓曲线进行目标识别、运动跟踪，以达到在线测量接触网几何参数。主要技术指标为导高、拉出值、双支接触线间距与高差、侧面限界等。

远苏精电 实验室快速钻铣雕一体PCB线路板雕刻机 电路板雕刻机 一、技术参数1.加工范围：单面板/双面板2.加工面积：350×300mm3.最小加工线径：3mil4.最小加工线距：5mil5.分辨率：0.03mil6.工作速度：100mm/s7.主轴转速：0～60000r/min，无级调速，软件自动优化转速8.主轴功率：90W9.直线导轨：进口直线导轨10.传动方式：进口滚珠丝杆11.钻孔孔径：0.3～3.175MM12.钻孔深度：0.02-3.5mm13.钻孔速度：150(孔/min)14.控制方式：电脑控制15.通信方式：RS-232/USB16.操作系统：Windons 98/2000/XP/Vista/Win7/1017.最小内存配置：256MB18.体积：750mm（L）×650mm（W）×660mm（H）19.重量：110kg20.消耗功率：250 W21.电源：200V/50HZ22.支持软件：支持Protel99se、Altium Designer、CAD等常用EDA软件（支持所有pcb及gerber格式的文件）23.选配：可选配立式底柜，方便移动，可存储耗材24.选配：可选配电脑25.选配：可选配视觉定位系统 二、产品亮点（1）自动原点定位：可以从任意位置自动回到设定的零点，拥有原点记忆功能。（2）双面板定位技术：保证了定位的精确性与正确性。（3）断点续雕：从任意百分比开始雕刻，或雕刻到某一百分比结束。（4）模拟运行：根据设定的参数，仿真显示实际加工过程。（5）实时显示加工路径：加工前首先显示所有加工路径，在加工过程中实时显示当前位置。（6）任意区域选择雕刻：选择任意区域，进行雕刻。（7）组合雕刻/自动选择刀具：选择两把雕刻刀，自动分配雕刻区域。在不影响雕刻精度的情况下选择一把大雕刻刀，快速铣掉大块的空白区域。（8）万能钻孔：使用固定铣刀挖出任意孔，减少了换钻头的次数。（9）外形铣割：板子雕刻完成后进行外形铣割。（10）智能主轴转速优化功能：根据刀具自动优化主轴转速，从而提高雕刻精度。（11）强兼容性：兼容目前市面上所有EDA软件。（12）操作简单：简单易学，只需20分钟即可熟练上手操作。（13）自动关机：长时间无操作指令则自动关机，保护设备。（14）LED照明：机器自带照明功能，方便运行过程中清晰的观察pcb制板情况。（15）超限保护：当人为操作不当触发X、Y、Z极限保护装置时，机器自动暂停，按复位按钮即可恢复运行。（16）配有自主开发的PCB快速线路板刻制系统软件，一键引导式软件设置及操作界面。（17）采用自主研发高速小跳径自冷主轴电机，非水冷主轴电机：可在0~60000rpm内设置转速，加工时可设置七档转速，软件自动优化转速。（18）机器配有软件限位及硬件限位双重限位保护：当X、Y、Z硬件超限保护后，软件限位会自动开启防止撞机发生。减少超限对精度的影响。（19）加工工作日志：具有远程升级、远程诊断与维护、远程控制、定时预约开关机等功能。（20）自动选择刀具：软件自动选择适合的刀具，无需转换及设置刀路，免除人工选择刀具参数的繁琐。（21）挖孔钻孔：对于孔径大于0.8的孔，直接用铣刀挖孔，无需频繁更换刀具。（22）区域选择雕刻：可选择内、外区域，进行局部雕刻。（23）组合雕刻：选择粗、细两把雕刻刀，软件自动分配雕刻区域。在不影响雕刻精度的情况下，用粗雕刻刀，快速铣掉大块铜箔区域，用细雕刻刀，雕刻出细微线路。加工时间缩短50%。

成果描述：本实用新型提供一种非震动式硬币分类机,包括盖板、第一筛选机构、新一毛硬币筛选板、第二筛选机构、五毛硬币筛选板、新一毛硬币收集盒、底板、第三筛选机构、五毛收集板、旧一毛硬币筛选板、旧一毛硬币收集板、旧一毛硬币收集盒、一元硬币收集盒、五毛硬币收集盒、机架和引导板。本实用新型结构简单,制造和使用都很简便,并且在使用过程中不需要电力驱动噪音小,设备使用寿命长。市场前景分析：本实用新型结构简单,制造和使用都很简便,并且在使用过程中不需要电力驱动噪音小,设备使用寿命长。与同类成果相比的优势分析：国内先进