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全钢方形半翻盖自助餐炉
◆全不锈钢材料
◆卷边工艺，无焊接保证光滑
◆挡水槽防止凝水外溢
◆新型液压转轴，防疲劳设计
◆份盘ANIT JAM设计，便于摆放
银都餐饮设备股份有限公司
2021-02-01
一种电力铺设用电线收拉装置
成果描述：本实用新型公开了一种电力铺设用电线收拉装置,包括主体,所述主体上设有控制器、收线箱、电机箱,所述收线箱的箱体内部设有收线轮,所述收线轮的中心轴线上设有主轴,所述主轴的两端通过固定轴固定在所述收线箱内,所述固定轴与所述收线箱之间通过轴承连接,所述固定轴的一端设有紧固手轮,所述紧固手轮与所述收线箱之间通过螺纹连接,所述电机箱内安装有步进电机,所述步进电机的电机轴与所述固定轴传动连接,所述收线箱的箱体上设有导向装置,本实用新型有效解决了在收线轮收线的过程中电线扎堆卷曲在收线轮的表面,实现了电力铺设用电线收拉过程,有效保护电线不受损害,具有结构简单、使用方便、使用效果好等优点。市场前景分析：本实用新型有效解决了在收线轮收线的过程中电线扎堆卷曲在收线轮的表面,实现了电力铺设用电线收拉过程,有效保护电线不受损害,具有结构简单、使用方便、使用效果好等优点。与同类成果相比的优势分析：国内领先
成都大学
2021-04-10
塞拉门控制器综合测试系统
南京工程学院
2021-04-13
一种弹性抗拉橡胶隔震支座
本实用新型具体涉及一种弹性抗拉橡胶隔震支座，包括隔震体、上连接板、下连接板、上封板、下封板，所述上连接板上设置有封板第一固定孔，所述上封板上设置有上封板粘结槽、上封板螺栓孔，所述下连接板上设置有封板第二固定孔，所述下封板设置有下封板粘结槽、下封板螺栓孔，所述封板第一固定孔、封板第二固定孔通过螺栓分别与上封板螺栓孔、下封板螺栓孔连接为一体；所述隔震体包括阶梯式芯体、第一橡胶层、第二橡胶层、钢板层、保护胶，所述隔震体固定设置在上封板与下封板之间。本实用新型装置，结构简单，生产安装方便，大大提升隔震支座的
安徽建筑大学
2021-01-12
便携式拉曼光谱测量仪
可以量产/n荧光一拉曼光谱仪可以为生物污染、石油污染、食品安全检测领域提供新的快速分析手段，提高我国在环境监测、食品安全检测方面的竞争力。该仪器体积小、使用方便，带电池供电，适于野外及各种现场检测，可以广泛用于食品安全、毒品鉴定、宝石鉴定等多个领域，具有广阔的市场应用前景。主要技术参数如下150-3900cm超宽拉曼光谱覆盖；高达4cm拉曼光谱分辨率；785nm的近红外波长激光器光源；包含专业拉曼数据库，即时对检测物质进行分析比对；配备Au/Ag等贵金属纳米粒子、纳米结构表面增强拉曼基底，表面增强拉
中国科学院大学
2021-01-12
207.苏拉卡尔塔智能对弈系统*
Ø 本项目是基于windows系统的苏拉卡尔塔智能对弈系统，拥有自主学习、决策智能训练的出众特点，同时具有人机对弈，机器对弈等基本功能。本项目由学生自主开发并且参加2011年全国第五届大学生计算机博弈大赛获得全国一等奖（冠军）。
北京理工大学
2021-01-12
UVRaman100紫外共振拉曼光谱系统
产品详细介绍UVRaman100紫外共振拉曼光谱系统 新一代紫外共振拉曼光谱仪
北京卓立汉光仪器有限公司
2021-08-23
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11