|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域，具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺，通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度，有效提升单晶的尺寸完整性，控制缺陷密度；具体包括：配制合适浓度前驱体溶液；量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上；将液滴蒸干批量获得单晶；进行热退火以释放晶格应力；所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶，元素分布均匀，具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料，在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
奥美拉唑肠溶缓释胶囊及片剂制备工艺
奥美拉唑是瑞典科学家在世界上第一个应用于临床的质子泵抑制剂。１９８８年上市后，由于它的抑酸作用强、持续时间长、有高度选择性，临床观察显示能更快地缓解疼痛，更快地使溃疡愈合，且副作用非常小，因此成为胃及十二指肠溃疡、反流性食管病和幽门螺杆菌感染等疾病的首选药物，被誉为“酸相关性疾病治疗的金标准”，其口服制剂——缓释肠溶胶囊和肠溶片在世界范围内畅销。随着该药品的专利保护到期，国内已相继注册和上市。但由于奥美拉唑易氧化变色，产品上市后制剂的稳定性一直是国内企业生产技术的难题。我们经两年多的研究，开发出制备奥美拉唑缓释肠溶胶囊和肠溶片的配方、制备工艺和质量标准（草案），制剂的稳定性预测有效期为3年。
武汉工程大学
2021-04-11
二维磁性材料磁光拉曼效应
研究了二维铁磁材料VI 3
南方科技大学
2021-04-14
狄拉克半金属超导电性调控
随着拓扑绝缘体、拓扑半金属等拓扑材料的发展，寻找和理解新的拓扑物态也激发了广泛的关注和研究。近些年，随着拓扑分类技术的不断发展和人们对拓扑物态的深入研究，高阶拓扑绝缘体、高阶拓扑半金属的概念随之诞生。高阶拓扑物态的“高阶”体现在体-边对应关系上。对于传统的d维拓扑绝缘体，其体态是有能隙的绝缘体，而在（d-1）维的边界上会出现无能隙的受拓扑保护的边界态，如三维拓扑绝缘体具有二维的狄拉克表面态，二维拓扑绝缘体具有一维
南方科技大学
2021-04-14
高分辨率系列拉曼光谱仪
高分辨率系列拉曼光谱仪包括手持式拉曼光谱仪、便携式拉曼光谱仪、显微拉曼光谱仪。手持式拉曼光谱仪有专用于药品等原材料真伪鉴别的手持式拉曼真伪鉴别仪、专用于危险化学品、毒品等违禁物检测的手持式拉曼安检仪。便携式拉曼光谱仪与显微拉曼光谱仪采用了模块化设计，包含多种激发波长与光谱分辨率的多种型号。这些拉曼光谱仪能够广泛用于药物成份分析、农作物农药残留检测、宝石的鉴定与识别、原辅料的鉴定及判别、细胞/病毒检测、生命科学、材料科学研究等领域。
上海理工大学
2023-05-15
电磁脉冲助推式渐进拉深成形方法及装置
本发明提供了一种电磁脉冲助推式渐进拉深成形方法，包括将 待成形板料置于凹模与凸模之间；实施预成形，使位于凸模底部的待 成形板料被压入凹模内；在待成形板料位于凸模底部的部分施加电磁 力，向下推送待成形板料；同时在待成形板料的周边均施加电磁力， 向凹模的中心推送待成形板料，使待成形板料流入凹模内；在凸模上 施加下压力，使凸模下行，使待成形板料位于凸模下部的部分被向下 拉深；反复执行冲压拉深与电磁脉冲拉深，直至完成待成形板
华中科技大学
2021-04-14
板材数控分区压边充液拉深液压机
板材数控分区压边充液拉深液压机（Ⅲ）是在生产型（Ⅰ型）和研究型（Ⅱ型）基础之上开发和研制的又一新型设备，设备图和主要技术参数如图所示。可制造铝合金板、不锈钢板、钛合金板、铜合金板、碳素钢板等复杂曲面结构件。 主要技术参数 型号：YHF29-100/60 总压力：1000kN 最大总压边力：1-600kN 分区变压边力：4×0-150kN 变液压力：0-25MPa 主缸最大行程：600mm 压边缸行程：400mm 工作台面：600×600mm
上海理工大学
2021-04-13
供应拉曼系统R-3000型光谱仪
产品详细介绍| 光电测量产品 >> 拉曼光谱仪 >> 拉曼系统R-3000型光谱仪拉曼系统R-3000型光谱仪 拉曼系统R-3000型光谱仪是一种全综合功能的拉曼分析仪器，可以实现对波长范围在200～2700cm-1的水性液体、粉末、块体、凝胶和表面介质的实时的定性和定量的光谱分析。 拉曼R-3000可以应用在多种场合，包括药物学监测与质量控制、化学与石油化学过程与质量控制，毒品与炸药检测和水质分析等。产品特色综合系统。拉曼系统R-3000型光谱仪是一个集成了二极管激光器、CCD阵列光谱仪、光纤探头和操作软件的多合一系统。改良设计。R-3000型光谱仪使用第三代设备，改进了产品的激光解析度（优于10 cm-1，而R-2001型光谱仪的解析度为 15 cm-1）和稳定性（波长稳定性优于1 cm-1，输出稳定性为4％ ）。探测灵活。R-3000型光谱仪的光纤探头带有探头帽，可以进行简单的校准和调焦。软件先进。R-3000型光谱仪使用新的软件， 可以实现指纹识别和定量分析。全综合功能系统拉曼系统R-3000型光谱仪配有785nm或532nm可选的固态二极管激光器，一个可选择TE冷却的光纤光谱仪，一个可用于液体、固体和粉末的多合一光纤探头，一个聚焦和校准的探头帽，一个软件控制的激光遮光器及其操作软件，一个样品架，以及一个防护眼镜。R-3000型光谱仪的样品光谱新的软件带有指纹识别和定量分析的功能（把样品中的检出物与数据库中的光谱数据进行匹配，并确定其浓度），积分时间增加到数分钟，并且新增了多重光谱显示功能（可以重叠显示达20个光谱图）。
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23