高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台
高校科技成果转化对接服务平台
大学生创新创业服务平台
登录
|
注册
|
搜索
搜 索
综合
项目
产品
日期筛选:
一周内
一月内
一年内
不限
借助石墨烯实现Si(100)衬底上
单晶
GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体
单晶
薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物
单晶
及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域,具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺,通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度,有效提升单晶的尺寸完整性,控制缺陷密度;具体包括:配制合适浓度前驱体溶液;量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上;将液滴蒸干批量获得单晶;进行热退火以释放晶格应力;所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶,元素分布均匀,具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料,在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
室燃
炉
共处置危险废物焚烧系统
本实用新型公开了一种室燃炉共处置危险废物焚烧系统。炉膛下部布置有燃烧器、雾化燃烧器、燃烬风口,炉膛上部炉墙布置有水冷壁并与尾部烟道相连,炉膛底部布置有排渣装置;固态危险废物和煤分别储存在固态危险废物料仓和煤仓内,通过给煤机送入磨煤机制粉并由一次风机送入固体进料口,二次风由二次风机送入固体进料口助燃;液态危险废物料罐、液态危险废物给料泵、液体进料口顺次相连。本实用新型有效利用现有室燃炉进行危险废物的共处置焚烧,降低危险废物无法及时处理而产生的贮存费用及环境风险,有效缓解危险废物处置能力不足的现状。
浙江大学
2021-04-13
流化床气化
炉
动力学模型
项目简介 煤气化技术因其在成本、环保等方面的优良性能,在电力工业、化学品生产、燃气工业 等领域获得了广泛的应用,而大型化的煤气炉是工业应用取得成功的前提,建立准确的煤气 化炉动力学数学模型是研究气化炉放大的有效手段之一。本模型为三维流化床气化炉动力学 模型,处于国际国内领先水平。 项目特点 本模型以 Fluent 软件为平台,采用双欧拉气固流动模型结合颗粒动力学理论计算流化 床的流场,在此基础上加入化学反应模块从而建立了气化炉整体反应动力学模型,得到了气 体和颗粒的速度场、反应物及生成物的浓度场、温度场、化学反应速率场、压力的分布及脉 动等信息。 项目前景 本模型可以为研究流化床气化炉的放大提供有效手段,节省大量资金,且可以对试验工 况进行优化,为工况的选择提供参考。 流程图:
南京工程学院
2021-04-13
加热
炉
数学模型优化控制系统
在轧钢生产过程中,钢材的温度水平和温度分布是影响产品的质量和产量以及生产过程消耗的重要因素,而钢材的温度与加热炉的加热过程和轧线生产情况直接相关。因此研究钢材在加热炉内的加热过程和轧制过程中的温度变化,准确控制钢材的温度,对整个轧钢生产过程的优化具有重要意义。 所谓加热炉数学模型,实际上是加热炉热过程的数学描述,它描述加热炉炉内发生的热过程的基本规律和热状态,确定炉内热过程参数间的定量关系。在线控制数学模型的作用在于根据可测参量(如炉温、燃料量、产量等)计算出不可测的参量(如金属温度及其分布),并依此计算来确定优化的操作制度(炉温制度或供热制度)。 在保证产量和质量的前提下,根据加热炉数学模型,以降低燃耗、减少氧化烧损为目标,通过离线优化计算,可以得到适应产量变化、钢材尺寸和材质等变化的最优炉温制度和钢材升温曲线,为在线控制提供依据。 在加热炉数学模型和离线优化计算的基础上,建立加热炉在线优化控制系统,包括物料跟踪模块、温度跟踪模块、最佳炉温动态设定模块、反馈控制模块、燃烧控制模块、待轧及故障处理模块以及网络通讯模块和数据库管理系统等,控制系统的总体结构如图所示。 该项目已成功应用于宝山钢铁股份有限公司钢管分公司环形加热炉和荒管再加热炉的计算机控制中,并获“宝钢重大科技进步成果三等奖”和“冶金科学技术三等奖”。应用范围:该项目可以应用于加热炉的计算机控制中,特别适用于冶金企业的连续式加热炉计算机控制中。
北京科技大学
2021-04-13
一种多功能火灾试验
炉
系统装置
本发明涉及一种多功能火灾试验炉系统装置,包括加热炉本体、燃料系统、电子点火及控制系统、燃烧控制系统、供风系统、排烟系统、烟气特性测试系统、温度场及辐射热通量测试系统、炉室及烟道压力测试系统、泵式喷淋水灭火系统、实验图像采集系统及加载装置。本发明提供的火灾试验炉可以多角度地实验模拟在火灾高温作用下建筑结构体系情况,可以研究建筑结构体系的着火特性、火灾蔓延特性和燃烧规律,以及烟气的流动特性、蔓延规律和防排烟技术对火蔓延的影响特性和规律,研究成果可以为多种建筑结构和建筑体系的防火性能化设计提供可靠的理论分
安徽建筑大学
2021-01-12
感应
炉
冶炼超纯净钢的新技术
在钢铁冶金行业中,超纯净钢生产多通过转炉联合各种精炼炉实现,通过调控转炉渣和精炼渣组分,经由渣金界面反应完成有害杂质(如硫磷)的去除,但该工艺对铁水要求高,周转和冶炼周期长,而且钢液多次转换冶金容器,增加了污染机会;相比而言,感应炉炼钢具有原料适应性强、冶炼成本低、周期短的特点,开发感应炉冶炼超纯净钢技术可以拓宽纯净钢生产途径,可以实现节能降耗,提高钢材产品的市场竞争力。本项目主要提供感应炉炼钢中脱硫和脱磷及同时脱硫脱磷的新技术,通过调控冶炼参数,如冶炼温度、炉渣组分和配比、冶炼流程、
江苏大学
2021-04-14
新型惰性气体保护高温加热
炉
研发阶段/n内容简介:该惰性气体保护炉结构特点是:加热处理室采用工作台与盖子可同时上升或下降的结构,上升下降式机构设置在底部,热处理室盖子与工作台以圆锥表面相配合,盖子与工作台之间留有一段间隙,它们之间的磨损,不影响它们的配合,保证配合紧密,工作时热处理室盖子通过上升机构紧压在炉顶,更增加配合紧密性.因此是同类密封式热处理炉子中最为理想的结构.本产品获得一项专利,专利号:ZL200420076090.4。
湖北工业大学
2021-01-12
DNA分子杂交技术,分子杂交
炉
、核酸分子杂交
产品详细介绍 DNA分子杂交技术,分子杂交炉、核酸分子杂交 一、用途特点: 此仪器是我厂与北京大学生物系、复旦大学遗传所等科研单位参照国外最新产品联合研制推出的国内首创产品。TC-4YY型多功能核酸分子杂交仪,本仪器的各项技术指标均达到国外同类产品水平。可替代进口杂交仪,本仪器采用独特的滚动式反应架装置,配套特制密封杂交管在水平轴上旋转,使杂交管内壁上的杂交反应膜各处能均匀地杂交液反复地接触,充分反应。可进行生物大分子DNA、RNA及蛋白质杂交反应。不仅比塑料袋或其它容器在水浴中进行分子杂交反应效果好,并且还能减少杂交液体积,提高杂交效率,而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危险。因此,本仪器广泛应用于生物大分子的杂交反应或其它长时间振摇的化学、生化及免疫学反应,是开展分子生物学技术不可缺少的仪器。 本仪器采用先进的单片计算机进行控制,人机界面采用点阵式液晶显示器(LCD),直观显示系统的运行状况。温度控制采用数字PID技术,输出采用PWM方式,控制精度高,稳定性好,并设有超温保护装置。仪器采用独特滚动式反应装置,每次可夹6根特制玻璃封管在水平轴旋转,旋转速度为每分钟0~16转/可调。TC-4YY型分子杂交仪除具有TC-3YY型所有功能外,杂交箱内可放入直径42mm长300mm杂交瓶。 托盘摆动速度每分钟5~50次/可调。 二、技术指标: 1.电源电压:AC220V±10% 50Hz 350W 2.使用环境:0℃~+40℃,相对湿度:≤90%RH 3.温控范围:环境温度+5℃~100℃可调 4.温度波动值:±1℃ 5.温度显示精度:0.1℃ 6.温度均匀性:±0.03℃ 7.瓶架转速:0~16转/分可调 8.杂交管规格:Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只(任选) 9.摇台摆动频率:5~50次/分可调 10.工作室尺寸:330mm×270mm×310mm 仪器报价以公司网站为主 相关链接:http://www.tocan.cn/category.php?id=17 公司地址:上海市翔殷路165号B区211室 邮编:200433 联系电话:021-51863860、13621641125 QQ:572980613 上海领成生物科技有限公司提供专业的产品、专业的售前、售中、售后服务,将使您的工作能够收到事半功倍的效果。欢迎新老顾客来电咨询,领成将为您提供最优质的服务!
上海领成生物科技有限公司
2021-08-23
首页
上一页
1
2
...
15
16
17
...
27
28
下一页
尾页
热搜推荐:
1
云上高博会企业会员招募
2
64届高博会于2026年5月在南昌举办
3
征集科技创新成果