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真空钼丝炉
产品详细介绍 真空钼丝炉 产品编号：Cx005 ◎产品说明 设备特点： 本电炉为立式结构，适用于金属材料在高真空，高温条件下进行退火、钎焊、烧结、除气处理，同时也适用于石英材料的脱羟处理。 技术参数： 型号 名称 额定功率 最高工作温度 工作区尺寸 极限真空度 ZM-25-16 真空钼丝炉 30KW 1600℃ Ф150×200 <3×10-3Pa ZM-36-10 真空钼丝炉 36KW 1000℃ Ф300×400 <3×10-3Pa ZM-40-16 真空钼丝炉 40KW 1600℃ Ф200×280 <3×10-3Pa ZM-45-15 真空钼丝炉 45KW 1500℃ Ф340×400 <3×10-3Pa ZM-45-16 真空钼丝炉 45KW 1600℃ Ф340×400 <3×10-3Pa ZM-66-12 真空钼丝炉 66KW 1200℃ Ф350×600 <8×10-4Pa 产品采用专业技术生产制造的特点： 1. 独有的加热元件布置结构，炉温均匀好，寿命长。 2. 独有的保温结构，节能性，长寿命。 3. 独有的一体化水、电联接结构，具有故障低，调试快。维护方便的特点。 4. 独有的快冷方式，能快速降低炉温，提高生产效率。从1000℃降到100℃只需1个多小时。 5. 模拟操作界面及PLC适应生产需要，故障低，自动化程度高，是连续生产产品品质的保证。
上海晨鑫电炉有限公司
2021-08-23
真空纳米收集炉
产品详细介绍 ZN-20真空纳米收集炉 一.说明： 纳米粉末收集炉是在真空或充保护气体状态下，利用中频感应加热的原理实现金属与坩埚熔炼蒸发，然后利用一旋转装置收集纳米级粉末的设备，节能、产量高、粉体粒度尺寸可控、设备操作简单，设计新颖，是科研院校以及科研单位实验室理想的制备纳米粉末的设备，可以实现真空收集及真空密封。 二.主要技术参数：1.额定功率：20KW2.额定温度：1800℃3.容量： 500g4.极限真空度：5X10-3Pa5.压升率：≤4Pa/h 6 电源：中频电源IGBT 三、结构说明 本产品由炉盖、炉体、旋转收集装置、充气系统、真空系统及高频电源控制系统等组成： 1、炉体： 为全不锈钢设计，炉壳采用双层水冷结构。 2、旋转收集装置：炉体上设有旋转收集装置，呈扇形状。收集器的内侧设有粉末收集刀，旋转的同时把纳米粉导入收集瓶中。 3、真空系统： 采用二级泵，即k150油扩散泵与2XZ-8D 直联泵。真空机组上设有放气阀及充气阀。 4、炉架：由型钢钢板组焊成柜架结构，炉体安置在炉架上。 5、水冷系统：由各种阀、管道等相关装置组成，并设有断水时声光报警、自动切断加热电源功能。 6、加热电源：电源采用最新技术（IGBT模块），整套电源相当于一台电脑主机般大小，外观小巧、节能环保。
上海晨鑫电炉有限公司
2021-08-23
真空熔炼炉
产品详细介绍 真空熔炼炉 产品说明 一、设备用途本产品主要供大专院校、科研单位及生产企业在真空或保护气氛条件下对金属材料（如不锈钢、镍基合金、铜、合金钢、镍钴合金、稀土钕铁錋等）的熔炼处理，也可进行合金钢的真空精炼处理及精密铸造。二、主要技术参数：1.电源功率：100KW2.额定电压：380V3.中频电压：375V4.最高温度：1700℃5.中频频率：1500-2500Hz（频率自动跟踪）6.坩埚容量：25Kg（钢液）7.极限真空度：6.67×10-3Pa8.压升率：4Pa/小时三、结构说明本产品由炉盖、炉体、炉底、坩埚回转机构、真空系统及中频电源控制系统等组成。炉盖、炉体及炉底均采用双层水冷结构，保持炉壳温度不超过60℃。炉盖打开方式为手动，炉盖上设有观察孔及挡板，为便于熔化过程中添加合金元素，炉盖上特设有合金加料器。炉体内有一感应线圈，通过手动转动炉外手柄可轻松将坩埚内熔液浇入锭模，锭模可设计成水冷形式。坩埚上部设有一测温装置。真空系统采用二级泵，即K-300油扩散泵与2X-70机械泵，机械泵上设有电磁放气阀避免停电后返油。真空机组上设有放气阀及充气阀。中频电源可选择KGPS可控硅或IGBT、全数字电路等，电气系统设有过流、过压返馈及保护电路。集成电源
上海晨鑫电炉有限公司
2021-08-23
燃气壁挂炉
时代一直在进步，对于现代家庭来说，人们更加注重室内环境的舒适和卫生，因为现代人生活压力大，回到家当然更希望有一个舒适的环境，对于采暖设备来说，燃气壁挂炉是适合家庭采暖的了。爱客多燃气壁挂炉说说家庭采暖使用壁挂炉的五大优势。
，壁挂炉不是二十四小时都在连续工作的，而是按照设置的程序自动开始工作，也是自动停止，而且采暖热负荷一般要小于家庭的热水负荷，这样看来壁挂炉的温度是在室内温度下，这样可以给我们带来方便，这是好处之一。
第二，壁挂炉不污染空气，它主要是通过独立的排烟管和进气管获取空气和排放废气，重要的是于室内的空气无关，这样大大提高了它的安全可靠性。
第三，壁挂炉的使用在欧洲已经有40多年的历史，技术已经很成熟，设施很完善，所以在使用上大家是可以放心的，而且现在它的卫生用水和取暖热水是不在一起混合的，都是有着独立的系统，这样干净清洁。
第四，吸纳密闭的系统可以使系统内的压力保持稳定，延长使用寿命内膨胀容积是靠它的有效容积大小来判断的，它主要是靠循环取暖，大大地增加了利用率节约能源和电量，这样也减少了经济效益。
第五，壁挂炉好处在于，当你长期不在家的时候，把供暖系统的温度调整为低的时候可以防止系统的装置被冻坏，这样就可以保护你的采暖炉了，简单的生活热水循环是不能保护你的取暖炉的喔，所以大家一定要注意这一点不要伤害了我们家庭取暖的必须品喔。
现在，越来越多的家庭都趋向于使用壁挂炉进行供暖，还有一些业主将空调系统与壁挂炉进行结合联动，在既达到舒适采暖效果的同时，还能实现制冷、取暖和生活热水一体化，实现真正冬暖夏冷，四季如春的舒适生活。家庭采暖选壁挂炉，那么选择哪个燃气壁挂炉厂家的产品比较好呢？爱客多燃气壁挂炉具有32重安全保护措施，是您家装的佳选择。
山东爱客多热能科技有限公司
2021-09-13
沸腾焙烧炉模型
产品详细介绍
洛阳市凯通教学仪器厂
2021-08-23
沸腾焙烧炉模型
产品详细介绍
宁波青华科教仪器有限公司
2021-08-23
GJ-TS-II型提斗上料装置
电机通过V带传动蜗杆减速器和链传动带动传动轴转动，传动轴上的辊子也随之转动，通过其缠绕钢丝绳拉起摆杆，从而带动料斗升起，到顶部时碰到接斗，使料斗翻转，实现送料，蜗杆减速器输出轴还通过同步带传动和丝杠带动螺母来回移动，使行程开关接触或分离，实现升降限位。
TS-I型提斗上料装置获黑龙江省高等学校教学成果二等奖。
技术参数如下：
①电动机：功率P=180W，转速n=1400rpm；
②电源：380V，50Hz；
③蜗杆减速器：传动比i=50；
④V带传动：型号Z型，根数1，带长La=760mm；
⑤同步带传动：520-5M-10；
⑥滚子链传动：号06B，节距P=9.525；
⑦提升高度：H=400mm；
⑧外形尺寸：长x 宽x 高=1070㎜x 400㎜x 385㎜；
⑨重量：190kg。
哈尔滨工江机电科技有限公司
2023-01-16
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性：为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件，又可应用于微波器件中，本项目提出了铋镥铁石榴石（BiLuIG）薄膜的设计体系，为了使其同时具有良好的磁光和微波特性，本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方，并选用无铅液相外延技术，大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方设计研究：基于四能级跃迁模型，并结合离子替代规律和多离子掺杂技术，寻找最佳配方；（2）液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究：包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等；（3）材料在器件中的验证研究，设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标：（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义：本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司（中电九所下属）、陕西金山电器有限公司（4390厂）等单位使用，并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品，用于制备磁光和微波器件，受到好评。
电子科技大学
2021-04-10
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。
电子科技大学
2021-04-10
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11