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一种改善电子传输材料醇/水溶性和电子注入特性的方法
本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差,不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性,同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减,而且还能够简
武汉大学 2021-04-14
电工电子实验室设备,电工实验室,电子实验室
产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备
上海上益教学仪器有限公司 2021-08-23
一种控制应变加载模式下的沥青混合料仿真疲劳试验方法
本发明公开了一种控制应变加载模式下的沥青混合料仿真疲劳试验方法,该试验方法通过对沥青砂浆进行疲劳试验获取沥青砂浆疲劳失效条件,再通过生成沥青混合料仿真试件进行疲劳试验输出疲劳表征变量,将输出表征变量与疲劳失效条件相对比,从而得出沥青混合料疲劳失效相关参数。本发明能够很好地模拟沥青混合料在进行四点弯曲疲劳试验时的受力状态,在获得沥青砂浆疲劳性能衰减规律的基础上,可任意改变粗集料含量实现沥青混合料疲劳过程的仿真模拟而不需要进行实际沥青混合料疲劳试验,解决了沥青混合料疲劳试验周期长,实验结果离散性大,试验成本高等问题,对于道路工程专业研究具有重要意义。
东南大学 2021-04-11
楔横轧非对称轴类件及无料头近净成形技术
团队发明了小料头/无料头的楔横轧成形工艺,将轴类成形的材料利用率提高至95%以上,实现楔横轧轴类零件无料头近净成形。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 轴类件为机械装备的关键零件之一,传统工艺多为锻造与切削方法加工制造。楔横轧是一种高效节能节材的轴类件先进成形技术,与传统的切削、锻造成形方法比较,成本平均下降约30%,是成形轴类件的最佳工艺。 团队发明了小料头/无料头的楔横轧成形工艺,将轴类成形的材料利用率提高至95%以上,实现楔横轧轴类零件无料头近净成形。发明了一种热辊剪成形机构,通过棒料剪切装置中上、下轧辊进行挤压剪切,得到所需的端面特定形状,解决了复杂坯料端部形状不易预成形难题。 团队研制了抑制楔横轧非对称轧制轴向窜动的新型模具,实现了非对称轴类件稳定轧制,扩大了楔横轧产品范围,同时扩展到大型长轴类的非对称件,发明了非对称铁路车轴可更换辊系自位型辊式楔横轧机,这是国内外首次设计完成的大型楔横轧机,解决了轧制时轧件受力与变形不均匀及模具快速更换难题,为高铁空心车轴等大型轴类件的国产化提供技术与设备保障。 在非对称轴类件轧制以及无料头楔横轧成形方面的技术发明,形成了具有自主知识产权的技术发明链,申请发明专利18项,已授权发明专利11项,转让发明专利5项,出版专著3部。
宁波大学 2022-08-16
一种基于内摩擦角的乳化沥青冷再生混合料制备方法
本发明公开了一种基于内摩擦角的乳化沥青冷再生混合料制备方法,根据推荐级配范围调整再生材料级配;通过对再生混合料的土工击实试验确定最佳含水率与最大干密度;在最佳含水率下成型并养生试件,利用三轴压缩试验得出的内摩擦角确定最佳乳化沥青用量;在此最佳乳化沥青用量下通过干湿劈裂试验确定劈裂强度是否满足设计要求;根据确定的再生材料级配、最佳含水率及最佳沥青用量确定乳化沥青冷再生混合料配比,并进行混合料性能测试。 本发明相比于现行基于干湿劈裂强度的乳化沥青混合料设计方法,在考虑材料抗拉强度的同时,更加针对地考虑了乳化沥青混合料使用过程中的剪切应变导致的永久变形或剪切破坏。
东南大学 2021-04-11
青白散抗炎作用及对大鼠慢性损伤骨骼肌中炎性细胞因子表达的影响
青白散抗炎作用及对大鼠慢性损伤骨骼肌中炎性细胞因子表达的影响
成都体育学院 2015-02-26
稀散多金属采选冶废弃物减量化、资源化与污染控制及环境 管理研究
一、研发背景 我国是有色及稀散金属资源大国,产量更是在全球具有绝对控制地位。稀散有色金属矿的开发利用给我国带来巨大的经济效益,与此同时也带来了严重的环境重金属污染。稀散有色金属矿经开采、选、冶加工后,会遗留下大量的尾矿、冶炼渣和各种尘泥。从环保和安全上来说,稀散多金属采选冶废弃物是重大的污染源和危险源,控制固体废弃物污染特别是矿业固体废弃物成为中国环境保护领域的重要问题之一。 二、技术内容 (1)新型深部充填减量化技术。开发一种价格低廉、材料来源广泛且固化重金属效果优良的地下采矿胶结充填料,能够降低充填采矿成本,并可以安全处置危险废物;(2)尾矿库微生物原位成矿修复技术。利用微生物(硫酸盐还原菌、寡营养铁还原菌)控制环境中 Fe3+ 浓度、降低环境电位、降低环境中游离镉、锑等重金属离子,实现现役尾矿库的微生物生态修复。(3)五层覆盖强还原原位成矿修复技术。基于矿物学--生物地球化学协同作用,开发已闭库或无主尾矿库的重度污染区的五层(无污染客土层、膨润土密封层、有机质深度还原密封层、含高风险稀散多金属及砷和重金属尾矿生物法控制污染主反应层、原始尾矿层)覆盖强还原稳定成矿修复技术。 三、作用原理 针对我国含稀散多金属硫化矿采选冶废物易引起氧化淋溶、存在溃坝风险和对周边及重大流域构成的严重环境威胁等问题,首先研究采选冶废物处置环境风险评估方法,建立稀散多金属采选冶废物处理处置污染控制技术评估方法;利用冶炼废渣及尾矿库内堆存尾矿,研发新型膏体充填减量化、资源化技术;针对现役尾矿库,利用硫酸盐还原菌及寡营养铁还原菌研发尾矿微生物原位成矿修复技术;针对已闭库及无主尾矿库,基于矿物学--生物地球化学协同作用,研发重度污染区的五层覆盖强还原稳定原位成矿修复技术;组合应用上述技术,在典型稀散多金属采选冶集中区开展技术示范;最终形成“基于风险控制的稀散多金属采选冶废物减量化、资源化处理处置与污染控制方案和环境管理导则”,为我国稀散金属多金属污染防控和环境管理提供技术支撑。
北京科技大学 2021-04-13
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
郑州电子商务职业学院
(null)
郑州电子商务职业学院 2021-02-01
双电子注同轴腔回旋管
主要功能:实现单频和双频的大功率太赫兹波输出。 ? 应用领域:在主动探测、雷达、通信、材料的线性和非线性特性、高密度等离子体特性研究、增强核磁共振技术和放射性材料遥测等方面具有极其重要应用前景。 ? 特色及先进性:在双电子注同轴腔回旋管中,一根电子注工作在基波,另外一根电子注工作在高次谐波,利用两个电子注与电磁波间的非线性耦合,实现双频大功率太赫兹波输出。 ? 技术指标:工作频率110/220GHz;输出功率:20kW。
电子科技大学 2021-04-10
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