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关于印发《吉林省科技厅关于科研失信行为调查处理的工作规程》的通知
《吉林省科技厅关于科研失信行为调查处理的工作规程》已经吉林省科学技术厅党组会审议通过,现印发执行,请结合工作实际,认真落实相关责任。
吉林省科学技术厅 2023-03-03
人才需求:企业目前正在针对“空气收集金属罐表面惰性化处理”进行技术性攻关
企业目前正在针对“空气收集金属罐表面惰性化处理”进行技术性攻关。该技术是将硅通过特殊工艺镀在金属表面,使得金属不再粘附空气中杂质,并延长设备使用期限
山东润通科技有限公司 2021-09-02
人才需求:柴油车后尾气处理装置“铜基分子筛催化剂”的研发专家
柴油车后尾气处理装置“铜基分子筛催化剂”的研发专家
山东宇洋汽车尾气净化装置有限公司 2021-08-27
高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作新闻发布会在京召开
1月10日,中国高等教育博览会新闻发布会在北京召开,主题是介绍高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作。
中国高等教育学会 2023-01-10
高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作新闻发布会在京召开
1月10日,中国高等教育博览会(简称高博会)新闻发布会在北京召开,主题是介绍高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作。中国高等教育学会副会长、秘书长姜恩来,学会实验室管理工作分会副理事长兼秘书长、北京大学实验室与设备管理部部长刘克新,学会教育信息化分会副理事长兼秘书长、华东师范大学信息化治理委员会秘书长沈富可等出席发布会。发布会由学会事业发展部主任吴英策主持。
中国高等教育学会 2023-01-11
报道合集|高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作新闻发布会
1月10日,中国高等教育博览会新闻发布会在京召开,介绍高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作。发布会采取线上线下相结合的方式召开,20余家媒体参会。
云上高博会 2023-01-12
高博会系列报道 | 第二届数字时代创新创业教育研讨会在重庆召开
4月8日,第二届数字时代创新创业教育研讨会在重庆召开。中国高等教育学会副秘书长郝清杰,学会创新创业教育分会副理事长:西南交通大学党委副书记杨爱华、中国矿业大学党委副书记王增国、潍坊学院党委书记李东、新未来在线教育董事长黄贵洲,学会创新创业教育分会副秘书长:四川大学双创学院专职副院长吴迪、新未来在线教育执行总裁张韦韦等学会领导以及教育界、产业界专家学者200余人参加论坛。
中国高等教育学会 2023-04-26
中国高等教育学会关于数字赋能现代职业教育体系建设改革论坛的通知
为深入贯彻落实党的二十大精神,顺应新时代数字技术革命的到来,大力推进现代职业教育体系建设改革,促进职业教育的高质量发展,为中国式现代化培养高素质技术技能人才,经组委会研究,中国高等教育学会决定举办“数字赋能现代职业教育体系建设改革高峰论坛”。
中国高等教育学会 2023-03-24
HD-SDI矩阵、数字高清音视频HD-SDI矩阵、HD-SDI转HDMI转换器
产品详细介绍   HD-SDI数字高清音视频矩阵主要特性    HD-SDI系列数字高清矩阵内部采用专用的1.5Gb/s高速开关芯片,图像清晰无误码;输入端采用了自适应均衡专用芯片,提高了输入信号的适应能力;输出带驱动设计,有效增强了输出能力。    机箱全部采用EMI的结构设计,有效的防止电磁辐射及电磁波的干扰,性能更加稳定。    内嵌智能控制,采用了独特的处理方式,大大提高了设备的切换速度,实现了指令之间不需等待的快速控制;具备掉电状态存储保护、开机自动恢复记忆的功能。    除面板键盘和红外遥控(选配)操作外,还提供RS232控制接口,方便用户与各种集中控制设备(如MSEER、快思聪、AMX等)配合使用;通过随机提供的软件,可方便设定设备编号,便于多台同型设备共联控制。    HD-SDI系列数字高清矩阵主要应用于高清广播电视工程、高清可视会议厅、大屏幕显示工程、高清电视教学、指挥控制中心等高清应用场所。产品参数SDI/HD-SDI特性兼容码流 :143Mbps~1.5Gbps均衡能力 :100m @1.5G(Belden 1694A)时钟恢复 :可选SDI/HD-SDI输入信号输入 :SDI/HD-SDI信号接口形式 :BNC阻    抗 :75Ω反射损耗 :>18dB 5MHz-1.5GHzSDI/HD-SDI输出信号输出 :SDI/HD-SDI信号接    口 :BNC输出幅度 :1500mv±5%直流偏移 :0V±0.5V信号过冲 :0V±0.5V信号抖动 :< 0.2 UI per SMPTE阻    抗 :75Ω音频特性增率 :0dB频率响应 :20Hz~20kHz总谐波失真+噪声 :0.05% @1kHz(额定电压下)共模抑制比(CMRR):(CMRR)>75dB@:20Hz~20kHz音频输入信号类型 :立体声,平衡/非平衡接口形式 :5PIN接口阻抗 :>10kΩ最大电平 :>+21dBu音频输出信号类型 :立体声,平衡/非平衡接口形式 :5PIN接口阻抗 :>470kΩ最大电平 :>+21dBu控制类型     停止位:1位,无奇偶校验位串行控制口结构:2=TX,3=RX,5=GND规格     电源:100VAC ~ 240VAC, 50/60 Hz, 国际自适应电源     功率:≤40W     存储环境温度:-20°C ~ +150°C     工作环境温度:-10°C ~ +55°C     相对湿度:20% ~ 95%     平均无故障时间:30,000小时
上海熙昂电子科技有限公司 2021-08-23
一种通过用胶带预处理生长基底来合成单层二硫化钼枝晶的方法
一种通过用胶带预处理基底来气相沉积生长单层MoS 2 枝晶的方法,有意在初始成核阶段和/或生长过程中引入孪晶缺陷,实现单层MoS 2 树枝晶的形貌调控。所得的MoS 2 晶体具有六次对称的骨架,分枝数可调。其形状的演化过程是由胶黏剂种子诱导的双晶缺陷形核和局部硫/钼源蒸气比的协同效应所引起的。此外,由于硫空位的富集,极大地增强了循环孪晶区的光致发光效率。该工作为合成可控形状的单层MoS 2 提供了一种简便有效的策略,同时也为理解孪晶缺陷的生长机制以及在其电催化和光电催化等领域的应用做出了贡献。
南方科技大学 2021-04-13
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