产品详细介绍 JK系列三频数控超声波清洗器 合肥金尼克机械制造有限公司   地址：合肥双凤开发区凤麟路38-2号 联系人：苏苏 电话：13215694991/13275601658/0551-65683226 传真：0551-3511286 本仪器是根据医院的特点设计成专用的三频超声波清洗洗设计。主要适用于医院手术刀，止血钳、内镜活检钳、镊子、各式大小注射器、试管玻璃片、换药碗、各种盘子、圆桶、测压器等放射性、污染性、大批量、高洁度的予浸后的清洗，是医院手术室、供应室及消毒中心的必备高设备。

产品详细介绍台式数控超声波清洗器　台式数控超声波清洗机，实验室超声波清洗机，数码显示超声波清洗机，多功能超声波清洗机，桌面上数码超声波清洗机，不锈钢超声波清洗机台式双频超声波清洗机，三频超声波清洗机，高功率超声波清洗机，高频率超声波清洗机，双频恒温数控超声波清洗机，实验室煮沸槽　销售联系方式：13205609730   0551-65366913   QQ:1038842749台式数控超声波清洗采用国际上最先进的集成电路晶体管微处理电路数码显示及中文液晶显示，主要适用于大专院校科研单位、实验室、电子行业、商业、医疗行业等的高精度清洗、脱气、混匀、乳化、消泡及细胞粉碎。型 号 内槽尺寸mm 容量L 频率KHz 功率w 加热功率w 温度范围℃ 时间范围minJK-50DB 150*140*100 2 40 50 200 0-80 1-480JK-2200DB 230*140*100 3 40 100 200 0-80 1-480JK-100DB 300*150*100 4 40 100 500 0-80 1-480JK-3200DB 300*150*150 6 40 150 500 0-80 1-480JK200DB 300*150*150 6 40 200 500 0-80 1-480JK-5200DB 300*240*150 10 40 200 500 0-80 1-480JK-250DB 300*240*150 10 40 250 500 0-80 1-480JK-300DB 300*240*150 10 40 300 500 0-80 1-480JK-400DB 300*240*150 10 40 400 800 0-80 1-480JK-450DB 330*240*150 15 40 400 800 0-80 1-480JK-500DB 500*300*150 22.5 40 500 1000 0-80 1-480JK-600DB 500*300*150 22.5 40 600 1000 0-80 1-480JK-700DB 500*300*150 22.5 40 700 1000 0-80 1-480JK-1000DB 600*300*280 52 40 1000 4000 0-80 1-480JK-1500DB 600*300*280 80 40 1500 6000 0-80 1-480JK-2000DB 600*300*280 115 40 2000 9000 0-80 1-480注：以上仪器材质均为优质不锈钢，配置有降音盖、网篮、排水口

CK84系列数控轧辊车床是我公司自主研发的的系列产品之一。 本机床是我公司自行研发设计生产，采用国际先进设计手段和制造技术，集光、机、电、液于一体的高端数控轧辊车床。本机床主要用于平辊、孔型辊的粗精加工，同时可用于车外圆、端面、切槽、车锥度、车螺纹等回转轴类零件。机床床身可选整体三导轨或整体四导轨结构形式。最大工件长度可由用户选择，数控系统可根据用户情况选择其他系统。本机床也可以按照用户需求提供双刀架及其他功能部件。

随着光伏产业的高速的发展，硅锭切割产生的切割废料也将出现井喷式的增长。仅2012年一年，我国就用了23万吨的多晶硅，产生了近25万吨的粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)，回收厂家院内废料堆积如山，粉尘飞扬，环境恶劣。而粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)中的SiC和晶体Si粉都是通过高能耗、高成本制备出来的，所以如能将这些废料得以回收利用，不仅减少了环境污染，也会产生出巨大的经济效益。特别是如能将二次废料中价值最高的晶体硅粉得以回收并再用于制造太阳能多晶硅，这对我国减少多晶硅的进口是有重要意义的，所以说，从晶体硅切割废料中回收多晶硅是今后一个重要的发展方向。 （1）本项目可从多晶硅切割废料中提取出太阳能级多晶硅，其技术含量高、生产成本低、能耗小。生产的多晶硅可以替代国外进口产品，减少我国多晶硅的进口量，这对降低光伏能源成本，实现光伏能源的普及有重要意义。 (2) 本项目同时生产的副产品碳化硅制品的最大特点耐高温和耐磨性等性能远好于同类产品，且价格远优于国内同类产品，因此该副产品有着广阔的市场前景，市场竞争力强。该副产品作为耐火材料可广泛应用于冶金、陶瓷、能源、化工等行业。如钢铁厂高炉的炉窑内衬和钢包内衬、电解铝厂铝电解槽的侧部、火法炼锌的罐体的内衬等；如陶瓷行业所用窑炉内所用的窑板和棚板等。 (3) 产品附加值高：由于本项目所用原料主要是来源于光伏行业产生的切割废料，原料的来源丰富且价格便宜，产品的科技含量高，生产成本低，故产品的附加值高。本项目拥有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多项专利。

关键工序生产的自动化 ① 粉碎（雷蒙磨）自动控制系统的研发   研制可对粉碎车间雷蒙磨振动下料、粉碎、气流粗分工况进行实时监测、自动优化控制的自动监控系统。将雷蒙磨因堵塞停机造成的故障次数比现阶段减少75%，且提高工效15%以上。    ② 气流分级自动控制系统的研发   研制气流分级机用自动控制系统，具备以下功能：可根据分级轮主机负载实时自动调节喂料速度、根据所设定的风压值自动调整变频器运行、根据生产工艺要求自动向企业综合信息平台实时发送生产工况参数。    ③ 提纯工序实时检测与信息管理系统的研发   开发可对提纯缸、脱水机、烘干炉等主要设备工况进行实时监控的智能化监控仪设备。    ④ 水力分级自动控制系统的研发   研发水力分级设备用自动控制系统，可根据工艺曲线要求自动控制水流量。采用水泵变频控制，变常规的高低液位控制为恒液位控制，液位控制精度达到0.3%；研制出料自动切换装置，实现出料无人值守。 ⑤ SiC冶炼炉在线自动测控装置的研发   研制SiC冶炼炉在线自动测控装置，可按冶炼工艺和炉温自动进行恒功率综合优化控制，炉温控制精度达到2.5级。成果已在工厂正常运行3年。获得4项发明专利授权，5项软件著作权授权 雷蒙磨粉碎自动检测方法及装置                   专利号：ZL200810020792.3 一种提高碳化硅微粉水溢流分级效率的精密控制方法 专利号：ZL200910035173.6 一种燃煤锅炉能效监测方法                      专利号：ZL201110091483.7 阵列式LED照明灯具的中心区域温度动态控制方法  专利号：ZL201210356239.3 一种经济型燃煤锅炉能效监测系统及方法           专利号：ZL201110292517.9 一种低冗余度高可靠性船舶发电机组智能测速装置 专利号：ZL201110058228.2一种手机可遥控的总线型区域供热计量管理系统 专利号：ZL201010134495.9

本发明公开了一种等离子切割电源的输出过流保护控制电路及 方法，输出过流保护控制电路包括：输入主功率模块、输出滤波电感、 高频模块、输出检测模块和控制模块；输出滤波电感的输入端连接至 输入主功率模块的第一输出端，高频模块的输入端连接至输入主功率 模块的第二输出端，输出检测模块的第一输入端连接至输出滤波电感 的输出端，输出检测模块的第二输入端连接至高频模块的输出端，输 出检测模块的第三输出端连接至控制模块的第一输入端，输出检测模 块的第四输出端连接至控制模块的第二输入端，控制模块的输出端连 接至输入主功

本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器，包括：第一半导体激光器，用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体；谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光；干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率；反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率，从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏

本发明公开了一种基于激光测距传感器的便携式二维随动激光 测量装置，其包括水平移动组件、竖直移动组件和控制系统组件，水 平移动组件包括水平移动滑台和驱动其作水平运动的步进电机，水平 移动滑台上安装有水平光栅尺；竖直移动组件包括竖直升降滑台和激 光测距传感器，竖直升降滑台固定在水平移动滑台上，其由步进电机 驱动作竖直运动，其上安装有竖直光栅尺；激光测距传感器固定在竖 直升降滑台的运动端；控制系统组件用于控制水平移动滑台和竖直升 降滑台的运动，并处理激光测距传感器、水平光栅尺和竖直光栅尺反 馈的距离数据。

一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θ(101)-θm；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台 上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(101)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。

一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上， 测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。