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一种埋入式电路板复合 3D 打印方法
本发明属于 3D 打印技术领域，具体公开了一种埋入式电路板复 合 3D 打印方法，结合选区激光熔化(SLM)和选区激光烧结(SLS)两种 3D 打印方式，利用 SLS/SLM 成形装置，依靠送粉喷头和吸粉喷头实 现各层中绝缘非金属粉末和导电金属粉末在绝缘基板区域和导电线路 区域的选择性分布，经过建模、切片、铺粉、吸粉、送粉、激光扫描 成形等主要成形步骤，制造出免凹槽加工的埋入式电路板。本发明利 用 3D 打印技术可成
华中科技大学
2021-04-14
一种基于 VCA810 的宽带直流放大电路系统
本实用新型涉及电子工业技术领域，具体涉及一种基于 VCA810 的宽带直流放大电路系统，包括依 次连接的前置放大电路、程控放大电路、滤波电路和后级功率放大电路，以及与程控放大电路连接的 DAC 转换电路和 FPGA 控制，与 FPGA 控制连接的键盘输入和 LCD 显示。该宽带直流放大电路系统的 电压增益可预置并显示，预置范围为 0~60dB，步距为 5dB，最大增益输出噪声电平小于 0.5V。能够进 行 0~9MHz 频段内的信号的放大，且放
武汉大学
2021-04-14
一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路
本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电 路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元 件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切 换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输 出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上； 通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲 信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端 读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、 蕴涵、逆蕴涵
华中科技大学
2021-04-14
一种焊割一体电源的焊割模式切换电路及方法
本发明公开了一种焊割一体电源焊割模式切换电路及方法；包 括焊接继电器组，切割继电器组，变压器组，整流二极管，滤波电感 和移相全桥单元；移相全桥单元、变压器组、整流二极管和滤波电感 依次连接，当焊接继电器组闭合且切割继电器组断开时，变压器组输 出为并联状态，此时焊割一体电源为焊接模式，输出焊接电源；当切 割继电器组闭合且焊接继电器组断开时，变压器组输出为先串联后并 联状态，此时焊割一体电源为切割模式，输出切割电源。本发明焊接 和切割模式使用同一组变压器，减少了变压器总数量，减少了机器的 重量、体积，分
华中科技大学
2021-04-14
一种用于无源超高频 RFID 标签芯片的解调电路
本发明公开了一种用于无源超高频 RFID 标签芯片解调电路， 包括整流电路、取包络电路、低通滤波电路、均值产生电路、比较器、 整形电路、使能控制电路、偏置电路。整流电路由主级和辅助级构成， 采用阈值补偿实现，取包络电路在使能控制电路控制下提取包络，低 通滤波电路直接采用 RC 结构，均值产生电路由运算放大器、二极管 和电容构成，利用峰值检测的原理实现，比较器采用开环的运算放大 器实现，整形电路由两个级联的反相器构成，
华中科技大学
2021-04-14
一种低噪声差分前置放大电路及放大器
本发明公开了一种低噪声差分前置放大电路及放大器，低噪声差分前置放大电路采用差分输入输出电路，对整体电路的噪声性能起主导作用。由 Q1、Q2、Q3、Q4 四个并联的 NPN 型晶体管对管和 Q5组成共射—共基放大电路。在 Q1、Q2、Q3、Q4 的基极引入无噪声偏置电路。由电阻 R11、R16 和电容 C5 组成的电路为 Q5 提供基极偏置电压。仪用放大器 U1、U2 对差分信号进行放大。通过电阻 R2L(R2R)和
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方法
本发明公开了一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方 法，来模拟生物大脑的多状态(认知、熟悉、陌生)认知能力。通过分别 调节第二输入端与第一输入端信号脉冲的匹配数目和第二输入端信号 脉冲幅值来实现多层次脉冲识别。第一输入端输入信号代表已存储在 生物大脑中的样本信号，第二输入端输入信号代表生物大脑接收到外 界环境的刺激信号，这种识别方法的原理是通过控制大脑存储的样本 信号和外界环境的刺激信号相互匹配，来调控大脑对于外
华中科技大学
2021-04-14
高分辨率电子电路光刻胶制备关键技术
高分辨率电子电路光刻胶是制造高密度、高精度电子电路的核心材料之一， 该类光刻胶在达到分辨率要求的同时，还需具备高感度、高硬度、优异的耐焊性 和耐酸碱性等物理化学性能，以满足电子电路复杂的制造工艺要求。长期以来， 由于我国高性能基础光固化材料开发的滞后，导致国产电子电路光刻胶技术水平低下，相关产品占国内市场份额不足 30%，其中高分辨率电子电路光刻胶更是被国际公司所垄断。针对上述现状，团队通过高性能光固化材料的开发突破了高分辨率电子电路光刻胶制备关键技术和产品创新技术，并制备了以高分辨率阻焊油墨和光致抗蚀剂为主的一系列具备优异物理化学性能的高分辨率电子电路光刻胶产品。
江南大学
2021-04-13
3000吨/年高新能低成本磷酸铁锂生产线
成果描述：针对磷酸铁锂锂电正极材料存在的不足和制约磷酸铁锂产业发展的一系列问题，本项目通过基于混合溶剂的液相合成方法，利用定向分子组装技术，结合独特的煅烧工艺构建了具有三维（3D）导电网络结构的正极材料，从而制备出具有独特晶体结构、良好导电性、高离子迁移速率和高振实密度的新型改性磷酸铁锂锂离子电池正极材料，同时通过先进的回收利用技术实现了生产工艺的低成本、无污染。市场前景分析：以磷酸铁锂正极材料制备的锂离子电池在移动电源、电动工具、电动自行车、电动汽车以及储能领域中有着极大的市场前景。与同类成果相比的优势分析：通过本项目的实施，达到了以下技术目标： （1）基于混合溶剂的液相法制备工艺的设计，解决现有工艺存在的材料批次间一致性差的不足，实现批次间材料克容量变化＜2%； （2）构建3D导电网络，从而解决制约LiFePO4大规模应用的重大技术难题—材料导电性差的缺陷，将材料的电导率提高到10-2Scm-1； （3）将压烧技术引入LiFePO4制备工艺，结合二次造粒粒径控制技术得到尺寸均一的亚微米颗粒，将材料振实密度提高到1.2gcm-3； （4）以本项目研制的LiFePO4作为正极材料并采用改进工艺装配的锂离子电池将达到如下性能指标： ⅰ 0.1C比容量≥160mAhg-1，1C比容量≥140mAhg-1； ⅱ 循环充放电3000次，常温放电容量高于80%； ⅲ 支持常温50C以上倍率放电，-20℃环境支持20C以上倍率放电，-20℃环境放电容量不低于常温放电容量的80%。 （5）创新反应溶剂和反应副产物的循环回收利用技术，实现生产过程绿色化、低排放和原子经济性，与现有同类材料比较，生产成本降低30%以上。
四川大学
2021-04-11