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RP Fiber Power 光纤激光器及光纤器件设计软件
可以设计并优化光纤激光器和放大器、光波导激光器、光纤耦合器、多芯光纤、螺旋芯光纤、锥形光纤;也可以模拟超短脉冲在不同光纤设备中的传输,例如在光纤放大器系统、锁模光纤激光器和通讯系统中的传输。 能够跟踪和优化光纤放大器和光纤激光器,让它们适合各种应用。帮助评估和排除光纤激光器和放大器中各种不利的影响;能够对有源光纤器件性能进行预测;能寻找最佳光纤长度、掺杂浓度、折射率分布等;能够计算掺杂浓度与光线的关系,准确模拟双包层光纤,还可以模拟时域动态变化,可以理解和优化的细节如功率效率和噪声系数。 RP Fiber Power可用于分析和优化各种器件: 单模和多模光纤 计算模式特性;计算光纤耦合系数;模拟光纤弯曲、非线性自聚焦效应对光束传输和高阶光孤子传输的影响。 光纤耦合器、双包层光纤、多芯光纤、平面波导 模拟双包层光纤的泵浦吸收,光纤耦合器的光束传输, 光在锥形光纤的传输, 分析弯曲的影响, 放大器中的交叉饱和影响, 泄漏模式等。 光纤放大器 研究单级和多级放大器中的增益饱和特性(连续或脉冲放大器), 铒镱共掺光纤放大器能量转移过程、猝灭效应、自发辐射放大等。 光纤通信系统 分析色散与非线性信号失真,放大器噪声的影响,优化放大器非线性效应和放置位置。 光纤激光器 分析并优化能量转换效率、波长调谐范围、动态调Q。 超快光纤激光器和放大器 研究脉冲的形成机制和稳定范围,非线性效应和色散的影响,抛物脉冲放大,优化色散脉冲压缩,灵敏度反馈,超连续谱的产生。 脉冲和超快速固体激光器和放大器 研究Q开关,模式锁定行为,找到可饱和吸收器所需的特性,分析反馈灵敏度,啁啾脉冲放大研究再生放大稳定性极限。 这款软件是致力于光纤器件学科研究或工业开发人士的必备工具。这款软件及其技术支持将为您的工作效率和工作能力提供极大的便利。同时,这款软件也是一款相当出色的教学工具。 目前已使用该软件的高校:耶拿大学、英国南普顿大学、北京工业大学、中国科学技术大学、上海技术应用学院、华中科技大学、西北大学、复旦大学、深圳大学、国防科技大学、长春理工大学、南京理工大学等。 目前已使用该软件的单位:费朗霍夫研究所、苏州纳米所、兵器装备部、三江航天、上海光机所、绵阳九院、中科院软件所、中科院光电所商业单位、北京敏视达雷达有限公司等。   ※ 光纤数据: 软件中带有各种稀土掺杂光纤数据,即时可以仿真各种光纤激光器和放大器。   ※ 各种公开数据: “Yb-germanosilicate” “ErYb-phosphate” “Er-fluorozirconate F88” “Er-silicate L22”  “Er-fluorophosphate L11”  
武汉墨光科技有限公司 2022-10-19
分布式小型光伏电站系统设计仿真实训
本仿真实训要求学员根据常见60KW以下小型分布式光伏电站项目需求书要求,到现场进行测量、采集项目所需数据,然后回到办公室使用设计软件进行项目设计,并且做出系统分析结果、施工图以及施工材料清单。 1.1. 场景设计 虚拟场景包括办公设计场景,楼顶建筑场景; 场景模型主要包括:办公室建筑模型、办公家具、办公设备、长度测量工具、方向测量工具、楼顶建筑模型等 设计软件模拟包括:阴影阵列分析软件、CAD制图软件、倾角分析软件、系统分析模拟软件 1.2. 互动设计 在办公室里使用电脑了解项目需求书,根据提供的信息收集项目所在位置的地理与环境信息 到现场使用长度与方向测量工具测量设计所需数据 回办公室使用各种专业设计软件对该项目进行系统设计。
广东顺德宙思信息科技有限公司 2025-06-02
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库,使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上,应用该计算机辅助分析系统,可采用统一的成分空间表达方式,将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能(能量间隙或波长)、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围,投影于一平面,构成III-V族半导体体系综合优化图,用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时,该系统还发展了非平衡过程分析研究方法:亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等,这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统,目前主要是作为应用研究,服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计,以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计,在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库;瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。
北京科技大学 2021-04-11
面向农村的太阳能微动力分散式智能污水处理系统
安徽建筑大学 2021-01-12
基于发动机动力传动件强化用 Al-P 晶种合金
Al-Si 合金具有低膨胀系数,良好的耐磨性及铸造性能,在内燃机活塞、缸 体压等发动机动力传动件制造领域广泛应用。过共晶 Al-Si 合金的微观组织中 通常存在五瓣星状、板片状、八面体和其他复杂相貌的初晶 Si,这些分布在该 合金基体中的较粗大初晶 Si,严重割裂了合金基体,在外力作用下,合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部应力集中,从而明显降低了合金的力学性能, 尤其是影响其塑性、强度、耐热性和热疲劳性能的提高。与此同时,在过共晶 Al-Si 合金中,初晶 Si 易出现集聚现象,严重降低了合金的各项性能。要改善 过共晶 Al-Si 合金的性能,必须同时对共晶 Si、初晶 Si 进行良好的细化处理,细 化、球化初晶 Si,才能使其得以广泛应用。目前国内外实际生产中通常采取加 磷(P)的方法,亦称磷变质(细化)处理。含磷变质剂主要包括磷盐或赤磷复 合变质剂及含磷中间合金。其主要存在问题如下: (1)磷盐或赤磷复合变质剂:处理过程中产生大量有害气体,环境污染严重, 效果不稳定,废品率高。 (2) Cu-P 中间合金:熔点高,加入后难熔化;密度大,易沉淀偏析。 基于上述行业背景,本课题组研制开发了一种应用于发动机活塞、压铸合 金熔体变质处理的新型 Al-P 晶种合金
山东大学 2021-04-13
基于压缩空气储能和气动马达的混合动力电动汽车样车研制
北京工业大学 2021-04-14
一种移动荷载下简支梁损伤和移动力同时识别方法
本发明提出了一种移动荷载下简支梁损伤和移动力同时识别方 法:测量结构在损伤状态的加速度动力响应,以结构的加速度响应作 为结构损伤和移动力识别的动力指标;根据结构的数值模型,将未知 移动荷载采用切比雪夫多项式表示,并利用梁单元形函数概念将移动 荷载等效成单元节点力,分别计算结构加速度响应对损伤和移动力参 数的灵敏度矩阵;结合敏感性分析结果,以结构测量加速度响应和计 算所得的有限元加速度响应的差值作为目标函数,采用一阶泰勒展开 的识别方程逐步迭代同时识别出简支梁的损伤和移动力。通过本发明 方法,能够仅仅
华中科技大学 2021-04-14
一种机床锥配合固定结合部动力学参数识别方法
本发明公开了一种机床锥配合固定结合部的动力学建模及模型参数识别的方法,该方法建立了一种 32 节点的刀柄-主轴结合部动力学模型,其中 1~8、9~16、17~24、25~32 均为等分点,锥配合结合部单元的运动则通过 1 点和 17 点、2 点和 18、3 点和 19 点、......16点和 32 点之间的相对运动体现出来。基于模态实验,本发明以频响矩阵与阻抗矩阵的乘积是单位矩阵这一理论特性,将实验的频响矩阵和有限元理论得到的子结构的刚度矩阵、质量矩阵相结合,通过初值试凑的方法,运用非线性最小二乘
华中科技大学 2021-04-14
一种两段式固体燃料分级反应动力学分析设备
本发明公开了一种两段式固体燃料分级反应动力学分析设备,包括分级反应发生装置、耦连装置、气路装置、炉温控制装置和分析检测装置,该分级反应发生装置包括独立设置的热解反应器和焦炭气固反应器,所述微型气流床与所述微型流化床由带斜度的通管相连,所述固体燃料颗粒在微型气流床中发生热解反应,随后通过耦连装置实现气固分离,残焦被脉冲气流携带进入微型流化床中进行气固反应,所述耦连装置为采用带筛板的旋转截止阀门,通过气相快速过程质谱仪和与其连接的计算机获得气固反应动力学参数。本发明可直接解耦固体燃料热解及焦炭气固反应过程,微型气流床和流化床内温度和气氛均可独立控制,反应装置结构简单、检测结果精确。
华中科技大学 2021-04-13
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
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