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一种平面式文物光谱图像获取方法
本发明公开了一种平面式文物光谱图像获取方法，包括搭建六通道宽带光谱成像系统并进行特性化 标定；选定平面式文物需要进行光谱图像采集的区域 A，利用均匀灰卡对区域 A 进行光照均匀性标定， 并选定 M 个颜色测量点；利用光谱成像系统采集区域 A 的数字响应值 D(A)，对 D(A)进行暗电流去噪、 线性化校正和光照不均匀性校正，提取 M 个测量点的六通道数字响应均值 D(M)；利用非接触式测量设 备测量获得 M 个测量点的光谱数据 P(M)，利用光
武汉大学
2021-04-14
大象机器人—mycobot机械臂—黑色G型底座
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深圳市大象机器人科技有限公司
2021-12-09
人才需求：壳寡糖制备
1、壳寡糖制备技术改进 2、生物医药、生物化工、生物工程等领域专家
山东卫康生物医药科技有限公司
2021-08-31
新型半导体异质结材料
上海科技大学物质科学与技术学院教授于奕课题组与美国普渡大学研究团队合作，在新型半导体异质结研究中取得重要进展，首次成功制备并表征了二维卤化物钙钛矿横向外延异质结。相关研究成果日前在线发表于《自然》。半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。在构建卤化物钙钛矿半导体异质结的道路上，有两个科学难题一直未得到解决。一方面，该材料易发生离子扩散，难以获得高质量的原子级平整的异质界面；另一方面，卤化物钙钛矿对空气、水分、电子束辐照等因素十分敏感，其微观结构解析特别是原子结构成像困难重重。缺乏原子结构信息的指导，材料的精准构筑与性能设计难以开展。于奕课题组与合作团队在这两个前沿难题的解决上取得了突破。研究人员在材料制备过程中引入刚性有机配体来抑制离子扩散，成功制备了二维有机—无机杂化卤化物钙钛矿横向异质结；发展了低剂量像差校正电子显微技术，首次揭示了二维横向异质结的界面原子结构，直接证实获得了原子级平整界面。同时，于奕团队找到了一种优化的低剂量成像方法，首次实现了辐照敏感的二维横向异质结原子结构解析。这一突破提供了界面原子结构、缺陷构型以及晶格应变等准确信息，为这类新型半导体异质结的微观结构设计提供了直观的指导。在这些研究发现的基础上，研究团队进一步合作，展示了新型异质结原型器件中的整流效应，验证了这类新型半导体走向应用的前景。相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-020-2219-7
上海科技大学
2021-04-11
面向文物保护的三维交互展示系统
该项目获得 2010 年江苏省文化厅文化产业引导资金项目经费支持。 1、项目简介 三维交互展示系统在文博系统中的应用具有非常重要的意义。 首先，文物的价值在于使更多的参观者了解其深厚内涵。三维交互展示系统 能够很好的依托数字虚拟技术与网络技术，使参观者对文物的观赏空间拓展到博 物馆以外的生活空间之中。 其次，欣赏文物的同时，保护好文物也是一项艰巨的任务。利用数字虚拟技 术手段对文物进行全方位的展示，就避免了文物真品长时间的暴露在展台内，即 达到了欣赏文物的目的，又保护了文物本身。 面向文物保护的三维交互展示系统，目的是为了让参观者更自主的欣赏与了 解文物本身及内涵，发挥文物的教育功能，同时也为了更好的保护文物。 2、创新要点 该系统创新要点涵盖三方面：文化遗产的数字化记录和永久保存； 文物的 非接触式虚拟修复；文化遗产的虚拟展示。360 3、效益分析 从中央到地方各级政府都非常重视文物的保护及开发。以文化遗产大遗址为 例，我国已公布的六批 2351 处全国重点文物保护单位中，约有 500 余处是大遗 址，占总数的四分之一左右。大遗址保护项目所需资金，采取中央和地方共同筹 集的方式解决。其中，中央财政在“十一五”期问投入大遗址保护专项资金 20 亿 元。 通过数字化展示文化遗产，采用光盘、网络等数字传播方式，可以为我们中 华文明丰富多彩的文化遗产的传播更广泛的可能。另外，我们还可以通过数字化 文化遗产和教育、旅游等行业嫁接，能产生更大的经济效益。 4、推广情况 现已推广单位：无锡博物院
江南大学
2021-04-13
双层球面网壳结构形式
本实用新型公开了一种双层球面网壳结构形式，包括网格状的球面上弦层和球面下弦层，所述上弦 层的网格分为角锥网格和抽空网格，所述角锥网格相邻网格均为抽空网格，所述抽空网格相邻网格均为 角锥网格，所述下弦层的节点即锥顶点一般为角锥网格在下弦层的形心投影点，可根据实际情况在满足 结构设计的前提下进行些许变动。所述角锥网格的节点通过中部腹杆与下弦层对应节点连接。此抽空选 取方式在保证结构安全性的前提下，风载
武汉大学
2021-04-14
超结MOSFET设计及制造技术
本成果开发了一套超结MOSFET器件的设计方法，并与上海华虹NEC(现上海华虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工艺的600~900 V级8英寸超结MOSFET工艺代工平台，这是国内第一个量产的超结工艺平台。所制备的超结MOSFET击穿电压最高可达900V，比导通电阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。该成果作为重要组成部分获得了2016年四川省科技进步一等奖（“功率高压MOS器件关键技术与应用”张波、乔明、任敏 等）。
电子科技大学
2021-04-10
一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法
“一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法”属于半导体领域。现有方法对设备要求较高，过程复杂，难以控制成本，严重影响Cu2O样品的应用范围。本发明特征在于：按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围12∶4～12∶18，硫酸铜与葡萄糖的摩尔浓度比范围12∶2～12∶22，将柠檬酸三钠溶液加入硫酸铜溶液中，充分络合后加入葡萄糖溶液；调节溶液pH值至12.3～14.0；于50°C～95°C反应1.5h～6.0h；反应结束后冲洗、烘干，即得所需产物。该方法(采用葡萄糖作还原剂的化学浴沉积法)与其它液相制备核壳
安徽建筑大学
2021-01-12
一种断裂缺损青铜器文物的修复方法
本发明属于考古领域，尤其是涉及一种断裂缺损青铜器文物的修复方法。本发明包括以下步骤:1、 修复前处理;2、建立修复模型;3、制作封装模具;4、配置焊粉;5、模具装配;6、装粉;7、修复; 8、后处理。本发明通过自蔓延焊粉的放热反应，获得与青铜器文物基体成分一致的
武汉大学
2021-04-14
一种断裂缺损青铜器文物修复用焊粉
本发明属于考古领域，涉及一种断裂缺损青铜器文物修复用焊粉。按照质量百分比计:Na2SO4 粉10~14wt.%，Cu2O 粉 31~40wt.%，PbO 粉 1~18wt.%，Al 粉 9~11wt.%，CaF2 粉 1~3wt.%，硼砂 1~2wt.%Cu 粉 15~30wt.
武汉大学
2021-04-14