1、磁场强度可调节，其特点：改变距离即可改变磁场强度； 2、标准具采用高精技术多层镀膜。通光口径：45mm；中心波长:λ=5461Å；分辨率:λ/Δλ≥1×105；反射率: R≥90%；平面度：λ/30；石英隔圈2㎜； 3、望远系统：读数精度0.01mm； 4、磁场强度0-12000高斯； 5、磁轭体积：146×70×100㎜； 6、标准具微动调整架：前后俯仰三维调节方便可调。

本研究利用氧气对非骨架掺杂选择性刻蚀的效应，首次在Cu衬底上实现了石墨烯的完美骨架掺杂生长，氮掺杂后的石墨烯迁移率高达13000 cm2/Vs，比其他工艺制备的掺杂石墨烯要高出数个量级。同时，石墨烯的面电阻也降低到130 oh/sq，掺杂的稳定性显著提高。

磁性铁氧体材料因其具有优异的磁性能受到了广泛关注。硬磁铁氧体材料因其具有高的矫顽力，合适饱和磁化强度、大的磁晶各向异性，合适的居里温度以及优异的热稳定性和化学稳定性，被广泛应用于电子工业、信息产业、摩托车、电动工具行业、汽车工业等行业。锶（钡）铁氧体材料作为永磁材料的一种，其原料价格便宜，而且生产工艺相对简单，所以其成品价格较其它磁铁（如钕铁硼）而言相对低廉，而且在外界磁化场消失以后，仍能长久地保留着较强的恒定剩磁性质，可以用于对外部空间产生恒稳的磁场。稀土元素具有丰富的 f 层电子，稀土元素的掺杂

中国发明专利ZL202110169888.1：采用蒸汽诱导相分离与分步喷涂技术相结合的方法制备三维网孔结构、超疏水的复合膜，压降低于100Pa、水接触角大于150°，因而高透气且易于自清洁，所负载纳米材料可实现同步杀菌灭毒，可应用于拔插式重复利用空气净化滤芯。

要实现三维量子霍尔效应，就需要达到所谓的极端量子极限条件（Extreme Quantum Limit）。这个实验条件要求异常苛刻，如果选用常用的金属铜块作为研究对象，要施加超过3000特斯拉的磁场才能进入极端量子极限态，而这是当前的实验条件无法提供的。因此，三维量子霍尔效应方向的研究一度处于几乎停顿的状态。 为了满足这项苛刻的条件，张立源团队巧妙地选用了高品质的五碲化锆（ZrTe5）晶

描述 该实验装置以汞灯546.1nm谱线为对象，研究塞曼效应。汞灯发出的谱线经过聚光镜，将发散的光线适当地汇聚，透过偏振片，经过滤光片滤光后形成单色光，进入F-P标准具，形成干涉圆环，最后由镜头和CMOS相机成像。该装置包含一个可调恒流电源，通过调节电流控制磁场的大小。当磁场足够强时，能级开始分裂，产生不同的谱线，每一级干涉圆环分裂成多个干涉圆环，由专业的软件进行图像采集和数据分析，得到电子荷质比e/m的数值。当将电磁线圈旋转90度时，重新微调光路，则可以平行于磁场方向观测塞曼效应。   紧凑型设计 采用工业级高强度轨道，配合精巧的光机械设计，比传统的装置至少减少了1/3的空间。   电磁线圈为整套装置提供连续可调的0-1.2T的匀强磁场，并有0-120度可旋转结构，可以对横向及纵向塞曼效应现象进行观测。   高达1/100λ的法布里-帕罗标准具，可获得K级至K-2级的9条分裂谱线。 F-P标准具的性能保证了谱线分裂明显，线条清晰锐利。   CE安全认证 通过欧盟CE安全认证，严格按照CE标准进行品质控制。   典型实验内容及数据 1，垂直于磁场方向观测塞曼效应（Л线 ）   2，平行于磁场方向观测塞曼效应（σ线）   3，根据K级至K-2级的9条分裂谱线，可验证荷质比 e/m. 荷质比 e/m 测量结果的相对误差小于 5%。   部件列表 BEM-5008   摄像单元(含镜头、CMOS相机), f=50mm, 五百万像素 BEM-5402    法布里泊罗标准具, 546.1nm BEM-5403    干涉滤光器, 546.1nm BEM-5404    偏振器 BEM-5405    聚光镜, f=131.2mm BEM-5203   精密调节架, Φ45mm, 2D BEM-5213   水平可调精密调节架, Φ45mm, Travel=36mm , 3D BEM-5201-06    导轨，长 600mm BEM-5204-50    托板，宽 50mm （3） BEM-5205-25    升降调节架，可调范围 25mm　（3） BEM-5209-09    连接杆，长 90mm　（3） BEM-5009    笔形汞灯, 10A, 3W BEM-5010    电磁线圈, 5A, 1.2T BEM-5202    连接块 BEM-5012    可调直流恒流源, 6A   选配件 BEM-5032A    特斯拉计，0-2000mT, 精度0.1mT   包装清单 实验装置1套（详见部件清单），电源线1根，红黑导线各1根，USB线1根，软件光盘1张，手册1本。

采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。

本发明公开了一种石墨烯图形化掺杂方法，包括如下步骤：（1） 将氦气与掺杂气体混合作为工作气体导入等离子体发生装置中，施加 高压脉冲电压，在工作气体中放电产生室温常压等离子体，将形成的 等离子体由引导管的喷嘴导出，形成微等离子体射流；（2）将喷嘴对 准石墨烯薄膜的指定位置，用微等离子体射流对石墨烯薄膜进行辐照， 将工作气体的活性原子掺入到被辐照的区域，在二维平面内移动微等 离子体射流或石墨烯薄膜，实现对石墨烯的图形化掺杂。该方法可有 效地将杂质原子掺入到石墨烯的骨架位置上，且不会对石墨烯的原本 结构产生破坏，掺杂过程简单易行，设备成本低廉，可实现大规模生 产。

一种磁弹磁电效应式应力监测装置，用于铁磁材料构件应力的无损监测，具有磁场发生元件、磁电传感元件、支撑骨架和控制调理仪部分。磁场发生元件在控制调理仪控制下可以根据需要产生磁场，将铁磁材料构件磁化，磁电传感元件，无需供电，直接产生表征磁场或磁感应强度的电信号VME，经控制调理仪分析处理，输出相应于外力变化的磁特征量Vst，利用该磁特征量Vst与构件应力的对应关系，实现对铁磁材料构件的无损应力监测。支撑骨架用来设置磁场发生元件和固定磁电传感元件位置。该应力监测装置可实现对铁磁材料构件应力的在线、实时、无损监测，也可用于离线无损检测。