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厌氧同时脱氮除硫新工艺
项目的背景及目的 很多高浓度有机废水(如糖蜜酒精废水、味精废水、抗生素废水、磺胺制药废水等)同时含有高浓度硫酸盐和高浓度还原性氮(有机氮和/或氨氮),使得厌氧生物处理复杂化:①硫酸盐还原菌与产甲烷菌竞争基质(乙酸、H2等),②硫酸盐还原作用的产物硫化氢浓度很高时,会引起产甲烷菌活性的降低,③有机氮氨化后产生大量氨氮,抑制厌氧细菌活性,并给后续处理工艺带来脱氮要求。厌氧同时脱氮除硫新工艺的提出目的就是在厌氧处理同时含高硫酸盐和高还
南开大学 2021-04-14
厌氧同时脱氮除硫新工艺
研究方向:水资源与水污染控制工程与技术、研究方向包括高浓度有机废水和难降解有机物废水、含高氮高硫废水的厌氧和/或好氧生物处理、膜生物反应器、水中营养物氮、磷等的处理、微污染水源的生态修复及微污染水源的饮用水处理。 项目简介: 很多高浓度有机废水(如糖蜜酒精废水、味精废水、抗生素废水、磺胺制药废水等)同时含有高浓度硫酸盐和高浓度还原性氮(有机氮和/或氨氮),使得厌氧生物处理复杂化:①硫酸盐还原菌与产甲烷菌竞争基质(乙酸、H2等),②硫酸盐还原作用的产物硫化氢浓度很高时,会引起产甲烷菌活性的降低,③有机氮氨化后产生大量氨氮,抑制厌氧细菌活性,并给后续处理工艺带来脱氮要求。厌氧同时脱氮除硫新工艺的提出目的就是在厌氧处理同时含高硫酸盐和高还原性氮有机废水(简称高氮高硫废水)时创造适当条件,在厌氧处理阶段,把有机氮和氨氮转化为氮气,把硫酸盐转化为单质硫,同时降解部分有机物。这种新工艺能够消除硫化氢对厌氧工艺的影响,同时免除后续工艺脱氮的负担,从而为高氮高硫废水的处理开辟高效低耗的新途径。利用厌氧氨氧化菌与硫酸盐还原菌之间的耦合作用处理高氮高硫废水。 
南开大学 2021-04-13
QR-3型碳硫联测分析仪
产品详细介绍QR-3型碳硫联测分析仪主要技术参数:1、测量范围:碳:0.01-6.00% 硫:0.003-2.000% 2、测量精度:符合GB223.69-2008,GB223.68-1997标准3、测量时间:45秒主要特点: 1、气体容量法定碳,碘量法定硫。2、采用国际先进的传感技术微机技术,使用进口传感器、直读碳、硫含量、彻底消除人为视觉误差。3、精度高:碳可精确至0.01%,硫可精确至0.0001%。4、预留电脑接口,便于仪器升级。
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
碳硫联测分析仪QR-5型
产品详细介绍  碳硫联测分析仪QR-5型产品介绍: 碳硫联测分析仪QR-5型是我公司研发生产的一款最新型的全自动电脑碳硫联测分析仪器。仪器采用计算机技术、传感技术,是依据国家标准气体容量法和碘量法所研制成功的最新一代钢铁分析仪器,适用于钢、铁及其他材料中的碳、硫元素分析。碳硫联测分析仪QR-5型特点简介:一、操作简单方便1、碳硫测定均为全自动,采用气体容量法定碳,碘量法定硫。高碳、低碳均可直接显示,不需换算。兼容碳硫分析仪的所有功能。2、电脑控制工作流程,性能稳定可靠,经电脑数据处理后,由屏幕直接显示,打印其结果,可保存日期,炉号及结果等原始档案。且操作简单,具有良好的人机对话界面。二、容量大1、碳硫元素可同时保存八条标样曲线,测试结果长时间大容量保存,且可任意查询分析数据。三、分析速度快稳定1、产品采用电子天平与微机连接,实现了碳硫分析仪的不定量称样,提高了分析速度。2、仪器的关键部位—微压传感器,特别选用进口品牌,保证了仪器的测量精度、仪器的稳定性和使用周期。3、仪器拥有专利技术的控制电极,确保了仪器工作程序的可靠性。碳硫联测分析仪QR-5型技术参数:测量范围+:碳:0.010~6.000%   硫:0.003~2.0000%测量时间:45秒左右(不含取样、称样时间)测量精度:符合GB223.69-2008,GB223.68-1997标准。(如改变测试条件,该范围可相应扩大)如果你想了解更多关于QR-5型全自动电脑碳硫联测分析仪分析仪资料信息,和其他仪器可浏览  http://www.nsfcn.com/index-14.asp
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:650~750MPa; 2.延伸率>8%; 3.导电率:45~60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:450~600MPa; 2.延伸率>7%; 3.导电率:60~80%IACS。
上海理工大学 2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化,乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成,其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路,是芯片的散热通道,又是连结电路板的桥梁,因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度,高集成化方向发展,芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料,利用铜合金优良的传热性能,加入少量强化元素,通过固溶强化和弥散强化提高其强度,同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学 2021-04-13
金属尾矿制备建筑微晶玻璃
该系类成果是对建筑装饰材料——微晶玻璃制备方法的创新。大大降低了微晶玻璃生产中的能耗,提高了产品的机械强度、耐久性和晶化程度。微晶玻璃制备的达到国际领先水平。成果获2012年度辽宁省科技发明一等奖,2006年度辽宁省技术发明二等奖,2001年辽宁省科技进步二等奖,并拥有金属尾矿建筑微晶玻璃的制备方法(发明专利号:ZL 2004 1 0087656.8)和金属尾矿建筑微晶玻璃及其一次烧结制备方法(发明专利号:ZL 2008 1 0012165.5)两项专利技术。
沈阳理工大学 2021-05-04
大块金属玻璃功能结构材料
大块金属玻璃(Bulk Metallic Glasses)是国家863高技术计划、国家973计划、国家自然科学基金和科技部中瑞大块金属玻璃国际合作项目,主要包括: 高比重高性能Zr基大块金属玻璃及其纤维增强复合材料; Al基超强大块金属玻璃或纳米晶合金; Zr基、Al基或Fe基大块金属玻璃耐磨、耐蚀轴承套环状零件制造技术; 大块金属玻璃合金设计的“多元短程序畴过冷”设计软件。 这些大块金属玻璃和技术具有许多独特性能和广阔的应用市场,主要有:(1)更为优异的力学性能,如高强度、高弹性和高断裂韧性等,是目前已发现的最为优异的高尔夫球拍材料之一;(2)大块金属玻璃/纳米晶复合材料是目前世界上比强度最高的材料之一,在航空、航天工业中具有极为广阔的应用前景;(3)良好的加工性能。例如,La系非晶合金延伸率可达15000%,可方便地进行各种超塑性加工;(4)优良的化学活性,是极好的化学反应催化材料。(5)更为优良的抗多种介质腐蚀的能力,可在一些更为恶劣的环境下长期使用;(6)优良的软磁、硬磁以及独特的膨胀特性等物理性能,可作为传统材料的优秀替代品。
北京科技大学 2021-04-11
微晶强化泡沫玻璃制品
该制品具有较高的环保性;在完成普通泡沫玻璃的制备工序后,即预热、发泡、退火,让制品进行晶化和核化处理使得泡沫玻璃中形成分布均匀的针状的晶体,可以极大的提高样品的强度。 耐火温度大于 1000℃,软化温度大于 700℃,抗压强度大于 15MPa,抗拉强度大于 15MPa。
扬州大学 2021-04-14
一种玻璃芯片封装方法
本发明公开了一种玻璃芯片封装方法,通过在玻璃片的厚度方向预制贯穿导电金属极,采用超快激光对玻璃芯片进行激光焊接封装。本发明利用超短脉冲激光超强光强特性,在透明介质内会产生非线性吸收效应并在焦点处熔融,实现在透明材料空间内进行选择性微焊接。超短脉冲激光加工的结构尺寸可以突破光学衍射极限,实现小于激光波长的精密焊接。此外,激光和材料相互作用时间极短,能有效避免材料因不同热膨胀系数产生的裂纹和溅射物,有助于提高焊接封装的
华中科技大学 2021-04-14
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