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太阳能智能小屋
底座尺寸400*300*70mm,模具一体成型,两端呈弧形,上翘47度,两面四角注塑有1.5mm脚垫,长度25*25mm,仪器整体高度385mm,上面装有一间尺寸为185*110*100mm的小屋,小屋由27块拼接而成,屋内装有七彩灯,屋后有一个风力发电模型,风车模型采用环保ABS材料注塑而成,5块组件拼接而成,尺寸215(不含风叶)*45*45mm,底部用香蕉插头连接,不用时可取下,太阳能直径为90mm,开路电压DC4.5V,闭路电流150mA,储电装置为一只DC4.8V可充电式锂电池,尺寸55*45*12mm,充电一次可用6小时,台灯尺寸48*70*170mm,用AC220V家用电,电线耐压600V,电流3.6A,台灯开关型号KCD1-105 耐压400V。转换风车和灯光开关型号TEN1122,耐压600V,电流3A,探究太阳能对生活的影响,学习新能源。
石家庄市艾迪科教设备有限公司 2021-08-23
专家报告荟萃㊹ | 郑州大学规划与学科建设部副部长、学科建设办公室主任谷胜利:学科引领高质量发展——郑州大学的探索与实践
郑州大学贯彻“221战略”,聚焦一流大学建设中心任务,确定2024年为“学科建设年”,通过优化学科布局、深化学术创新、强化人才培养,积极服务国家重大战略和区域经济社会发展。
高等教育博览会 2025-03-18
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件,能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
梯度纳米结构TWIP钢的晶体塑性有限元分析
强度和韧性的“倒置关系”是材料研究领域长期存在的难题。大量的实验表明,随着金属材料内部晶粒尺寸的降低,在强度获得提升的同时,韧性将大打折扣。目前,广泛采用的高强材料韧化策略有:(1)改变组分,通过引入和调整材料的多种主要元素,同时激活多种塑性变形机制,高熵合金材料就是采用这种思路;(2)改变微结构,在材料内部引入一种或多种梯度分布的微结构,避免由于特征长度突变带来的性能突变,有效克服金属材料强度和韧性的失配问题,这种材料被称为梯度纳米结构材料。 图1 梯度结构金属材料的类型(摘自:李毅,梯度结构金属材料研究进展,中国材料进展,2016, 35: 658-665)人工制备的梯度纳米金属结构主要包括以下几种:梯度晶粒,梯度位错,梯度孪晶,梯度固溶物,梯度相,以及包含两种以上的梯度混合结构。在已经发展成熟的金属材料内部引入梯度纳米结构,可以进一步提高其强韧性匹配能力。例如,通过表面研磨处理(SMAT)在孪晶诱发塑性(TWIP)钢表面引入大量的塑性变形,使其表面晶粒细化,随着深度的增加,晶粒细化的程度逐渐降低,同时塑性变形也会导致位错演化和孪晶的产生,因此在TWIP钢内部形成了包含梯度晶粒,梯度位错和梯度孪晶的梯度混合结构。这种梯度纳米结构TWIP钢的强度可以提升50%,断裂应变仅从60%下降到52%,具有更高的强韧性匹配能力。目前,关于梯度纳米结构TWIP钢的研究集中于实验,反映物理机制的本构模型研究还鲜见报道。西南交通大学力学与工程学院张旭教授与德国马普钢铁所、中国钢铁研究总院等机构开展合作,指导博士生陆晓翀发展出考虑位错滑移和变形孪晶等物理机制的微结构尺寸相关晶体塑性本构模型。依托DAMASK平台将该模型移植有限元,并对梯度纳米结构TWIP钢的单轴拉伸变形行为展开模拟,揭示了其微结构演化与宏观性能之间的关系,量化了不同梯度结构对材料强韧性的贡献。相关研究工作已在金属材料与固体力学交叉领域顶级期刊《International Journal of Plasticity》上在线发表,论文题目为Crystal plasticity finite element analysis of gradient nanostructured TWIP steel。 论文链接: https://doi.org/10.1016/j.ijplas.2020.102703作者首先使用不同晶粒尺寸Fe-15Mn-2Al-2Si-0.7C (wt.%) TWIP钢的单拉实验数据验证该模型的合理性,结果表明该模型对不同尺寸下的应力应变响应和应变强化行为都可以较好地描述,特别是细晶TWIP钢硬化率曲线中的up-turn效应。通过对内变量演化的分析及对比性模拟,作者发现这种up-turn效应源自于细晶中显著的背应力。 图2 对比不同晶粒尺寸TWIP钢的单拉实验和模拟结果由于梯度纳米结构TWIP钢的微结构十分复杂,晶粒数目众多,通过采用三维均匀化方法,建立了宏观试样尺寸的有限元模型。通过对每层单元赋予不同的晶粒尺寸,初始位错密度和孪晶体积分数,离散地描述材料内部微结构的梯度分布,并通过梯度网格划分方法进一步减少单元数目。对于材料表层微结构变化剧烈的区域,采用密度较高的网格,以保证更加精确地描述微结构的梯度变化。 图3三维均匀化方法示意图作者利用发展的晶体塑性模型,对均匀和梯度纳米结构的Fe-10Mn-0.5C-3Ni (wt.%) TWIP钢的单拉变形行为进行模拟。结果表明,在合理描述均匀结构TWIP钢应力-应变响应的基础上,通过引入微结构的梯度分布,无需修改任何参数就可以较好地描述梯度纳米结构TWIP钢的单拉力学行为。通过对比变形云图,作者发现均匀和梯度纳米结构TWIP钢的表面都会变的粗糙不平,但梯度纳米结构的表面粗糙度更加明显,产生的应变局域化形成了两个凹陷区,且凹陷区在垂直于平面方向也会发生收缩。随着深度的增加,收缩程度逐渐降低。通过对比性模拟,作者发现表面凹陷区的出现就是梯度纳米结构TWIP钢韧性略微下降的原因。而应变局域化的产生与表面纳米层晶粒的应变强化能力有关,提高表面纳米晶的硬化能力,就可以抑制表面凹陷区的出现和韧性的下降。此外,作者通过分析不同层位错密度的演化,进一步证实了上述观点。作者还通过对比性模拟量化了不同梯度结构对材料强韧性的贡献。结果表明:强度的提升源于梯度位错结构,梯度晶粒和梯度孪晶结构有助于保持材料的应变强化能力。 图4 均匀结构和梯度纳米结构TWIP钢的模拟结果对比分析。
西南交通大学 2021-04-10
一种纳米纤维素晶体粘弹性的改性方法
本发明公开了一种纳米纤维素晶体粘弹性的改性方法,属于纳米纤维素晶体的改性方法领域,具体公开了甘油或甘油联合氯化钠在改善纳米纤维素晶体粘弹性中的应用,具体的改性方法为,将质量体积(g/ml)分数为2%、4%、6%或8%的氯化钠和质量体积(g/ml)分数为6%的NCC分散于质量体积(g/ml)分数为0.4%的甘油的水溶液中,40KHZ室温超声10min分散即可。该方法简单,不破坏纳米纤维素晶体的结构,改善粘弹性,不影响纳米纤维素晶体在后期的使用,避免纳米纤维素晶体在使用时由于粘弹性的降低而无法达到最终目的的问题。
青岛农业大学 2021-04-13
一种反向开关晶体管的触发电路
本发明涉及半导体开关领域,提供了一种反向开关晶体管的触 发电路,包括预充电路、主电路、恒流充电电路和触发控制电路;主 电路包括 RSD 开关和主电容 C0;预充电路用于为 RSD 开关的导通提 供所需要的预充电流,恒流充电电路用于为主电路和预充电路充电, 当充电电压达到预设的电压阈值时,通过触发控制电路发出信号给预 充电路,预充电路发出预充电流给主电路中的 RSD 开关,RSD 开关导 通后主电路中的主电容 C0 放
华中科技大学 2021-04-14
一种铌酸锂晶体外调制驱动装置
本发明提出一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,当铌酸锂晶体两端加上电场后,折射率的变化正比于电场强度,从而使通过晶体的光通量产生相应的线性变化。由于铌酸锂晶体折射率线性变化需要的电压在100V到600V的范围,本发明通过在光路部分增加四分一波片,降低铌酸锂晶体的直流工作点,对经过编码的数字信号采用两级复合式放大,直接放大到高电平正150V低电平负150V,做到了频率响应范围宽,工作稳定可靠,抗干扰能力强。
四川大学 2016-10-26
新一代硅烷法电子级晶体硅生产技术
上海交通大学 2021-04-13
一种具有存储功能的晶体管器件的应用
本发明涉及一种具有存储功能的晶体管器件的应用,属于半导体器件技术领域。针对现有二维电荷陷阱存储器中因缺乏合适电荷陷阱介质导致的可靠性差及集成度低等问题,本发明提出采用二维碘化铅(PbI<subgt;2</subgt;)作为电荷陷阱层,利用其天然存在的碘空位缺陷实现高效电荷捕获。所述器件由二维半导体材料(如WSe<subgt;2</subgt;)与PbI<subgt;2</subgt;通过范德华异质结构集成,形成栅控存储单元。该器件具有大存储窗口、高开关比、快速写入速度、多级存储能力、高久性及长数据保持时间。本发明为高集成度、低功耗非易失性存储器提供了创新解决方案。
南京工业大学 2021-01-12
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