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山东省人民政府办公厅关于印发山东省建设绿色低碳高质量发展先行区2023年重点工作任务的通知
为深入贯彻党的二十大精神，全面落实《国务院关于支持山东深化新旧动能转换推动绿色低碳高质量发展的意见》（国发〔2022〕18号），推动《山东省建设绿色低碳高质量发展先行区三年行动计划（2023—2025年）》重点任务攻坚突破，制定2023年重点工作任务。
山东省人民政府办公厅
2023-01-20
教育部办公厅 国家发展改革委办公厅 工业和信息化部办公厅关于开展第二批现代产业学院建设工作的通知
为深入贯彻党的二十大精神，落实国家有关战略部署，培养适应和引领现代产业发展的高素质应用型、复合型、创新型人才，经研究，决定在首批现代产业学院探索建设的基础上，开展第二批现代产业学院建设工作。
教育部
2023-03-14
广东省基础与应用基础研究基金委员会关于2024年度广东省基础与应用基础研究基金自然科学基金面上和青年提升拟立项项目的公示
根据《广东省省级财政专项资金管理办法（修订）》等有关规定，经形式审查、通讯评审等程序，2024年度广东省基础与应用基础研究基金自然科学基金拟资助面上项目3300项、青年提升项目300项，现予以公示。
广东省科学技术厅
2023-12-06
关于2022年度河北省科学技术突出贡献奖、科学技术合作奖提名候选人（组织）的公示
根据《河北省科学技术奖励办法》（河北省人民政府令[2021]第4号）、《河北省科学技术奖励办法实施细则》（冀科成市规[2022]1号），现将拟受理人（组织）向社会公示，公示期15天。自公布之日起15日内，任何个人、单位对公示内容持有异议的，可以书面形式向我厅实名提出，并按要求提供身份证明、有效联系方式以及必要的证据材料或者调查线索，逾期不予受理。
河北省科学技术厅
2022-10-24
海南省科学技术厅关于2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单的公示
根据《海南省科学技术厅关于印发的通知》（琼科规〔2022〕42号）相关规定，现将2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单予以公示，公示期为7月24-28日。
省科学技术厅
2023-07-21
青海省科学技术厅关于2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议结果的公示
根据《青海省科学技术奖励办法》及其实施细则的规定，现将通过2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议的1名科学技术重大贡献奖建议获奖人，40项建议获奖项目予以公示。
青海省科技厅
2023-08-04
技术需求：机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。
机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC，电机与电器、电力工程等学科。
山东赛瓦特动力设备有限公司
2021-08-19
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10