宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。

  偶氮苯分子作为典型的光致变色分子，在紫外和可见光的照射下，可实现顺式与反式结构之间的相互转化。在单分子水平研究偶氮苯分子的异构化，不仅能实时观测单个异构化事件的动力学过程，揭示其对外界刺激响应的规律，同时也有望实现单分子水平的开关、存储器等，从而实现器件微型化/功能化的目的。近几年，在扫描隧道显微镜中观察到了电场诱导偶氮苯分子异构化的现象，但是其异构化的机理尚不明确。

本实用新型公开了一种紫外 LED 器件，它包括紫外 LED 芯片、玻璃盖板和陶瓷基座；所述玻璃盖板边缘设有焊料环；所述陶瓷基座上开设有用于放置紫外 LED 芯片的凹槽，所述陶瓷基座上于所述凹槽的外围设有环形金属焊框；所述焊料环与金属焊框通过感应局部加热的焊接方式连接在一起。本实用新型的目的是解决紫外 LED 器件封装难题，通过结构设计与感应局部加热实现玻璃盖板与陶瓷基座间的低温封装，提高紫外 LED 器件的封装效率与可靠性。

背景介绍： 未来装配式建筑构件若实现工业化、标准化和智能化制造，关键环节是要求构件成型模具拆装灵活，便捷高效，可重复使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是为简化预制混凝土构件模具安装而设计开发的一种新型无损模具固定装置，旨在解决传统螺栓锚定对生产平台的破坏性、难拆卸、通用性差的技术难题。技术特点和优势： 采用稀土永磁材料及磁约束磁路设计技术，通过永磁体与模具平台间的磁力相互作用，形成对平台

本发明成果包括一种快速响应的光开关，采用两基板同为周期交替且相邻区域取向方向相互垂直的水平取向液晶盒:液晶盒盒厚为5±2μm，两个相邻取向的宽度之比为1:1；包括上下二片ITO 玻璃基片及涂覆的光敏取向剂，并经过线偏振紫外或蓝光片对ITO 玻璃基片上光敏取向剂进行曝光，赋予两基片预设的取向方向；灌入双频液晶，制成一个可调节的液晶光栅，实现光开关功能，具有

光刻二维码技术： 纳米光学二维码产品是将光学防伪技术和手机、互联网应用有机结合，开发出的新一代产品，并开发出相关的可追溯系统，形成“一站式”的防伪服务。

       芯片功率器件测试平台，以工程教育专业认证为引领参与高校专业建设，以信息化引领构建学习者为中心的教育生态，培养集成电路硬件测试人才。为学生提供丰富的教学资源以及贴近现实的产业环境，支撑集成电路相关课程的教学与实训，且能进行项目开发和师资培训。

产品详细介绍EOC5611P符合IEEE802.11a/b/g标准，外壳采用IP67工业标准设计，防雨防尘。内置13dbi定向天线，并采用PoE供电，安装简单方便。     EOC5611P具有AP、客户端多种工作模式，一机多用，最大限度的保护您的投资。     安全性方面，采用最新的WPA2加密和认证方式，最大限度的保证您的数据安全。 54M/108M高速连接 符合IEEE 802.11a/b/g标准 发射功率高达28dbm 支持点对多点(P2MP)无线连接 支持WPA2/WPA/802.1x加密及认证方式 11g保护模式，使b/g混合模式下11g的效率更高 PoE供电，兼容802.3af 支持MAC地址过滤 可透过Web /SNMP管理 VPN 透传 LED 显示信号强度 PPPoE(路由桥模式下) 符合IP67室外设计标准,防风、防雨、防水 工作温度范围宽，环境适应性强 内置13dbi平板天线

产品详细介绍EOC-2611p符合IEEE802.11b/g标准，外壳采用IP67工业标准设计，防雨防尘。内置10dbi定向天线，并采用PoE供电，安装简单方便。     EOC-2611p具有AP、客户端多种工作模式，一机多用，最大限度的保护您的投资。     安全性方面，采用最新的WPA2加密和认证方式，最大限度的保证您的数据安全。 54M/108M高速连接 符合IEEE 802.11b/g标准 发射功率高达28dbm 支持点对多点(P2MP)无线连接和WDS分布系统 支持WPA2/WPA/802.1x加密及认证方式 11g保护模式，使b/g混合模式下11g的效率更高 PoE供电，兼容802.3af 支持MAC地址过滤 可透过Web /SNMP管理 VPN 透传 LED 显示信号强度 PPPoE(路由桥模式下) 符合IP67室外设计标准,防风、防雨、防水 工作温度范围宽，环境适应性强 内置10dbi平板天线 标准 IEEE802.11b/g, IEEE802.1x, IEEE802.3, IEEE803.3u, IEEE802.3af 电源 PoE供电，兼容803.3af标准 -24VDC/0.8A 认证 FCC Part 15/UL,ETSI 300/328/CE 频段 2.400～2.484GHz 介质访问协议 CSMA/CA 调制技术 OFDM 工作频道 美国：11 日本：14 中国：13 欧洲：13 接收灵敏度(典型值) -88dbm@6Mbps, -70dbm@54Mbps -92dbm@1Mbps, -85dbm@11Mbps 发射功率（典型值） 26dbm@1～11Mbps 26dbm@6～24Mbps 23dbm@36Mbps 22dbm@48Mbps 21dbm@54Mbps 天线规格 内置9dbi平板天线   接口 1个10/100Mbps RJ45网络接口 RP-SMA 网络拓扑 Infrastructure 工作模式 点对多点 桥/AP/WDS 安全 IEEE802.1x认证，EAP-MD5/TLS/TTLS WPA2/WPA MAC地址过滤 隐藏SSID 2层隔离 IP管理 DHCP服务器/客户端 设备管理 网页配置 SNMP V1,V2c(MIBI,MIBII) 软件升级 通过网页升级 尺寸 260(长)mm*84(宽)mm*55(高)mm 重量 300g 温度范围 设备工作温度：-20℃～65℃ PoE电源工作温度：-20℃～65℃ 储存温度：-40℃～80℃ 湿度 5%～95%无凝露

TDD微波系统样机验收指标列表： 编号 指标项 要求 1 TDD微波系统工作模式 TDD（Time Division Duplex）时分复用 2 最大射频开关切换速率（收发切换） 大于等于4000次/秒 3 最小时隙长度 小于等于250微妙，时隙长度可调 4 射频发射功率 发射功率大于等于17dBm 5 微波传输距离 微波传输距离大于等于200米 6 丢包率 小于等于 7 射频带 112MHz 8 调制模式 QPSK 9 传输数据速率 112Mbps，有效数据率大于等于85% 10 使用频段 40.55GHz~40.606GHz 11 接收机噪声系数 5.5dB