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二氧化碳晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
供应各种窗片棱镜晶体等（定制）//长春博盛量子
产品详细介绍 滤光片滤色片（尺寸要求可定制）带通滤光片 截止滤光片 干涉滤光片 激光滤光片 荧光滤光片红光蓝光绿光可见光滤光片325nm-1064nm 产品名称： CS式滤光片支架 产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片轮产品名称： 滤光片固定轮产品名称： 滤光片轮 FR 65 产品名称： 滤光片轮 FR 40 产品名称： 真空紫外滤光片产品名称： 激光线滤光片产品名称： 荧光滤光片产品名称： 拉曼滤光片产品名称： 光通信薄膜滤光片产品名称： Andover公司系列滤光片 产品名称： 双滤光片盒产品名称： AB系列滤光片 产品名称： AB系列全自动滤光片轮 产品名称： 滤光片轮产品名称： LDP系列滤光片 滤光片包含波段325nm355nm375nm387nm473nm488nm491nm532nm561nm632.8nm647.1nm670.1nm780nm785nm808nm830nm976nm980nm1047.1nm1064nm
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
一种微萃取组件和超重力场微萃取装置
微萃取组件，由上盘和下盘组成，所述上盘中心部位设置有微流体通道，底面为平面，所述下盘中心部位设置有进料凹槽，从进料凹槽至下盘顶面边缘分布有微形槽，组合方式为：上盘设置的微流体通道中心线与下盘顶面设置的进料凹槽中心线重合，上盘的底面与下盘的顶面之间具有0.05～0.25mm的间隙；一种超重力场微萃取装置，包括上述微萃取组件、进料混合器、联接体、接料槽、防护罩、轴套、减速器、电机和支撑系统，微萃取组件中的下盘通过轴套与减速器的动力输出轴连接并位于接料槽内，萃取组件中的上盘与联接体连接，连接时应使上盘设置的微流体通道的中心线与联接体设置的插孔的中心线重合。
四川大学
2017-12-28
吉星微录仪微课制作利器无线、有线二合一
广州市吉星信息科技有限公司
2021-08-23
超高分辨率（0.0001牛顿）测力天平
湍流边界层中的壁面摩擦阻力是湍流边界层研究中的重要参数。然而，由于其量级极小，一般只有10-3到10-4N，因而在实验中对其精确测量具有极大挑战。目前尚未有成熟的商用仪器能够直接测量如此小的壁面摩擦阻力。 本课题组所研发的超高灵敏度测力天平基于杠杆原理，作用于浮动平板上的壁面摩擦阻力经过机械放大后，使用高灵敏度力传感器进行采集，其最小可测的10-6N的壁面摩擦阻力。同时，对可能对其测量造成影响的误差来源进行了系统分析，并通过一系列措施杜绝了其对测量造成的影响。此外，由于该测量的壁面摩
哈尔滨工业大学
2021-04-14
托盘天平J0105/J0106/J0107
产品的详细介绍，请直接咨询我们。电话：0574-62080651
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
HR-120 HR-200分析天平
产品详细介绍价格相宜，日本原装正品，环境修正，容易操作，符合GLP及LIMS标准，可选计算机接口特点：●单键自动外校操作简单方便，可输入修正后的校准砝码值,确保校准精度。●多种称重单位13种重量单位及计数,百分比模式。●ACAI功能重新计算样品单位重量,以提高计数精确度。●环境调节功能，数字去皮功能具有灵敏度调节功能, 允许手动或通过计算机输入皮重值。●选配内部可充电电池可选配轻便的电池装置,电池充电后可持续使用长达10个小时。●符合GLP、GMP、ISO标准可选配RS-232C接口输出GLP\GMP\ISO校准报告。 ●通讯接口可选配RS-232C接口和计算机或打印机连接。 型 号 HR-200 HR-120称重范围 210g 120g读数精度 0.1mg 0.1mg重复精度 0.1mg 0.1mg线性 ±0.2mg ±0.2mg称盘尺寸(mm) 直径 85 直径 85外形尺寸WxDxH(mm) 213 x 319 x 301 213 x 319 x 301重量(约Kg) 6.0 6.0
广州艾安得仪器有限公司
2021-08-23
奥豪斯OHAUS 先行者通用型天平
产品详细介绍
广州市博勒泰贸易有限公司
2021-08-23
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10