产品详细介绍    可摇摆管式电阻炉以新型铁-铬-铝高温电热合金丝或硅碳棒为发热元件，炉温有1000℃、1200℃、1400℃多种，测温元件采用K、S分度热电偶，控温方式有自动恒温型和程序控温型两种。炉体部份通过支撑轴承和调速电机控制可实现炉膛的连续上下摆动，摆动频率连续可调。采用新型隔热保温材料，具有测温精度高、控温准确、热导率低、高效节能、美观大方等特点，供实验室、工矿企业、科研院所等单位用于金属、非金属、合金、陶瓷等材料的高温烧结、热处理及熔融、分解等。    主要技术参数  1、最高温度：1000℃、1200℃；  2、炉膛尺寸：Ф30、Ф40、Ф50、Ф60mm；  3、摇摆频率、摇摆幅度可调；  4、精密程序控温。

产品详细介绍 全不锈钢真空钨丝炉  ◎产品说明  设备特点：  本电炉为周期作业式，广泛用于大专院校、科研单位及生产企业在真空或保护气氛条件下对材料进行烧结处理。适用于粉末治金、陶瓷，在你高真空、高温条件下进行烧结、钎焊、退火、除气处理，同时也适用于石英材料的脱羟处理。  技术参数：  1、型号：ZW-40-23  2、额定功率：40KW  3、额定温度：2300℃  4、仪表控温精度：正负1℃  5、控温方式：钨铼热电偶+红外衣  6、工作区尺寸：直径140x140mm  7、冷态极限真空度：8x10-4 Pa  8、压升率：≦2Pa/h  9、电源电压：380V 50Hz 3相  10、充气压力：<0.03Mpa（可充氮气、氩气）  11、发热元件：石墨管（高纯石墨）  结构组成与说明：  1、炉体：采用双层水夹层结构，"内层为不锈钢（1Gr18N9Ti）抛光。上、下法兰组焊筒形结构，法兰平面开设封闭槽。采用“0”圈真空密封，并设有水冷装置（防止因温度过高“0”圈老化）。开设有抽气、热电偶、红外仪等。  2、炉盖：采用双层水夹层封头结构，设有观察窗，屏蔽锁紧、开启装置，并通水冷。  3、炉底：采用双层水夹层封头结构，设有电极引出装置，支撑平台等，并设有水冷装置。  4、炉架：山型钢及钢板组焊成箱式结构，炉体安装放在箱体内，美观大方。  5、真空系统：又一台K-100扩散泵配冷阱，一台2XZ-8D直联泵、手动高真空蝶阀、真空压力表（Pa）、充气阀、放气阀和真空管路等组成，扩散泵采用金属波纹软管快速接头联接（减缓震动），真空度的测量采用数显复合真空计。  6、控制系统PLC控制：控制系统是由我公司自行开发人机对话操软件，画面显示友好，操作简单，要以炉内工况进行实时监测，软件彩色模拟屏显示，加热升温显示及真空阀门的控制都集成到电脑上操作，现场也可以手动操作，需要电脑操作时，直联由232接口连接到笔记本电脑上启动软件，可检测到各种状态，也可通过485通讯连接到办公室操作，本设备可采纳温度、真空度曲线和烧结时间，方便用户根据历史曲线分析烧结工艺。控温方式为1300℃以下热电偶升温。1000℃-2200℃红外仪表自动控制。压力控制可采用手动及自动方式。控制系统上设有过流、超温及断水等分类报警功能。  7、气路系统：整个系统中设有1个j进气口、1个放气口、可冲气氛。  8、电气控制：采用各种管道阀等相关装置组成，具有断水声光报警自动切断电源能。  9、变压器及连接电缆：采用与之相匹配的变压器及连接电缆。  10、发热元件及隔热屏：发热元件采用高纯石墨加工成圆筒形结构，隔热屏采用石墨复合材料、碳毡、石墨毡，保温性能好、加热均匀、辐射面大、耐冲击性好，可快速加热和冷却。保温层和发热分体，易维护和取装，保温套外用不锈钢框架支撑，固定。 

产品详细介绍 真空中频感应烧结炉  产 品 说 明  真空感应烧结炉为周期作业式，采用立式结构，广泛应用于有色金属、粉末冶金、陶瓷、光电材料、不锈钢和钼制产品在真空或保护气氛下进行烧结。  本设备优点：设备成本低，节能，升、降温快，温度均匀性高，明显提高了生产效率。  主要技术参数，  1、 额定功率：100KW2、最高工作温度：2000℃3、中频电压：375~750V  4、中频频率：1500-2500Hz  5、冷态极限真空度：两级泵6、压升率：≤2Pa/h  7、冷却水压力：0.2-0.25MPa  8、电源：三相，380V，50Hz  9、坩埚容积：F300×350㎜  10、可充保护气氛：氮气，氩气，氢气等，手动调节压力。  三、结构简介：  真空感应烧结炉主要由炉壳，炉盖启闭装置，感应线圈及保温装置，真空系统及电气系统等几个部分组成 

火试金设备主要由熔样炉、灰吹炉和除尘设备组成。 品名：灰吹炉 型号：MF-C 生产商：Furnace Industries 产地：澳大利亚 技术参数 ●技术性能、设计方案及制造工艺描述：炉膛外壳由2mm厚的镀锌钢板制成，衬有耐火砖和蛭石隔热板。外壳采用蓝瓷漆喷涂。 ●内尺寸(H*W*D)：200mmx 260mmx460mm 可放置50个灰皿 ●加热方式：柴油，燃烧率为150MJ/h ●温度控制方式：电子化自动控制，最高温度可达1200℃, ●温度传感器：“K”型热电偶 ●产品特点：升温速度快，温控精度高，稳定性高. ●电气功能及检测功能描述：电源：炉子配置一个10A、单相线圈和插头。电力荷载为2A.

山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授团队通过自主设计的“微爆炸法”获得了无氧化MXene-Ti3C2Tx量子点，首次提出可将此类二维结构钛基晶体材料用于肿瘤治疗，并与刘宏教授团队合作发现其具有较强的类芬顿反应特性，在抗肿瘤实验中效果显著，从而实现了更高效、更安全的纳米催化治疗方式。相关结果以“Nonoxidized MXene Quantum Dots Prepared by Microexplosion Method for Cancer Catalytic Therapy”为题，发表在材料类权威期刊Advanced Functional Materials（IF=15.621）上，陶绪堂教授和刘宏教授为通讯作者，晶体所博士研究生李雪松和刘锋为共同第一作者，山东大学为独立完成单位。 对于肿瘤治疗，传统的化学、物理疗法都存在严重的副作用，限制了其在实际临床治疗中的应用。最近，基于特殊的肿瘤微环境，利用肿瘤内部催化反应的纳米催化治疗成为前沿且备受关注。其中，研究最为广泛的铁基纳米催化剂可特异性响应肿瘤的弱酸性细胞微环境，释放Fe2+并引发芬顿反应，产生•OH自由基以触发细胞凋亡，从而抑制肿瘤。然而，在弱酸性肿瘤环境中，Fe2+催化的芬顿反应速率较低，导致•OH自由基形成缓慢。此外，众多抗肿瘤复合纳米制剂的潜在毒性值得关注。因此，寻找更高催化活性和更安全的纳米制剂是人们一直追求的目标。晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授团队与刘宏教授团队合作发现所制备的钛基无氧化MXene-Ti3C2Tx量子点具有较强的类芬顿反应特性，其对正常细胞和组织器官均表现良好的生物相容性，并对宫颈癌和乳腺癌均有强烈的杀伤能力，体现出优异的抗肿瘤效果。这种以钛基类芬顿反应为基础的肿瘤治疗方式潜力巨大，为实现肿瘤的高效、精准治疗提供了一条新的探索途径。

通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。

成果简介： 本发明涉及一种制备海藻糖晶体的方法。将海藻糖水溶液真空蒸发浓缩，加入海藻糖晶种并控制温度，同时流加溶析剂，使溶液的过饱和度维持在较低水平，逐渐降温结晶。本发明是通过溶析-冷却耦合结晶的方法生产海藻糖晶体，提高海藻糖的结晶收率。这种新的结晶方法在功能糖结晶生产领域具有广阔的应用潜力。

薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。

设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。

成果简介：发光晶体管是一种集发光和晶体管的“开/关”功能于一体的光电 子集成器件，它在发光器件、光互联的集成电路和激光二极管中具有多种重 要的应用前景。它不仅能增加发光单元像素点的孔径，而且由于开关晶体管 数量的减少而降低主动矩阵显示的制造费用，能耗低。再者，通过栅压来控 制载流子积累及连续地从源极和漏极注入载流子，这是给有源层提供载流子的一种独特方法，可以研究电场作用下量子点的光电性质。 基于石墨