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BC型裸片硅二极管温度计低温温度传感器
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-02-26
清华大学任天令教授团队首次实现亚1纳米栅长晶体管
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。
清华大学 2022-03-11
一种兼具 pH 值和离子强度响应的光子晶体水凝胶薄膜、其制备 方法及应用
本发明公开了一种兼具 pH 值和离子强度响应的光子晶体水凝胶 薄膜、其制备方法及应用。所述光子晶体水凝胶薄膜包括 Fe3O4 纳米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝胶;所述 Fe3O4 纳米粒子均匀分散 于水凝胶中,呈一维链状排列,纳米粒子在薄膜中的浓度为 1~ 50mg/mL。所述的光子晶体水凝胶薄膜的制备方法,包括将 Fe3O4 纳 米粒子和水凝胶单体均匀混合,通过紫外光使其发生固化反应,最后 浸于可溶性碳酸盐水
华中科技大学 2021-01-12
过共晶铝硅合金发动机缸套挤压铸造成形技术
1. 成果简介预制缸套然后铸造或装配是采用铝合金制造汽车发动机缸体的一种主要成形工艺。传统的缸套都是用铸铁制造,铸铁耐磨性好,但热导率较低,铝合金导热率是铸铁的 4 倍,采用铝合金制造缸套的优势是迅速将发动机燃烧产生的热量传递出去,避免机油焦化,从而显著提高发动机的升功率(功率密度)。过共晶 Al-Si 合金具有热膨胀系数小、耐磨性好、热导率高、高温性能好等特点,是制造发动机缸套的理想材料。图 1 挤压铸造件              图 2 机加工后零件                 图 3 初生硅和共晶硅分布 采用常规铸造方法成形过共晶铝硅合金,疏松倾向大,强度和韧性低,而且显微组织中初生硅的尺寸难以控制。挤压铸造是液态金属在较高外加压力(百兆帕)作用下凝固成形的一种先进铸造工艺,铸件在低速下充型,高压下凝固,内部致密,组织细小,并能通过热处理强化。 清华大学成功开发了过共晶铝硅合金缸套挤压铸造成形技术,具有非常好的发展潜力和产业化应用前景。2 应用说明采用铝合金制造发动机缸套甚至全铝发动机缸体是国外主要汽车企业开发高性能发动机的重要技术之一。采用喷射沉积加挤压或锻造工艺已有相关产品,但由于工序多、流程长造成生产率低、成本高。清华大学开发的过共晶铝硅合金缸套挤压铸造成形技术具有短流程、近净成形、优质、高效、节能等优点,目前正在与汽车发动机制造企业合作,进行技术评价与应用。 申请国家发明专利 1 项。3 效益分析缸套作为汽车发动机生产中的一个重要配件,其用量大,产品和技术相对独立,原材料充足,设备投资小,适于中小企业给发动机厂配套,特别是适合于已经在给发动机厂配套铝合金活塞等部件的企业发展这一技术和产品,易于在现有客户渠道基础上丰富产品种类,同时较高的技术含量可以避免被简单模仿和恶性竞争。
清华大学 2021-04-13
基于硅基悬臂梁T型结直接加热式毫米波信号检测仪器
本发明的基于硅基悬臂梁耦合T型结直接加热式毫米波信号检测仪器是由传感器、模数转换和液晶显示三大模块组成,传感器模块是由悬臂梁耦合结构、T型结直接加热式微波功率传感器和开关构成,衬底材料为高阻Si,功率通过输入端口对应的CPW信号线终端的直接加热式微波功率传感器进行检测;频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现;相位检测通过将两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号,分别同两路等分后的参考信号合成,同样利用直接加热式微波功率传感器检测合成功率,
东南大学 2021-04-14
硅基未知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器
本发明的硅基未知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、T型结功分器、T型结功合器以及直接式热电式功率传感器所构成,整个结构基于高阻Si衬底制作,一共有四个缝隙耦合结构,上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量,下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量,在前后缝隙之间有一个移相器;T型结功分器和T型结功合器是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥组成;直接式热电式功率传感器由共面波导传输线、两个热电偶和隔直电容所构成,热电偶是由金属臂和半导体
东南大学 2021-04-14
硅基悬臂梁耦合T型结间接加热式毫米波信号检测仪器
本发明的硅基悬臂梁耦合T型结间接加热式毫米波信号检测仪器是由传感器、模数转换和液晶显示三大模块组成,传感器模块是由悬臂梁耦合结构、T型结间接加热式微波功率传感器和开关构成,衬底材料为高阻Si,功率通过输入端口对应的CPW信号线终端的间接加热式微波功率传感器进行检测;频率检测通过利用间接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现;相位检测通过将两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号,分别同两路等分后的参考信号合成,同样利用间接加热式微波功率传感器检测合成功率,从而
东南大学 2021-04-14
基于硅基悬臂梁T型结间接加热式毫米波信号检测器
本发明的基于硅基悬臂梁T型结间接加热式毫米波信号检测器,主要实现结构包括由悬臂梁耦合结构、T型结、间接加热式微波功率传感器和开关。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁,每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成,两个悬臂梁之间CPW传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率35GHz处为λ/4。功率通过第一间接加热式微波功率传感器进行检测;频率检测通过利用间接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现;相位检测通过将两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号,分别同两路等分后的参考
东南大学 2021-04-14
硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、T型结功分器、T型结功合器以及直接式热电式功率传感器所构成,整个结构基于高阻Si衬底制作,一共有四个缝隙耦合结构,上方的两个缝隙耦合结构连接着两个直接式热电式功率传感器,下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量,在前后缝隙之间设置有一个移相器;T型结功分器和T型结功合器是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成;直接式热电式功率传感器主要由共面波导传输线、两个热电偶和一个隔直电容所构成,每个热电偶
东南大学 2021-04-14
硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器是由共面波导、缝隙耦合结构、移相器、T型结功分器、T型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成,整个结构基于高阻Si衬底制作,一共设置有四个缝隙耦合结构,上方的两个缝隙耦合结构连接着两个间接式热电式功率传感器,下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量,在前后缝隙之间设置有一个移相器;T型结功分器和T型结功合器是由共面波导、扇形缺陷结构和空气桥所组成;间接式热电式功率传感器主要由共面波导、两个终端电阻以及热电堆所构成,热电堆是由两种不同的半导体
东南大学 2021-04-14
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