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一种基于氯化钢水溶性薄膜的OLED器件(未授权)
本实用新型提供了一种基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件,由下至上依次 包括透明阳极IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层和阴极,所述的氯化綱水溶性薄膜的制备方法包括以下步骤:步 骤一、将粉末状的氯化锢溶解于去离子水中得到混合溶液;步骤二、将上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上,退火得到氯化綱水溶性薄膜。该结构优点在于:不 仅制备方法简单,成本彳氐廉,环境友好,而且能够有效的提高阳极界面载流子的 注入效率,提高OLED器件的光电性能。本实用新型属于有机电致发光器件领 域,特别涉及一种基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。
西南大学 2021-04-13
基于IP库的通用MEMS器件可视化仿真与验证工具
“虚拟工艺”软件可由标准工艺流程文件和掩膜版图文件,模拟出所要加工的MEMS器件的真实三维结构,具有良好的通用性和精度。下图为自主开发的“虚拟工艺”软件生成的微夹钳三维结构。 “虚拟运行”软件对器件的运动情况进行仿真,并与最初设计方案比较来指导和修正实际加工。下图显示了微夹钳的虚拟运行结果,图中的器件颜色表示了器件运动时的剧烈程度,红色表示变形最剧烈的部分,淡蓝色表示变形较小的部分。
南开大学 2021-04-14
安徽大学在氮化镓功率器件研究领域取得新进展
本工作中,基于安徽大学微纳加工平台以及香港科技大学纳米系统实验制造中心联合制造出了两款氮化镓功率器件,分别实现了电压驱动/电流驱动的栅极结构,为后续的驱动设计和研发提供了器件技术支持;工作中也同时提出了两种结构在高温下的稳定性模型,为进一步提升氮化镓器件的性能以及可靠性打下了基础。
安徽大学 2022-06-13
基于IP库的通用MEMS器件可视化仿真与验证工具
项目的背景及目的 迄今为止,集成电路的模拟、仿真直至评测已有了非常完善的工具软件;并已成为设计过程的重要组成部分;对设计的成功、可靠、高效都已起到决定性作用。而对MEMS而言,还相差甚远,这和MEMS发展的成熟程度有着直接关系。当然,这并不意味着MEMS不需要这样的工具和系统。相反,由于MEMS的功能多样、加工复杂、分析困难、设计周期长、成本高等。特别需要一个能包括运动仿真、评测在内的设计工具和系统。这是当前推动MEMS发展的当务之急。
南开大学 2021-04-14
一种面向芯片级器件的焊点制备方法及装置
本发明公开了一种面向芯片级器件的焊点制备装置,包括:溶液容器,用于提供焊料溶液;流量分配器,其上设置有阵列布置的多个喷嘴,其与溶液容器连通,焊料溶液通过喷嘴喷出;器件固定板,其通过一底板固定在喷嘴下方,其上平铺有待制备焊点的器件,且该器件固定板与喷嘴通过高压发生器相连,两者之间形成高压电场;还包括管芯模,其包括呈阵列布置的多个管芯,且各管芯一一对应配合插装在喷嘴中,在各喷嘴和管芯之间的空隙内形成容纳焊料溶液的空间,在电场的作用下,焊料溶液通过该喷嘴中的空间进行流量分配后喷出形成喷点或喷丝,滴落于器件
华中科技大学 2021-04-14
安徽大学在氮化镓功率器件研究领域取得新进展
近日,我校物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组在氮化镓功率器件领域取得最新研究进展,在氮化镓GaNHEMT方向取得突破。
安徽大学 2022-06-01
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法,提供一待刻蚀对象,对所述待刻蚀对象一次刻蚀后,交替进行表面处理‑二次刻蚀,直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层;其中,一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层;表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层;所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层,以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤,既实现了对沟道层的保护,又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中,减少沟道层的损失量。
复旦大学 2021-01-12
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法,成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片,展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用,该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm,比块体VS 2 材料的层间距(0.575 nm)增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷,丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点,层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构,从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能(∆ G H )。HER测试结果表明,该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能,具有较小的塔菲尔斜率(36 mV dec −1 )、具有较低的过电位(-43 mV@10 mA cm −2 )和良好的稳定性(60 h)。此外,通过第一性原理计算的结果表明,层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H (-0.044 eV),媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且,层间距的宽化可以降低缺陷形成能,使材料更易形成缺陷。这里,理论计算结果和实验相一致,较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控,可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路,为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学 2021-04-13
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法, 包括以下步骤:(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液,将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液,再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌,极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液;(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液;(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体,从而在
华中科技大学 2021-04-14
大口径方管滚模成形新技术
方矩形钢管是用途极广和最常见的异型钢管,也是一种经济端面管材,与其相同截面积的其他非圆钢管相比,具有重量轻,强度高,抗弯截面模量大,节省金属,易于安装等优点,主要用于建筑、医疗器械、高档家具、汽车、飞机、地铁、造船等行业。  冷弯方矩形管的主要成型工艺有“圆变方”和“方变方”两种,前者生产效率高,是将高频圆形焊管经过冷拔整形成为最后形状。   随着市场和技术发展的需求,北京科技大学机械学院在成功开发了“高精度冷拔精密钢管”工艺与设备基础上,又先后开发出滚模冷拔锥管、葫芦形管、大口径方管等复杂断面管材以及多通管液压胀形等新工艺。我们利用大型仿真软件对大口径方管的冷拔过程进行了各种工艺参数下的模拟。开发成功650X650以下,最大壁厚25mm的方矩形管成形新工艺与设备。 冷弯型钢在国外建筑业中用途非常广泛,被用作屋架、檩条、桁架、刚架、墙架、龙骨、屋面板、墙板、楼板、门窗乃至容器、管道、围堰、钢板桩、防波堤等。近年来,冷弯型钢组合而成的网壳、货架、单层和多层房屋也得到了很快的发展。在发达国家,建筑业是冷弯型钢的第一大用户,冷弯型钢占钢材总量的5%,建筑业用冷弯型钢占冷弯型钢总量70%以上,冷弯型钢产品应用于建筑业的主要是结构用冷弯方矩形管和建筑用结构冷弯型钢。从结构力学和经济角度,冷弯型钢和H型钢结合应用于建筑业是最佳组合,可以实现工业厂房和民用住宅建设工厂化。
北京科技大学 2021-04-11
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