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薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
单分子晶体管器件研究取得重要进展
当电子器件基本单元--晶体管的尺寸进入到亚纳米尺度，量子效应将越来越显著。探索极端尺度下的晶体管器件并研究其性能和物理机理，对未来信息技术以及介观物理学的发展具有深刻的意义。
科技部
2021-04-19
晶体管特性图示仪
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
一种具有存储功能的晶体管器件的应用
本发明涉及一种具有存储功能的晶体管器件的应用，属于半导体器件技术领域。针对现有二维电荷陷阱存储器中因缺乏合适电荷陷阱介质导致的可靠性差及集成度低等问题，本发明提出采用二维碘化铅（PbI<subgt;2</subgt;）作为电荷陷阱层，利用其天然存在的碘空位缺陷实现高效电荷捕获。所述器件由二维半导体材料（如WSe<subgt;2</subgt;）与PbI<subgt;2</subgt;通过范德华异质结构集成，形成栅控存储单元。该器件具有大存储窗口、高开关比、快速写入速度、多级存储能力、高久性及长数据保持时间。本发明为高集成度、低功耗非易失性存储器提供了创新解决方案。
南京工业大学
2021-01-12
晶体管开关特性示教板
包含：1.5V*2电池盒(黑)，单联3档船形开关，各种色环电阻，直插式S9013三极管，高亮¢5mm红色发光二极管，K2A46台阶插座等。教学功能：完成高低电平的讲解和电平检测器的应用，对晶体三级管开关特性进行深入分析和晶体三级管开关特性在数字电路中的应用。教学应用：1、利用此示教板让学生进一步熟悉万用表电压档、电流档的使用。2、利用此示教板深入讲解晶体三级管的开关特性。3、利用此示教板引导学生共同完成书中小试验。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括：（1）准备可弯曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂；（3）在所述基板上沉积栅极；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元；（5）在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力；（7）沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度，有效提高了制造精度，提升了柔性电子器件的分辨率。
华中科技大学
2021-01-12
混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件
本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。
复旦大学
2021-01-12
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学
2021-04-11
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高亮度新型发光晶体管（技术）
成果简介：发光晶体管是一种集发光和晶体管的“开/关”功能于一体的光电 子集成器件，它在发光器件、光互联的集成电路和激光二极管中具有多种重 要的应用前景。它不仅能增加发光单元像素点的孔径，而且由于开关晶体管 数量的减少而降低主动矩阵显示的制造费用，能耗低。再者，通过栅压来控 制载流子积累及连续地从源极和漏极注入载流子，这是给有源层提供载流子的一种独特方法，可以研究电场作用下量子点的光电性质。 基于石墨
北京理工大学
2021-04-14