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晶体管特性图示仪
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
晶体管开关特性示教板
包含：1.5V*2电池盒(黑)，单联3档船形开关，各种色环电阻，直插式S9013三极管，高亮¢5mm红色发光二极管，K2A46台阶插座等。教学功能：完成高低电平的讲解和电平检测器的应用，对晶体三级管开关特性进行深入分析和晶体三级管开关特性在数字电路中的应用。教学应用：1、利用此示教板让学生进一步熟悉万用表电压档、电流档的使用。2、利用此示教板深入讲解晶体三级管的开关特性。3、利用此示教板引导学生共同完成书中小试验。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学
2021-04-11
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高亮度新型发光晶体管（技术）
成果简介：发光晶体管是一种集发光和晶体管的“开/关”功能于一体的光电 子集成器件，它在发光器件、光互联的集成电路和激光二极管中具有多种重 要的应用前景。它不仅能增加发光单元像素点的孔径，而且由于开关晶体管 数量的减少而降低主动矩阵显示的制造费用，能耗低。再者，通过栅压来控 制载流子积累及连续地从源极和漏极注入载流子，这是给有源层提供载流子的一种独特方法，可以研究电场作用下量子点的光电性质。 基于石墨
北京理工大学
2021-04-14
制造电化学晶体管的方法
本发明公开了利用并列喷嘴喷印制造柔性电化学晶体管的方法， 包括以下步骤：1)注入溶液；2)沉积网格状纤维结构；3)网格状纤维结 构自组装。本发明工艺简单，采用并列静电纺丝工艺，一步制得微纳 纤维，并且通过平台运动控制可直接实现阵列化纤维的制造；工序简 单，借助于表面张力驱动的自组装工艺可大面积稳定可靠实现 WECT 源极、漏极与栅极的连接；其成本低，效率高，静电纺丝以及自组装 工艺极大缩减了制造时间与材料用量；材料兼容性好，制造过程均未 涉及高温工艺，有机、柔性材料均可得到极大的运用。
华中科技大学
2021-04-14
场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管
本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方 法，包括:(1)在基板上制备有机半导体薄膜;(2)利用电流体直写工艺， 在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维;(3)通过电流体直写 制备与之垂直的平行介电纤维;(4)在基板上真空沉积金属;(5)在介电 纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。 本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤 维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体 管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应
华中科技大学
2021-04-14