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DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-04-11
关于第十届全国大学生光电设计竞赛有关事项的通知
第十届全国大学生光电设计竞赛
第十届竞赛组委会
2022-03-24
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10
天津津塔超高层纯钢板剪力墙结构设计施工关键技术
天津津塔地处天津市海河沿岸CBD商圈核心地带，建筑高度达336.9米，为华北第一高楼。主塔楼结构采用钢管混凝土柱框架＋全焊接纯钢板剪力墙＋外伸刚臂及带状桁架抗侧力体系，是世界上采用该体系的最高建筑。该项研究内容为：1、首次在软土地区超高层建筑中成功应用“钢管混凝土柱框架＋全焊接纯钢板剪力墙＋外伸刚臂及带状桁架抗侧力体系”设计技术，获得３项国家专利，解决了该种结构体系中的关键问题，取得良好的经济效益和社会效益。2、解决了纯钢板剪力墙施工过程中安装及焊接变形控制、焊接应力控制、加工进度控制等多项技术难题
天津城建大学
2021-01-12
高选择性吸附树脂的结构设计及天然产物分离纯化工艺研究
由于天然植物的各类有效成分具有各自特殊的结构特点,因此针对不同的有效成分我们开发了专用的提取树脂,例如黄酮类有效成分提取专用树脂、生物碱提取专用树脂、有机酸提取专用树脂等,成功制备了天然植物各有效成分的高纯度提取,且与现有树脂法提取工艺相比,吸附容量大大提高,生产工艺简单,生产成本降低。这类专用树脂的研发和生产,有效弥补了目前商品化提取树脂结构单一、使用中仍以盲目筛选为主的缺陷,对于天然植物深入的药用硏究有重要的实际应用价值。
河北工业大学
2021-04-13
装配式桥梁结构设计建造关键技术及桥梁抗震减震理论与技术
北京工业大学
2021-04-14
西南大学家蚕超级泛基因组图谱绘就 ——创建“数字家蚕”，赋能设计育种
家蚕基因组生物学国家重点实验室主任、国家蚕桑产业技术体系首席科学家代方银教授团队完成家蚕大规模种质资源基因组解析（“千蚕基因组”），绘就家蚕超级泛基因组。
西南大学
2022-10-14
一种基于二维 FFT 处理器的行转置架构设计方法
本发明公开了一种二维 FFT 处理器的行转置架构，具有以下特点：FFT 处理器包含片上行转置存储器，用于保存图像行变换结果。当行变换结果超过该片上存储器容量时，每行变换结果的前 2k 个数据写入片上行转置存储器，剩余数据写入片外 SDRAM，k 根据行变换结果和片上行转置存储器容量计算得到。此时，将片上行转置存储器一分为二，记为存储器 A、B，用于保存行变换部分结果以及暂存片外SDRAM 读出数据。在从存储器 A 或
华中科技大学
2021-04-14